P型（硼）掺杂硅及其受主能级 导带，E。 Si Si 空穴 Eg=1.1 ev Si Ea~0.05 ev Si Si 价带，E, 电子 37
37 P-型(硼)掺杂硅及其受主能级 价带,Ev Eg = 1.1 eV 导带,Ec Ea ~ 0.05 eV 电子 - Si Si Si Si Si Si Si Si B 空穴
NMOS组件 基本结构 G VD VG 金属栅极 氧化层 接地 n+ n+ p-Si 源极 汲极 38
38 NMOS组件 基本结构 VG 接地 VD n + 金属栅极 源极 汲极 p-Si n + VD VG 氧化层
NMOS组件 正电荷 VG=0 VD 电子流 VG>VT>0 VD>0 ● “金属栅极 十十十十十土 SiO2 SiO2 一一一一一 n nt n p-Si p-Si 源极 汲极 源极 汲极 没有电流 负电荷 39
39 NMOS组件 + “金属栅极 SiO2 源极 汲极 p-Si n + VG >V T > 0 VD > 0 + + + + + + + − − − − − − − 电子流 正电荷 没有电流 负电荷 n + SiO2 源极 汲极 p-Si n + VD VG = 0 n
PMOS组件 负电荷 VG=0 电洞电流 VG<VT<0 VD>0 金属栅极 SiO2→ p p n-Si n-Si 源极 汲极 源极 汲极 没有电流 正电荷 40
40 PMOS组件 + 金属栅极 SiO2 源极 汲极 n-Si p + VG <V T < 0 VD > 0 + + + + + + + − − − − − − − 电洞电流 正电荷 负电荷 没有电流 p + SiO2 源极 汲极 n-Si p + VD VG = 0 p
C制程摘要 离子注入 扩散 CVD 外延，多晶硅 添加 薄膜生长，SiO, 薄膜沉积 PVD 电介质 制程 电镀 金属 晶圆清洗 移除 图形化刻蚀(RE) 刻蚀 全区蚀刻 制程 剥除 电介质 IC 化学机械研磨 生产 金属 金属 退火 氧化物 工厂 加热 制程 再流动 离子注入 合金化 曝光（加热） 图形化 光刻 光刻胶涂敷（添加） 制程 烘烤加热及移除) 显影（移除） 41
41 IC制程摘要 IC 生产 工厂 添加 制程 移除 制程 加热 制程 图形化 制程 离子注入 扩散 薄膜生长,SiO2 薄膜沉积 晶圆清洗 刻蚀 化学机械研磨 退火 再流动 合金化 光刻 CVD PVD 电镀 图形化刻蚀(RIE) 剥除 全区蚀刻 电介质 金属 外延，多晶硅 电介质 金属 光刻胶涂敷 (添加) 烘烤(加热及移除) 显影(移除) 金属 氧化物 离子注入 曝光(加热)