半导体制造技术导论 Chapter 1导论
半导体制造技术导论 Chapter 1导论
简介 ·第一个晶体管，AT&T贝尔实验室，1947 图1.世界上第一个固态锗制成的晶体管 3
3 简介 • 第一个晶体管，AT&T贝尔实验室, 1947 图1.世界上第一个固态锗制成的晶体管
发展历史 ·第一个单晶锗，1950 ·第一个单晶硅，1952 ·第一个集成电路组件，德州仪器，1958 晶体管发明之后，它的巨大应用前景已经越来越明 显，下一个目标是如何把晶体管、导线及其他器件高 校连接起来
4 发展历史 • 第一个单晶锗, 1950 • 第一个单晶硅, 1952 • 第一个集成电路组件, 德州仪器, 1958 晶体管发明之后，它的巨大应用前景已经越来越明 显，下一个目标是如何把晶体管、导线及其他器件高 校连接起来
1960年，仙童摄影机公司在硅晶圆 上制出的第一个集成电路 照片提供：Fairchild Semiconductor International 5
5 1960年，仙童摄影机公司在硅晶圆 上制出的第一个集成电路 照片提供:Fairchild Semiconductor International
2、硅(S) 20世纪60年代初，硅很快代替锗，原因： 1)硅非常容易氧化成高品质的SO2绝缘层 2)硅禁带宽度比锗大，器件具有更大工作温度范围 3)硅元素在自然界中含量大，是廉价半导体原材料 Earth's Crust:Si:2.771 x 105 ppm;Ge:1.8 ppm
2、硅（Si） 20世纪60年代初，硅很快代替锗，原因： 1）硅非常容易氧化成高品质的SiO2绝缘层 2）硅禁带宽度比锗大，器件具有更大工作温度范围 3）硅元素在自然界中含量大，是廉价半导体原材料 Earth's Crust: Si: 2.771 x 105 ppm; Ge:1.8 ppm