第19章电力电子 技术 1 电力电子器件 2. 可控整流电路 3. 逆变电路 4. 交流调压电路 5. 直流斩波电路（略） 1/61 章目录上一页下一页返回退出
1/61 章目录 上一页 下一页 返回 退出 第19章 电力电子 技术 1. 电力电子器件 2. 可控整流电路 3. 逆变电路 4. 交流调压电路 5. 直流斩波电路(略)
19.1电力电子器件 19.1.1电力电子器件的分类 1.不控器件 器件的导通和关断无可控功能。如整流二极管(D)。 2.半控器件 器件的导通可控，但关断不可控。如普通晶闸管(T)。 3.全控器件 器件的导通和关断均具可控的功能。如可关断晶闸 管(GTO)、功率晶体管(GTR)、功率场效晶体管 (VDMOS)及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。 2/61 章目录上一页下一页返回退出
2/61 章目录 上一页 下一页 返回 退出 19.1 电力电子器件 19.1.1 电力电子器件的分类 1.不控器件 器件的导通和关断无可控功能。如整流二极管(D)。 2.半控器件 器件的导通可控,但关断不可控。如普通晶闸管(T)。 3.全控器件 器件的导通和关断均具可控的功能。如可关断晶闸 管(GTO) 、功率晶体管(GTR) 、功率场效晶体管 (VDMOS)及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等
电力电子器件的符号 A A A C G 太 G+ K T GTO GTR VDMOS IGBT 电力电子器件的主要性能指标：电压、电流、 工作频率。 3161 章目录上一页下一页返回退出
章目录 上一页 下一页 返回 退出 电力电子器件的符号 G K T A K D G A A K GTO G D B C E S GTR VDMOS G C E IGBT 电力电子器件的主要性能指标：电压、电流、 工作频率。 3/61
19.1.2晶闸管 晶闸管(Silicon Controlled Rectifier)是在晶体管 基础上发展起来的一种大功率半导体器件。它的出现 使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性， 但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、调 压及开关等方面。 优点： 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、 操作方便、寿命长、容量大（正向平均电流达千安、 正向耐压达数千伏)。 4/61 章目录上一页下一页返回退出
4/61 章目录 上一页 下一页 返回 退出 19.1.2 晶闸管 晶闸管(Silicon Controlled Rectifier)是在晶体管 基础上发展起来的一种大功率半导体器件。它的出现 使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性, 但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、调 压及开关等方面。 优点： 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、 操作方便、寿命长、 容量大(正向平均电流达千安、 正向耐压达数千伏)
1.普通晶闸管 A 阳极 (1)基本结构 9 晶闸管是具有三个 三 PN结的四层结构，其 个 结构及符号如图所示。 四. 层 NI PN A 结 导体 P2 OGG 控制极 N2 K (b)符号 (a)结构 6K阴极 晶闸管的结构及符号 5/61 章目录上一页下一页返回退出
章目录 上一页 下一页 返回 退出 A 阳极 P1 P2 N1 N2 P1 P2 N1 N2 P1 P2 N1 N2 控制极 K 阴极 G G 四 层 半 导 体 (a) 结构 晶闸管的结构及符号 三 个 PN 结 G 5/61 1. 普通晶闸管 (1) 基本结构 晶闸管是具有三个 PN结的四层结构, 其 结构及符号如图所示。 A K (b) 符号