晶圆制造流程图 材料 IC生产厂房 金属化 化学机 介电质沉 测试 械研磨 积 晶圆 加热工艺 离子注入与 蚀刻与光 封装 光刻胶剥除 刻胶剥除 光刻版 最后测试 光刻 设计 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/ 11 Book.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/ Book.htm 11 晶圆制造流程图 材料 设计 光刻版 IC生产厂房 测试 封装 最后测试 加热工艺 光刻 蚀刻与光 刻胶剥除 离子注入与 光刻胶剥除 金属化 化学机 械研磨 介电质沉 积 晶圆
湿式蚀刻的轮廓 7-8μm 3μm 横向蚀 光刻胶 刻深度 光刻 薄膜 3μm 薄膜 胶 基片 基片 图形尺寸小于3μm则无法使用 •图案化蚀刻被等离子体蚀刻取代 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 12 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 12 湿式蚀刻的轮廓 7 - 8μm 光刻胶 基片 薄膜 3μm 3μm 光刻 胶 基片 薄膜 横向蚀 刻深度 •图形尺寸小于3μm则无法使用 •图案化蚀刻被等离子体蚀刻取代
CMOS截面图 钝化保护介电质2 氨化物 钝化保护介电质1 氧化物 W 膜层间介电质2，USG 金属1，C 膜层间介电 接触窗 质1，BPSG USG n STI P型井区 N型井区 P型磊晶硅 P型晶圆 Hong Xiao,Ph.D. nr低掺杂汲极ustm.c.tKus/HongXiao/Boo 13 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 13 CMOS截面图 P型井区 N型井区 n + n + p + P型磊晶硅 P型晶圆 n -低掺杂汲极 膜层间介电质2,USG 金属 1,Al•Cu M2 氧化物 Al•Cu 氮化物 STI p + W W,接触窗 USG 钝化保护介电质2 钝化保护介电质 1 膜层间介电 质 1 ,BPSG
蚀刻专门术语 ·蚀刻速率 ·选择性 ·蚀刻均匀性 ·蚀刻轮廓 ·湿式蚀刻 干式蚀刻 ·反应式离子蚀刻 ·终点 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 14 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 14 蚀刻专门术语 • 蚀刻速率 • 选择性 • 蚀刻均匀性 • 蚀刻轮廓 • 湿式蚀刻 • 干式蚀刻 • 反应式离子蚀刻 • 终点
蚀刻速率 测量在蚀刻工艺中物质倍从晶圆移除的速率有 多快 do △d I d, 蚀刻前 蚀刻后 △d 蚀刻速率= (/分) t △d=d。-d,(A)是厚度改变；t是蚀刻时间 (分) Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 15 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 15 蚀刻速率 测量在蚀刻工艺中物质倍从晶圆移除的速率有 多快. d = d0 - d1 (Å)是厚度改变； t 是蚀刻时间 (分) 蚀刻速率 = d t (Å/分) d1 d0 d 蚀刻前 蚀刻后