第三章 场数应品体信 及莫发大电路
第三章 场效应晶体管 及其放大电路
§1场效应晶体管 场效应晶体管的外形与普通晶体管相似，但二者控制 特性却截然不同。 普通晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到 控制集电极电流或发射极电流的目的，信号源必须提供一 定的电流才能工作，它的输入电阻低，约为102~104。 场效应晶体管是电压控制元件，它的输出电流决定于 输入端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，它的 输入电阻很高，可高达109~1014
§1 场效应晶体管 场效应晶体管是电压控制元件，它的输出电流决定于 输入端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，它的 输入电阻很高，可高达109～1014 。 场效应晶体管的外形与普通晶体管相似，但二者控制 特性却截然不同。 普通晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到 控制集电极电流或发射极电流的目的，信号源必须提供一 定的电流才能工作，它的输入电阻低，约为102～104
场效应晶体管的分类： 结型场效应管 场效应晶体管 增强型 N沟道 LP沟道 绝缘栅场效应管 耗尽型 N沟道 LP沟道
场效应晶体管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 场效应晶体管的分类：
1增强型绝缘栅场效应管 1.1结构示意图 N沟道 Si02绝缘层 P沟道 Si02绝缘层 源极栅极漏极 源极栅极漏极 N+ N I+ P型硅衬底 N型硅衬底 注意：栅极和其它电极及衬底之间是绝缘的，所以称为绝缘栅场效应管，或称MetalOxide Semiconductor,.简称MOS场效应管。由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，栅源电阻（输入电 阻)Rs很高，最高可达101
1.1 结构示意图 1 增强型绝缘栅场效应管 N沟道 N+ N+ P型硅衬底 源极 S 漏极 D 栅极 G SiO2绝缘层 P沟道 P+ P+ N型硅衬底 源极 S 漏极 D 栅极 G SiO2绝缘层 注意：栅极和其它电极及衬底之间是绝缘的，所以称为绝缘栅场效应管，或称Metal Oxide Semiconductor，简称 MOS场效应管。由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，栅源电阻（输入电 阻）RGS很高，最高可达1014
1.2工作原理 (以N沟道为例说明) DS Ip-0 当Ucs=0时 T+ N+ 相当于 P型硅衬底 两个反接的PN结
N+ N+ P型硅衬底 S G D - + UGS ● UDS - + 当UGS=0时 相当于 两个反接的PN结 ID=0 1.2 工作原理 （以N沟道为例说明）