共价键 ■■ 在价电子挣脱原子核的束缚而成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，称为空穴。这时原 子带正电，也可以认为原子中出现了带正电的空穴。带正电的空穴要吸引相邻的共价键中的价电子， 来填补空穴；新的空穴又要吸引相邻的共价键中的价电子，来填补空穴。如此继续下去，就好象带 正电的空穴在运动
Si Si Si Si 共价键 在价电子挣脱原子核的束缚而成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，称为空穴。这时原 子带正电，也可以认为原子中出现了带正电的空穴。带正电的空穴要吸引相邻的共价键中的价电子， 来填补空穴；新的空穴又要吸引相邻的共价键中的价电子，来填补空穴。如此继续下去，就好象带 正电的空穴在运动
共价键 1 1■■■■■■ ■■■■■■■■■■■ 在价电子挣脱原子核的束缚而成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，称为空穴。这时原 子带正电，也可以认为原子中出现了带正电的空穴。带正电的空穴要吸引相邻的共价键中的价电子， 来填补空穴；新的空穴又要吸引相邻的共价键中的价电子，来填补空穴。如此继续下去，就好象带 正电的空穴在运动
Si Si Si Si 共价键 在价电子挣脱原子核的束缚而成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，称为空穴。这时原 子带正电，也可以认为原子中出现了带正电的空穴。带正电的空穴要吸引相邻的共价键中的价电子， 来填补空穴；新的空穴又要吸引相邻的共价键中的价电子，来填补空穴。如此继续下去，就好象带 正电的空穴在运动
共价键 ■■■■ 在价电子挣脱原子核的束缚而成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，称为空穴。这时原 子带正电，也可以认为原子中出现了带正电的空穴。带正电的空穴要吸引相邻的共价键中的价电子， 来填补空穴；新的空穴又要吸引相邻的共价键中的价电子，来填补空穴。如此继续下去，就好象带 正电的空穴在运动
Si Si Si Si 共价键 在价电子挣脱原子核的束缚而成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，称为空穴。这时原 子带正电，也可以认为原子中出现了带正电的空穴。带正电的空穴要吸引相邻的共价键中的价电子， 来填补空穴；新的空穴又要吸引相邻的共价键中的价电子，来填补空穴。如此继续下去，就好象带 正电的空穴在运动
结论 (1)半导体中存在自由电子和空穴两种载流子。本 征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时又不 断复合。在一定条件下（温度下）载流子的产生和复合达 到动态平衡，于是载流子便维持一定数目。温度越高或受 光照越强，载流子数目越多，半导体的导电性能也就越好 所以温度或光照对半导体的导电性能影响很大。 (2)当半导体两端加上电压后，半导体中将出现两 部分电流。一部分是自由电子作定向运动所形成的电子电 流，另一部分是价电子或自由电子填补空穴所形成的空穴 电流。在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电，这 是半导体的最大特点，也是半导体和导体导电的本质区别
（1）半导体中存在自由电子和空穴两种载流子。本 征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时又不 断复合。在一定条件下（温度下）载流子的产生和复合达 到动态平衡，于是载流子便维持一定数目。温度越高或受 光照越强，载流子数目越多，半导体的导电性能也就越好， 所以温度或光照对半导体的导电性能影响很大。 （2）当半导体两端加上电压后，半导体中将出现两 部分电流。一部分是自由电子作定向运动所形成的电子电 流，另一部分是价电子或自由电子填补空穴所形成的空穴 电流。在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电，这 是半导体的最大特点，也是半导体和导体导电的本质区别。 结 论
2N型半导体和P型半导体 本征半导体中虽然有自由电子和空穴两种载流子，但 由于数量极少，所以导电能力很低。如果在本征半导体中 掺入微量的某种杂质（某种元素），将使掺杂后的半导体 (杂质半导体)的导电能力大大增强。由于掺入的杂质不 同，杂质半导体可分为两类。 电子半导体(N型半导体) 杂质半导体 空穴半导体(P型半导体)
2 N型半导体和P型半导体 本征半导体中虽然有自由电子和空穴两种载流子，但 由于数量极少，所以导电能力很低。如果在本征半导体中 掺入微量的某种杂质（某种元素），将使掺杂后的半导体 （杂质半导体）的导电能力大大增强。由于掺入的杂质不 同，杂质半导体可分为两类。 电子半导体（N型半导体） 空穴半导体（P型半导体） 杂质半导体