金属硅化物 ·金属硅化物的电阻率比多晶硅低很多 ·TiSi2,WSi2,和CoSi都是常用的选择 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 17 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 17 金属硅化物 • 金属硅化物的电阻率比多晶硅低很多 • TiSi2, WSi2,和CoSi2 都是常用的选择
金属硅化物 。TiSi2和CoSi2 -氩溅射从晶圆表面移除原生氧化层 -Ti或Co沉积 -退火工艺形成金属硅化合物 -Ti或Co不与Si02反应，金属硅化物在硅和Ti或 Co接触之处形成 -湿式蚀刻工艺剥除未反应的Ti或Co -选择性的再次退火以增加传导率 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 18 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 18 金属硅化物 • TiSi2 和CoSi2 –氩溅射从晶圆表面移除原生氧化层 –Ti或Co沉积 –退火工艺形成金属硅化合物 –Ti或Co不与SiO2反应, 金属硅化物在硅和Ti或 Co接触之处形成 –湿式蚀刻工艺剥除未反应的Ti或Co –选择性的再次退火以增加传导率
自我对准的钴金属硅化物的形成步骤 Co Co CoSi, CoSiz 多晶硅播极 多晶硅栅极 多晶硅栅极 栅极氧化层 栅极氧化层 栅极氧化层 钴沉积 退火产生金属硅化物 湿式剥除钴薄膜 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 19 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 19 自我对准的钴金属硅化物的形成步骤 多晶硅栅极 n 栅极氧化层 - n - n + n + Co 钴沉积 多晶硅栅极 栅极氧化层 n - n - n + n + CoSi2 Co 退火产生金属硅化物 多晶硅栅极 栅极氧化层 n - n - n + n + 湿式剥除钴薄膜 CoSi2 CoSi2 CoSi2
硅化钨 ·加热CVD工艺 -WF6当作钨的源材料 -SiH4作为硅的源材料. ·多晶金属硅化物堆栈结构在多重步骤工艺中进行 蚀刻 -用氟化学品蚀刻WSi、 -用氯化学品蚀刻多晶硅 ·光阻剥除 ·快速加热退火增加硅化钨的晶粒尺寸和导电率 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 20 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 20 硅化钨 • 加热 CVD工艺 –WF6 当作钨的源材料 –SiH4 作为硅的源材料. • 多晶金属硅化物堆栈结构在多重步骤工艺中进行 蚀刻 –用氟化学品蚀刻WSix –用氯化学品蚀刻多晶硅 • 光阻剥除 • 快速加热退火增加硅化钨的晶粒尺寸和导电率
铝 ·最常当作联机使用的金属 ·第四佳的电传导金属 -银 1.6 us.cm -铜 1.7 u.cm -金 2.2 u .cm -铝 2.65u2cm ·1970年代中期以前曾被用作栅极的材料 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 21 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 21 铝 • 最常当作联机使用的金属 • 第四佳的电传导金属 –银 1.6 μΩcm –铜 1.7 μΩ cm –金 2.2 μΩ cm –铝 2.65 μΩ cm • 1970年代中期以前曾被用作栅极的材料