当Ucs>0时 DS 垂直于衬底表面 D 产生电场 S GS ●●●●●●●● 电场吸引衬底中 ooooo N+ 电子到表层 P型硅衬底 电子填补空穴 形成负空间电荷区
N+ N+ P型硅衬底 S G D - + UGS ● UDS - + ID 垂直于衬底表面 产生电场 电场吸引衬底中 电子到表层 电子填补空穴 形成负空间电荷区 当UGS>0时
N沟道 沟通源区与漏区 与衬底间被耗尽层绝缘 DS D 公Z ●●●●●●●●● N+ ooooo N+ P型硅衬底 耗尽层
N沟道 沟通源区与漏区 与衬底间被耗尽层绝缘 耗尽层 N+ N+ P型硅衬底 S G D - + UGS ● UDS - + ID
导电沟道形成后， Uns越大，D越大。 DS /D GS D Ucs越大，电场越 派2☑ ●●●●●●●●● 强，沟道越宽，沟 N+ ooooo N+ 道等效电阻越小。 P型硅衬底
N+ N+ P型硅衬底 S G D - + UGS ● UDS - + ID 导电沟道形成后， UDS越大，ID越大。 UGS越大，电场越 强，沟道越宽，沟 道等效电阻越小
1.3特性曲线 转移特性曲线ID=∫（亿UGs)lUs=带数 开启电压： 当Ucs<Ucsh时， 导电沟道还没有形 成，Ib≈0； 当Ucs>UGs时， 导电沟道已形成， UGsu) Ucs 随着Ucs的增大， In也增大。 无沟道 有沟道
1.3 特性曲线 转移特性曲线 I D = f (UGS )| UDS =常数 开启电压： 当UGS<UGS(th)时， 导电沟道还没有形 成，ID≈0； 当UGS>UGS(th)时， 导电沟道已形成， 随着UGS的增大， ID也增大。 ID UGS O UGS(th) 无沟道 有沟道
输出特性曲线ID=f(Ups)luas=常数 4V 3V 2V UGS-1V Ups
输出特性曲线 I D = f (UDS )| UGS =常数 ID UDS UGS=1V 2V 3V 4V