地址译码器 A W: 输出缓冲器 e D. D 存储矩阵 D D: D D D. EN 图7.2.2二极管ROM的电路结构图 在对应的存储单元内存入的是1还是0，是由接 入或不接入相应的二极管来决定的。 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 图7.2.2 二极管ROM的电路结构图 在对应的存储单元内存入的是1还是0，是由接 入或不接入相应的二极管来决定的
为了便于表达和设计，通常将图7.2.2简化如图 7.2.3所示。 A 地 与 址译 1 列 头 地址译 存储 码器 D3 矩阵 或 D, 输出缓冲器 阵 列 D D D 图7.2.2二极管ROM 有存储 图7.2.3 4×4ROM阵列图 单元 2006年 新疆大学信息科学与 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 存储 矩阵 为了便于表达和设计，通常将图7.2.2简化如图 7.2.3 所示。 图7.2.3 4×4 ROM阵列图 有存储 单元 地址译 码器 图7.2.2 二极管ROM
7.2.2可编程只读存储器 (PROM) 在编程前，存储矩阵中的全部存储单元的熔丝都 是连通的，即每个单元存储的都是1。 用户可根据需要，借助一定的编程工具，将某些 存储单元上的熔丝用大电流烧断，该单元存储的内容 就变为0，此过程称为编程。 熔丝烧断后不能再接上，故PROM只能进行一次编 程。 Vcc 字 线 图8-8PROM的可编程存储单元 熔 位线 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 在编程前，存储矩阵中的全部存储单元的熔丝都 是连通的，即每个单元存储的都是1。 用户可根据需要，借助一定的编程工具，将某些 存储单元上的熔丝用大电流烧断，该单元存储的内容 就变为0，此过程称为编程。 熔丝烧断后不能再接上，故PROM只能进行一次编 程。 7.2.2 可编程只读存储器（PROM） 图8-8 PROM的可编程存储单元
7.2.3可擦可编程R0M (EPROM) 最早出现的是用紫外线照射擦除的EPROM(UIta Violet Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称JVEPROM)。 电可擦除的可编程ROM(Electrically Erasable Programmable Rea-Only Memory,简称E2PROM)。 快闪存储器(Flash Memory)也是一种电擦除的 可编程ROM。 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 7.2.3 可擦可编程ROM（EPROM） 最早出现的是用紫外线照射擦除的EPROM（UltaViolet Erasable Programmable Read-Only Memory， 简称UVEPROM）。 电可擦除的可编程ROM（Electrically Erasable Programmable Rea-Only Memory，简称E 2PROM）。 快闪存储器（Flash Memory）也是一种电擦除的 可编程ROM
一、EPROM(UVEPROM) 浮置栅MOS管（简称FAMOS管）的栅极被Si02 绝缘层隔离，呈浮置状态，故称浮置栅。 当浮置栅带负电荷时，FAMOS管处于导通状 态，源极一漏极可看成短路，所存信息是0。 若浮置栅上不带有电荷，则FAMOS管截止， 源极一漏极间可视为开路，所存信息是1。 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 浮置栅MOS管（简称FAMOS管）的栅极被SiO2 绝缘层隔离，呈浮置状态，故称浮置栅。 当浮置栅带负电荷时， FAMOS管处于导通状 态，源极－漏极可看成短路，所存信息是0。 若浮置栅上不带有电荷，则FAMOS管截止， 源极－漏极间可视为开路，所存信息是1。 一、EPROM（UVEPROM）