第十章离子化合物的结构化学离子化合物是指由正、负离子结合在一起形成的化合物。在离子化合物中，正、负离子之间由静电作用力结合在一起，这种键称为离子键离子键和金属键一样，没有方向性和饱和性。离子晶体中正、负离子离子晶体与金属晶体类似，高应采取密堆积方式，但是与金属晶体不同的是，正负离子的大小不同，因此正、负离子可看成是不等径圆球的堆积
第十章 离子化合物的结构化学 离子化合物是指由正、负离子结合在一起形 成的化合物。在离子化合物中，正、负离子之间 由静电作用力结合在一起，这种键称为离子键。 离子键和金属键一样，没有方向性和饱和性。 离子晶体与金属晶体类似，离子晶体中正、负离子 应采取密堆积方式，但是与金属晶体不同的是，正 负离子的大小不同，因此正、负离子可看成是不等 径圆球的堆积
10.1.离子晶体的若干简单结构型式1.NaCI型立方面心配位数一正离子配位数：负离子配位数配位数6:6CI作A1型最密堆积四面体空隙，八面体空隙）CNa+填入八面体空隙（填入空隙百分数：100%）2.CsCI型简单立方配位数8:8
10．1 离子晶体的若干简单结构型式 1．NaCl型 立方面心 配位数＝正离子配位数:负离子配位数 配位数 6:6 Cl- 作A1型最密堆积（ 四面体空隙，八面体空隙） Na+ 填入八面体空隙 （填入空隙百分数：100％） 2．CsCl型 简单立方 配位数 8:8
（立方体空隙）CI-作简单立方堆积（填入空隙百分数：100%）Cs+填入立方体空隙立方面心3.立方ZnS型配位数4:4S2-作A1型最密堆积（四面体空隙，八面体空隙）Zn2+填入四面体空隙（填入空隙百分数：50%简单六方六方ZnS型配位数4:4
Cl- 作简单立方堆积 （立方体空隙） Cs+ 填入立方体空隙（填入空隙百分数：100％） 3．立方ZnS型 立方面心 配位数 4:4 S2-作A1型最密堆积（四面体空隙，八面体空隙） Zn 2+填入四面体空隙（填入空隙百分数：50％ 4．六方ZnS型 简单六方 配位数4:4
S2-作A3型最密堆积（四面体空隙，八面体空隙Zn2+填入四面体空隙（填入空隙百分数：50%）型立方面心5.CaF2（萤石）配位数8:4Ca2+作A1型最密堆积（四面体空隙，八面体空隙F·填入四面体空隙（填入空隙百分数：100%）F-作简单立方堆积（立方体空隙Ca2+填入立方体空隙（填入空隙百分数：50%
S2-作A3型最密堆积（四面体空隙，八面体空隙） Zn 2+填入四面体空隙（填入空隙百分数：50％） 5．CaF2 （萤石）型 立方面心 配位数 8:4 Ca2+作A1型最密堆积（四面体空隙,八面体空隙） F- 填入四面体空隙（填入空隙百分数：100％） F- 作简单立方堆积（立方体空隙） Ca2+填入立方体空隙（填入空隙百分数：50％）
四方晶系6．TiO2(金红石)型配位数6:3O2-作近A3型最密堆积【假六方最密堆积]（四面体空隙，八面体空隙）（填入空隙百分数：50%）Ti4+填入八面体空隙10.2 离子键和点阵能离子键的强弱可用点阵能的大小表示，点阵能又称结晶能或晶格能
6．TiO2 (金红石)型 四方晶系 配位数 6:3 O2-作近A3型最密堆积 [假六方最密堆积] （四面体空隙，八面体空隙） Ti 4+填入八面体空隙（填入空隙百分数：50％） 10．2 离子键和点阵能 离子键的强弱可用点阵能的大小表示，点阵 能又称结晶能或晶格能