离子注入：磷 氧化硅 多晶硅 P+ P型硅 6
16 多晶硅 n + P型硅 n + 二氧化硅 P + 离子注入：磷
离子注入和扩散的比较 掺杂区域 二氧化硅 光阻 硅 硅 接面深度 扩散 离子注人 17
17 离子注入和扩散的比较 二氧化硅 光阻 硅 硅 扩散 离子注入 掺杂区域 接面深度
离子注入和扩散的比较 扩散 离子布植 高温，硬光罩 低温，光阻光罩 等向性掺杂物浓度 非等向性掺杂物轮廓 不能单独控制离子浓度和能单独控制离子浓度和接 接面深度 面深度 批量制程 批量和单晶圆制程 18
18 扩散 离子布植 高温, 硬光罩 低温, 光阻光罩 等向性掺杂物浓度 非等向性掺杂物轮廓 不能单独控制离子浓度和 接面深度 能单独控制离子浓度和接 面深度 批量制程 批量和单晶圆制程 离子注入和扩散的比较
离子注入控制 ·离子束电流和注入时间控制掺杂物的浓 度 ·离子能量控制接面深度 ·掺杂物浓度是非等向性 19
19 离子注入控制 • 离子束电流和注入时间控制掺杂物的浓 度 • 离子能量控制接面深度 • 掺杂物浓度是非等向性
离子注入的应用 应用 掺杂 预先非晶化 深埋氧化层多晶阻挡层 离子 N型：磷，砷，锑 硅或锗 氧 氮 P型：硼 20
20 离子注入的应用 应用 掺杂 预先非晶化 深埋氧化层 多晶阻挡层 离子 N 型: 磷, 砷,锑 P 型: 硼 硅或锗 氧 氮