Q-VDD 字线 不带电 So浮置栅 龚 截止 -存1 浮置栅MOS管 N型衬底 带负电 (a)浮置栅MOS管的结构(b)EPROM存储单元 导通 图7.2.6浮置栅EPROM 存0 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 图7.2.6 浮置栅EPROM (a)浮置栅MOS管的结构 (b)EPROM存储单元 带负电 -导通 -存0 不带电 -截止 -存1
叠栅注入MOS管(Stacked-gate Injuction Metal Oxide-Semiconductor,简称SIMOS管) G SiO, D 4c 4c A G 16×16 译码器 存储矩阵 A 图7.2.8 SIMOS管的结构和符号 H A: 地址译 A 区区 输出级冲器 图7.2.9使用SIM0S管的256×1位EPR0M EN 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 叠栅注入MOS管（Stacked-gate Injuction MetalOxide-Semiconductor，简称SIMOS管） 图7.2.9 使用SIMOS管的256 1位EPROM 图7.2.8 SIMOS管的结构和符号
二 E2PROM 在E2PROM的存储单元中采用了一种叫做浮栅隧道 氧化层MOS管(Floating gate Tunnel Oxide,简称 F1otox管) D W(字线) D T2 位 隧道区 B 图7.2.10F1ot0x管的结构和符号 图7.2.11E2PR0M的存储单元 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 二、E 2PROM 在E 2PROM的存储单元中采用了一种叫做浮栅隧道 氧化层MOS管（Floating gate Tunnel Oxide，简称 Flotox管） 图7.2.11 E2 图7.2.10 Flotox管的结构和符号 PROM的存储单元
图7.2.12给出了E2PROM存储单元在三种不同工作状 态下各个电极所加电压的情况。 +20V +20V +5V +20v]V W W T, +3V T B B (a) (b) (c) (a)读出状态 (b)擦除（写1）状态(c)写入（写0）状态 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 图7.2.12给出了E 2PROM存储单元在三种不同工作状 态下各个电极所加电压的情况。 （a）读出状态 （b）擦除（写1）状态 （c）写入（写0）状态
三、快闪存储器(Flash Memory) 采用与EPROM中的叠栅MOS管相似的结构，同 时保留了EEPROM用隧道效应擦除的快捷特性。理 论上属于ROM型存储器；功能上相当于RAM。 单片容量已达64MB,并正在开发256MB的快 闪存储器。可重写编程的次数已达100万次。 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 三、快闪存储器（Flash Memory） 采用与EPROM中的叠栅MOS管相似的结构，同 时保留了EEPROM用隧道效应擦除的快捷特性。理 论上属于ROM型存储器；功能上相当于RAM。 单片容量已达64MB，并正在开发256MB的快 闪存储器。可重写编程的次数已达100万次