常用於晶圆制造之族群化学元素特性 族群 特性 ·1价电子；容易释出电子；低阴电性 极不稳定 IA 活性极强；爆裂的 离子键形式 ·基于污染考虑，建议不要使用此族之金属 ·2价电子 相当不稳定 IIA 活性相当强 ·尽量避免使用此族金属 ·3价电子 IIIA 掺杂半导体材料之元素（主要为B) ·常见之内联机导体材料（如A1) 4价电子 IVA 半导体材料 共价键形式 Continued on next slide→
族 群 特 性 I A • 1 价电子；容易释出电子；低阴电性 • 极不稳定 • 活性极强；爆裂的 • 离子键形式 • 基于污染考虑，建议不要使用此族之金属 IIA • 2 价电子 • 相当不稳定 • 活性相当强 • 尽量避免使用此族金属 IIIA • 3 价电子 • 掺杂半导体材料之元素 (主要为 B ) • 常见之内联机导体材料 (如 Al) IVA • 4 价电子 • 半导体材料 • 共价键形式 常用於晶圆制造之族群化学元素特性 Continued on next slide
常用於晶圆制造之族群化学元素特性（续） 族群 特性 ·5价电子 VA 。 掺杂半导体材料之元素（主要为P和As) VIA ·6价电子 ·7价电子： 容易吸引电子；高阴电性 。腐蚀性 VIIA ● 活性极强 ·离子键形式 ·适合于半导体应用，如化合物之蚀刻及清洗 ·8价电子 VIIIA ·稳定；活性极弱 ·钝气 安全地用在半导体制造方面 ● B 最佳金属导体 ·Cu取代A1作为主要的内连接导体材料 ·常用于半导体制程之耐高温金属，可改善金属化制程（尤其是T, IVB-VIB W,Mo,Ta和Cr) 和硅反应稳定的化合物，具良好电性
族 群 特 性 V A • 5 价电子 • 掺杂半导体材料之元素 (主要为 P 和 A s) VIA • 6 价电子 VIIA • 7 价电子；容易吸引电子；高阴电性 • 腐蚀性 • 活性极强 • 离子键形式 • 适合于半导体应用，如化合物之蚀刻及清洗 VIIIA • 8 价电子 • 稳定；活性极弱 • 钝 气 • 安全地用在半导体制造方面 I B • 最佳金属导体 • C u 取 代 A l 作为主要的内连接导体材料 IVB – VIB • 常用于半导体制程之耐高温金属，可改善金属化制程 (尤其是 T i, W, Mo, Ta 和 C r) • 和硅反应稳定的化合物，具良好电性 常用於晶圆制造之族群化学元素特性(续)
具离子键的NaCl结构 Na+
具离子键的NaCl结构 ClNa+
HC1的共价键 H+CI→HCL-⊙ ⊙⊙ 氢原子 H 17 ⊙氯原子 2个原子共用一个电 子，形成共价键
- - - - - - - - - - - - - - - Cl 17 - - 氢原子 H 1 - 氯原子 H + Cl → HCl 2个原子共用一个电 子，形成共价键 HCl的共价键
主题 ·半导体是什么？ ·基本半导体组件 ·基本集成电路制程 15
15 主题 • 半导体是什么? • 基本半导体组件 • 基本集成电路制程