蚀刻轮廓 光刻胶 光刻胶 光刻胶 光刻胶 薄膜 薄膜 薄膜 薄膜 基片 基片 非等向性 等向性 光刻胶 光刻胶 光刻胶 光刻胶 薄膜 薄膜 薄膜 薄膜 基片 基片 非等向性，大开口 非等向性，底切 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 21 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 21 蚀刻轮廓 光刻胶 薄膜 基片 基片 非等向性 薄膜 等向性 薄膜 薄膜 非等向性, 大开口 基片 非等向性, 底切 薄膜 薄膜 光刻胶 光刻胶 光刻胶 薄膜 光刻胶 光刻胶 光刻胶 光刻胶 薄膜 基片
蚀刻轮廓 光刻胶 光刻胶 光刻胶 光刻胶 薄膜 薄膜 薄膜 薄膜 基片 基片 非等向性，底脚 底切，反向底脚 光刻胶 光刻胶 光刻胶 薄膜 薄膜 薄膜 基片 基片 底切，小开口 底切，|字型 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 22 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 22 蚀刻轮廓 非等向性, 底脚 底切, 反向底脚 底切, 小开口 底切 ,I字型 光刻胶 薄膜 基片 基片 薄膜 薄膜 薄膜 基片 薄膜 薄膜 光刻胶 光刻胶 光刻胶 薄膜 光刻胶 光刻胶 光刻胶 基片
负载效应：宏观负载效应 ·带有较大开口面积的晶圆蚀刻速率与具 有较小开口面积的品圆蚀刻速率是不同 的 ·主要影响批量蚀刻工艺 ·对单片晶圆工艺的影响很小 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 23 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 23 负载效应: 宏观负载效应 • 带有较大开口面积的晶圆蚀刻速率与具 有较小开口面积的晶圆蚀刻速率是不同 的 • 主要影响批量蚀刻工艺 • 对单片晶圆工艺的影响很小
负载效应：微观负载效应 ●较小窗口的蚀刻速率会比大的窗口来的慢 ·蚀刻剂较难穿过较小的窗口 ·蚀刻副产品较难扩散出去 ·减少工艺的压力可以降低此效应， ·平均自由路径较长，蚀刻气体较易到达薄 膜且移除蚀刻副产品也较容易 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 24 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 24 负载效应: 微观负载效应 • 较小窗口的蚀刻速率会比大的窗口来的慢 • 蚀刻剂较难穿过较小的窗口 • 蚀刻副产品较难扩散出去 • 减少工艺的压力可以降低此效应. • 平均自由路径较长，蚀刻气体较易到达薄 膜且移除蚀刻副产品也较容易
微观负载 光刻胶 光刻胶 薄膜 基片 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 25 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 25 基片 光刻胶 光刻胶 薄膜 微观负载