Chapter4 晶圆制造和外延硅生长
1 Chapter4 晶圆制造和外延硅生长
教学目标 ·说明为何硅比其他半导体材料更被普遍 及采用的两个理由 ·列出单晶硅所偏爱的两种晶向 ·列出从砂形成硅的基本步骤 ·叙述CZ法和悬浮带区法 ·解释硅外延层沉积的目的 ·叙述外延硅沉积的制程 2
2 教学目标 • 说明为何硅比其他半导体材料更被普遍 及采用的两个理由 • 列出单晶硅所偏爱的两种晶向 • 列出从砂形成硅的基本步骤 • 叙述CZ法和悬浮带区法 • 解释硅外延层沉积的目的 • 叙述外延硅沉积的制程
晶体结构 ·非晶态结构 一原子排列完全没有重复的结构 ·多晶态结构 一原子排列有一些重复的结构 。 单晶态结构 一原子排列全部以相同结构重复 3
3 晶体结构 • 非晶态结构 – 原子排列完全没有重复的结构 • 多晶态结构 – 原子排列有一些重复的结构 • 单晶态结构 – 原子排列全部以相同结构重复
非晶体结构
4 非晶体结构
多晶态结构 晶界 晶粒 5
5 晶粒 晶界 多晶态结构