驱入 二氧化硅 掺杂接面 硅基片 女
11 驱入 硅基片 二氧化硅 掺杂接面
剥除和清洗 二氧化硅 掺杂接面 硅基片 12
12 剥除和清洗 硅基片 二氧化硅 掺杂接面
掺杂半导体：离子注入 ·用在原子和核的研究 ·1950年代观念便已被提出 ·在1970年代中期才被引进到半导体制造. 勺
13 掺杂半导体：离子注入 • 用在原子和核的研究 • 1950年代观念便已被提出 • 在1970年代中期才被引进到半导体制造
掺杂半导体：离子注入 ·单独控制掺杂物轮廓（离子能量）和掺杂 物浓度（离子束的电流和注入的时间组合 控制) ·非等向性掺杂物轮廓 ·容易达到重掺杂物（如：磷和砷）的高浓 度掺杂. 14
14 掺杂半导体：离子注入 • 单独控制掺杂物轮廓(离子能量)和掺杂 物浓度(离子束的电流和注入的时间组合 控制) • 非等向性掺杂物轮廓 • 容易达到重掺杂物(如：磷和砷)的高浓 度掺杂
栅极的对准失误 金属匣极 栅极氧化层 金属匣极 n-型硅 p*S/D p*S/D n-型硅 对准的 对准失误的 15
15 栅极的对准失误 栅极氧化层 n-型硅 n-型硅 p + S/D p + S/D 金属匣极 金属匣极 对准的 对准失误的