电子科技大学：《集成电路可测性设计 VLSIDesign》课程教学资源（课件讲稿）第2章 电路测试基础

IC的失效分类 失效 按模式分 按存在时间分 操作失误 永久性（硬） 参数改变 暂时性（软） 暂态 间歇 2020/9/4 集成电路可测性设计 17

2020/9/4 集成电路可测性设计 17 IC的失效分类 失效 操作失误 参数改变 按模式分 永久性（硬） 暂时性（软） 暂态 间歇 按存在时间分

例子 冬缺陷：a与地短路 故障：信号a固定于逻辑0 错误：a=1,b=1,c=0; -正确的输出c=1. a C=ab 2020/9/4 集成电路可测性设计 18

2020/9/4 集成电路可测性设计 18 例子  缺陷: a与地短路  故障: 信号a固定于逻辑0  错误: a = 1, b =1, c=0;  正确的输出c=1. a b C=ab

芯片中的实际缺陷 处理缺陷 ■缺少接触孔 寄生晶体管 ■ 氧化击穿 ▣材料缺陷 ■体缺陷（裂纹，晶体不完整性） ■表面杂质（离子移动） ■ 缺陷与IC的制造工艺 ▣时间相关失效 有关；-光刻 电介质击穿 ■电迁移 人为失误； 口封装失效 深亚微米→DFM引入 接触退化 ■ 密封泄漏 2020/9/4 集成电路可测性设计 19

2020/9/4 集成电路可测性设计 19 芯片中的实际缺陷  处理缺陷 缺少接触孔 寄生晶体管 氧化击穿  . . .  材料缺陷 体缺陷 (裂纹, 晶体不完整性) 表面杂质 (离子移动) . . .  时间相关失效 电介质击穿 电迁移 . . .  封装失效 接触退化 密封泄漏 . . . 缺陷与IC的制造工艺 有关；-光刻 人为失误； 深亚微米DFM引入

缺陷例子-1 2020/9/4 集成电路可测性设计 20

2020/9/4 集成电路可测性设计 20 缺陷例子-1

缺陷例子-2 VDD N Out B 2020/9/4 集成电路可测性设计 21

2020/9/4 集成电路可测性设计 21 缺陷例子-2