微观负载的剖面 侧壁上的光刻胶被离 子散射移除 光刻胶在侧 光 壁沉积 基片 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 26 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 26 微观负载的剖面 基片 光刻胶在侧 壁沉积 侧壁上的光刻胶被离 子散射移除 光 刻 胶
过蚀刻 ·薄膜厚度和蚀刻速率并不均匀 ·过蚀刻：移除剩余的薄膜 ·被蚀刻薄膜和基片材料之间的选择性 ·反应式离子蚀刻使用光学测定来转换主 蚀刻到过蚀刻 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 27 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 27 过蚀刻 • 薄膜厚度和蚀刻速率并不均匀 • 过蚀刻: 移除剩余的薄膜 • 被蚀刻薄膜和基片材料之间的选择性 • 反应式离子蚀刻使用光学测定来转换主 蚀刻到过蚀刻
开始蚀刻工艺 光刻胶 薄膜 基片 开始主蚀刻 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 28 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 28 开始蚀刻工艺 d 光刻胶 薄膜 基片 开始主蚀刻
主蚀刻终点 光刻胶 工艺终点讯号出现 薄膜 Ad t 基片 过蚀刻之前 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 29 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 29 主蚀刻终点 薄膜 d 基片 过蚀刻之前 光刻胶 工艺终点讯号出现
过蚀刻之后 光刻胶 薄膜 Ad' 基片 过蚀刻之后 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 30 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 30 过蚀刻之后 薄膜 基片 d’ 过蚀刻之后 光刻胶