应用：栅极和电极 。A|栅极和电极 ·多晶硅代替铝作为栅极的材料 ·金属硅化物 -WSi2 -TiSi2 CoSi2,MoSi2,TaSi2,. ·Pt,Au,.在DRAM电容器作为电极 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 11 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 11 应用: 栅极和电极 • Al栅极和电极 • 多晶硅代替铝作为栅极的材料 • 金属硅化物 –WSi2 –TiSi2 –CoSi2, MoSi2, TaSi2, . • Pt, Au, .在DRAM电容器作为电极
应用：融合(Fuse) ·可程序化只读存储器(PR0M) ·高电流产生的热，会熔化铝线形成断路 ·多晶硅被用来作为融合的材料（(fuse materials) Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 13 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 13 应用: 融合(Fuse) • 可程序化只读存储器 (PROM) • 高电流产生的热，会熔化铝线形成断路 • 多晶硅被用来作为融合的材料(fuse materials)
导电薄膜 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 14 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 14 导电薄膜
导电薄膜 ·多晶硅 ·金属硅化物 ·铝合金 ·钛 ·氮化钛 。钨 ·铜 ·钽 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 15 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 15 导电薄膜 • 多晶硅 • 金属硅化物 • 铝合金 • 钛• 氮化钛 • 钨• 铜• 钽
多晶硅 ·栅极与局部联机的材料 ·1970年代中期取代铝而成为栅极材料 。具高温稳定性 -离子注入后的高温退火所必要的 -铝栅极无法用在自我对准源极/漏极注入 ·重度掺杂 ● 以LPCVD工艺在高温炉沉积 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 16 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 16 多晶硅 • 栅极与局部联机的材料 • 1970年代中期取代铝而成为栅极材料 • 具高温稳定性 –离子注入后的高温退火所必要的 –铝栅极无法用在自我对准源极/漏极注入 • 重度掺杂 • 以LPCVD工艺在高温炉沉积