化学气相沉积与介电质薄膜 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 1 化学气相沉积与介电质薄膜
CVD氧化层Vs.加热成长的氧化层 SiO2 SiO2 Si Si Si 热成长薄膜 硅裸片晶圆 沉积薄膜 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 2 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 2 CVD氧化层vs.加热成长的氧化层 热成长薄膜 硅裸片晶圆 沉积薄膜 SiO2 SiO2 Si Si Si
CVD氧化层Vs.加热成长的氧化层 加热成长 CVD ·氧来自气相的氧 ·氧和硅都来自气相 。硅来自基片 ·沉积在基片表面 ·薄膜成长氧进入基片 ·温度较低 。品质较高 ·成长速率较高 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 3 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 3 CVD氧化层vs.加热成长的氧化层 加热成长 • 氧来自气相的氧 • 硅来自基片 • 薄膜成长氧进入基片 • 品质较高 CVD • 氧和硅都来自气相 • 沉积在基片表面 • 温度较低 • 成长速率较高
介电质薄膜的应用 ·多层金属联机中当做器件隔离的介电质层 ·CVD和自旋涂布介电质加上CVD介电质 ·浅沟槽绝缘(STI) ·多晶金属硅化物匣即会形成侧壁空间层，这是形 成低掺杂汲极(LDD)和扩散缓冲层所需要的 ·钝化保护介电质层(PD) 。当图形尺寸小于0.25um,自旋涂布介电质抗反射 层镀膜(ARC)就不符合分辨率需求 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 4 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 4 介电质薄膜的应用 • 多层金属联机中当做器件隔离的介电质层 • CVD和自旋涂布介电质加上CVD介电质 • 浅沟槽绝缘(STI) • 多晶金属硅化物匣即会形成侧壁空间层，这是形 成低掺杂汲极( LDD)和扩散缓冲层所需要的 • 钝化保护介电质层(PD) • 当图形尺寸小于0.25um，自旋涂布介电质抗反射 层镀膜(ARC)就不符合分辨率需求
介电质薄膜的应用 。很多公司用介电质层(interlayer dielectric ；LD)代表金属层间介电质层，包含金属沉积 前的介电质层(PMD)和金属层间介电质层（IMD) 金属沉积前的介电质层：PMD -通常使用掺杂氧化物PSG或BPSG -温度受热积存限制 ·金属层间介电质层：IMD -使用USG或FSG -通常在温度400°℃沉积 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 5 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 5 介电质薄膜的应用 • 很多公司用介电质层(interlayer dielectric ；ILD)代表金属层间介电质层,包含金属沉积 前的介电质层(PMD)和金属层间介电质层(IMD) 金属沉积前的介电质层: PMD –通常使用掺杂氧化物PSG或BPSG –温度受热积存限制 • 金属层间介电质层: IMD –使用USG或FSG –通常在温度400C沉积