掺杂硼以形成p型硅 空穴 硼原子当作 p型的掺质 受主原子提供一个电子空位，形成即型硅
受主原子提供一个电子空位，形成p型硅 空穴 硼原子当作 p型的掺质 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si B Si Si Si Si Si Si B B 掺杂硼以形成p型硅
在p型硅的空穴流 电源正端 电源负端 空穴流动 电子流向正极 空穴流向负极
在p型硅的空穴流 电源正端 电源负端 空穴流向负极 电子流向正极
N-型（砷）糁杂硅及施主能级 导带Ec Si 额外 的电子一 Ed~0.05 ev AS Eg=1.1 ev Si 价带，E, 28
28 N-型 (砷)掺杂硅及施主能级 - Si Si Si Si Si Si Si Si As 额外 的电子 价带,Ev Eg = 1.1 eV 导带,Ec Ed ~ 0.05 eV
P-型（硼）糁杂硅及其受主能级 导带，E。 Si Si Si 电洞 Si Eg=1.1 ev Ea~0.05 eV Si Si S 价带E, 电子 29
29 P-型(硼)掺杂硅及其受主能级 价带,Ev Eg = 1.1 eV 导带,Ec Ea ~ 0.05 eV 电子 - Si Si Si Si Si Si Si Si B 电洞
空穴移动的示意说明 导带，Ec 导带，E。 导带，E。 电子 Eg=1.1eV 电子 Eg=1.1eV 电子 Eg=1.1eV Ea-0.05ev! 价带E, 电洞 价帶E, 价带，E, 电洞 电洞 30
30 空穴移动的示意说明 价带,Ev Eg = 1.1 eV 导带,Ec Ea ~ 0.05 eV 电子 电洞 电子 电洞 价帶,Ev Eg = 1.1 eV 导帶,Ec 价帶,Ev Eg = 1.1 eV 导帶,Ec 电子 电洞