分解 ◇、 自由基 B B A 分子 e 16
16 分解 A B e - B e - A 分子 自由基
等离子体蚀刻 ·氧化物蚀刻工艺，在等离子体中使用CF4 产生氟(F)的自由基e+CF4→ CF3+ F +e 4f+Si02-→SiF4+20 ·增进蚀刻工艺的化学反应 17
17 等离子体蚀刻 • 氧化物蚀刻工艺，在等离子体中使用CF4 产生氟(F)的自由基e - + CF4 → CF3 + F + e- 4F + SiO2 → SiF4 + 2O • 增进蚀刻工艺的化学反应
等离子体增进化学气相沉积化学 反应 ·PECVD氧化物的工艺用硅烷和N,0（笑气) e+SiH4→ SiH,2H e- e+N20→ N2+0+e SiH2+30-> Si02+H20 等离子体增进化学反应 ·在相对低温下，PECVD可达高的沉积速率 18
18 等离子体增进化学气相沉积化学 反应 • PECVD氧化物的工艺用硅烷和N2O (笑气) e - + SiH4 → SiH2 + 2H + ee - +N2O→ N2 + O + eSiH2 + 3O→ SiO2 +H2O • 等离子体增进化学反应 • 在相对低温下，PECVD可达高的沉积速率
表7.1硅烷的分解 碰撞 副產品 形成所需的能量 e+SiH4→SiH2+H2+e 2.2eV SiH3 +H+e 4.0eV Si+2 H2 +e 4.2eV SiH+H2+H+e 5.7eV SiH2+2H+e 8.9eV Si+2H2 +e 9.5eV SiH2+H2+2 e 11.9eV SiH3*+H+2 e 12.32eV Sit 2H2 +2 e 13.6eV SiH+H2+H+2e 15.3eV
19 表7.1 硅烷的分解 碰撞 副產品 形成所需的能量 e - + SiH4 → SiH2 + H2 + e- 2.2 eV SiH3 + H + e- 4.0 eV Si + 2 H2 + e- 4.2 eV SiH + H2 + H + e- 5.7 eV SiH2 * + 2H + e- 8.9 eV Si* + 2H2 + e- 9.5 eV SiH2 + + H2 + 2 e- 11.9 eV SiH3 + + H + 2 e- 12.32 eV Si+ + 2H2 + 2 e- 13.6 eV SiH+ + H2 + H + 2 e- 15.3 eV
平均自由程(MFP) ·粒子和粒子碰撞前能够移动的平均距离. 1 = n 。n是粒子的密度 。σ是粒子的碰撞截面 20
20 平均自由程 (MFP) • 粒子和粒子碰撞前能够移动的平均距离. = 1 n • n是粒子的密度 • 是粒子的碰撞截面