硅的单晶结构 S Si Si 0 Si Si Si Si 32
32 硅的单晶结构 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si
硅的掺杂 沉积步骤 驱入&扩散步骤 掺杂剂 硅片基板 活化步骤 掺质层 掺质原子扩散进入硅 晶片
硅的掺杂 Si Si P Si Si Si Si PP PP 掺杂剂 晶片 掺质层 掺质原子扩散进入硅 沉积步骤 驱入 & 扩散步骤 硅片基板 活化步骤
掺杂磷以形成n型硅 过剩电子(-) 磷原子当作n型 的掺质 O 施主原子提供过剩电子以形成n型硅
施主原子提供过剩电子以形成n型硅 磷原子当作n型 的掺质 过剩电子(−) Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si P P P 掺杂磷以形成n型硅
掺杂硼以形成p型硅 空穴 硼原子当作 p型的掺质 受主原子提供一个电子空位，形成p型硅
受主原子提供一个电子空位，形成p型硅 空穴 硼原子当作 p型的掺质 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si B Si Si Si Si Si Si B B 掺杂硼以形成p型硅
N-型（砷）惨杂硅及施主能级 导带，E。 Si Si Si 额外 的电子 Ea~0.05 ev S As Eg=1.1 ev Si Si 价带，E, 36
36 N-型 (砷)掺杂硅及施主能级 - Si Si Si Si Si Si Si Si As 额外 的电子 价带,Ev Eg = 1.1 eV 导带,Ec Ed ~ 0.05 eV