Chapter 8 离子注入 1
1 Chapter 8 离子注入
目标 ·至少列出三种最常使用的掺杂物 ·辨认出至少三种掺杂区域 ·描述离子注入的优点 ·描述离子注入机的主要部分 ·解释通道效应 ·离子种类和离子能量的关系 ·解释后注入退火 ·辨认安全上的危害 2
2 目标 • 至少列出三种最常使用的掺杂物 • 辨认出至少三种掺杂区域 • 描述离子注入的优点 • 描述离子注入机的主要部分 • 解释通道效应 • 离子种类和离子能量的关系 • 解释后注入退火 • 辨认安全上的危害
离子注入 ·简介 ·安全性 ·硬件 ·工艺 ·概要 3
3 离子注入 • 简介 • 安全性 • 硬件 • 工艺 • 概要
晶圆制造流程图 材料 +IC生产厂房 测试 金属化 化学机 介电质沉 械研磨 积 晶圆 加热工艺 离子注人与 蚀刻与光 封装 光阻剥除 阻剥除 光罩 光刻 最终测试 设计
4 材料 设计 光罩 IC生产厂房 测试 封装 最终测试 加热工艺 光刻 离子注入与 光阻剥除 金属化 化学机 械研磨 介电质沉 积 晶圆 晶圆制造流程图 蚀刻与光 阻剥除
简介：掺杂半导体 ·什么是半导体？ ·为什么半导体需要被掺杂？ 。什么是n型掺杂物？ ·什么是p型糁杂物？ 5
5 简介: 掺杂半导体 • 什么是半导体? • 为什么半导体需要被掺杂? • 什么是n型掺杂物? • 什么是p型掺杂物?