硅晶片上的Si02 二氧化硅(Si02) 硅晶片
二氧化硅(SiO2 ) 硅晶片 硅晶片上的SiO2
硅的掺杂 沉积步骤 驱入&扩散步骤 掺杂剂 硅片基板 活化步骤 掺质层 掺质原子扩散进入硅 晶片 , o
硅的掺杂 Si Si P Si Si Si Si PP PP 掺杂剂 晶片 掺质层 掺质原子扩散进入硅 沉积步骤 驱入 & 扩散步骤 硅片基板 活化步骤
硅掺杂 受体杂质 半导体 施体杂质 GroupIII(p型) Group IV Group V(n-型) 硼 5 碳 6 氨 7 铝 13 硅 14 磷 15 镓 31 锗 32 砷 33 铟 49 锡 50 锑 51 *割线元素使用於硅基板C制程
Group III (p型) 硼 5 铝 13 镓 31 铟 49 Group IV 碳 6 硅 14 锗 32 锡 50 Group V (n-型) 氮 7 磷 15 砷 33 锑 51 受体杂质 半导体 施体杂质 * 划线元素使用於硅基板的IC制程。 硅掺杂
掺杂磷以形成n型硅 过剩电子() 磷原子当作n型 的掺质 施主原子提供过剩电子以形成n型硅
施主原子提供过剩电子以形成n型硅 磷原子当作n型 的掺质 过剩电子(−) Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si P P P 掺杂磷以形成n型硅
n型硅中的自由电子流 电源正极 电源负极 自由电子流向正极
n型硅中的自由电子流 自由电子流向正极 电源正极 电源负极