华灿光电股份有限公司2019年年度报告

华灿光电股份有限公司2019年年度报告 3.8 7倒装焊发光二极管硅基板及其制造方法 ZL20081004873 具有光子晶体侧向光提取器的发光二极管芯片 ZL20081023673发2008-12-2010-10 在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法 ZL20081023695发2008-12-2010-6-2 0.9 10一种提高发光二极管外量子效率的方法 ZL20091006131发2009-3-22013-7-320 11带热沉的LED芯片及其制造方法 ZL20091006202发2009-5-82011-4-120 4.9 12一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 3垂直结构发光二极管芯片结构及其制造方法 Z120091027257发2009-10-2012-1-220 1高效抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法 ZL20101018104发2010-5-12012-10-20 15一种湿法腐蚀与干法刻蚀向结合图形化蓝宝石的方法 ZL2011107848发|2011-3-32012-11 16一种纳米级PSs衬底制作方法 ZL20111033064发2011-10-2016-6-120 17一种简易纳米级PS衬底制备方法 ZL2011103064发2011-10-2016-12-20 明 种弯曲衬底侧面的发光二极管芯片及其制备方法 ZL201110199 发2011-7-12013-3-620 19一种通过湿法剥离GaN基外延层和蓝宝石衬底来制备垂直结构ZL2011021792发201-8-12013-9-420 发光二极管的方法 3.9 20一种氮化镓基发光二极管多量子阱的生长方法 21一种提高发光二极管发光效率的方法 ZL20111025871发2011-9-52014-4-320 22一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法 ZL2011103073发2011-10-2016-4-220 23提高ESD的复合naN层结构的制备方法 ZL2011103306发2011-10-2016-6-220 种用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台 ZL2011201492实2011-10-2012-8-110 8.6 新 种基于红绿光LED芯片的交通信号灯 16 chin乡 www.cninfocom.cn

华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 16 3.8 明 0 6 7 倒装焊发光二极管硅基板及其制造方法 ZL20081004873 9.4 发 明 2008-8-8 2010-2-1 7 20 8 具有光子晶体侧向光提取器的发光二极管芯片 ZL20081023673 4.4 发 明 2008-12- 9 2010-10- 13 20 9 在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法 ZL20081023695 0.9 发 明 2008-12- 22 2010-6-2 20 10 一种提高发光二极管外量子效率的方法 ZL20091006131 6.0 发 明 2009-3-2 7 2013-7-3 1 20 11 带热沉的LED芯片及其制造方法 ZL20091006202 4.9 发 明 2009-5-8 2011-4-1 4 20 12 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 ZL20091006276 8.0 发 明 2009-6-2 2 2012-5-3 0 20 13 垂直结构发光二极管芯片结构及其制造方法 ZL20091027257 9.6 发 明 2009-10- 30 2012-1-2 5 20 14 高效抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法 ZL20101018104 8.9 发 明 2010-5-1 9 2012-10- 3 20 15 一种湿法腐蚀与干法刻蚀向结合图形化蓝宝石的方法 ZL20111007848 0.X 发 明 2011-3-3 0 2012-11- 7 20 16 一种纳米级PSS衬底制作方法 ZL20111033064 8.1 发 明 2011-10- 27 2016-6-1 20 17 一种简易纳米级PSS衬底制备方法 ZL20111033064 7.7 发 明 2011-10- 27 2016-12- 14 20 18 一种弯曲衬底侧面的发光二极管芯片及其制备方法 ZL20111019912 7.7 发 明 2011-7-1 8 2013-3-6 20 19 一种通过湿法剥离GaN基外延层和蓝宝石衬底来制备垂直结构 发光二极管的方法 ZL20111021792 3.9 发 明 2011-8-1 2013-9-4 20 20 一种氮化镓基发光二极管多量子阱的生长方法 ZL20111025869 2.6 发 明 2011-9-5 2013-3-2 7 20 21 一种提高发光二极管发光效率的方法 ZL20111025871 8.7 发 明 2011-9-5 2014-4-3 0 20 22 一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法 ZL20111033073 6.1 发 明 2011-10- 27 2016-4-2 0 20 23 提高ESD的复合n-GaN层结构的制备方法 ZL20111033066 4.0 发 明 2011-10- 27 2016-6-2 2 20 24 一种用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台 ZL20112041492 8.6 实 用 新 型 2011-10- 27 2012-8-1 10 25 一种基于红绿光LED芯片的交通信号灯 ZL20112041493 0.3 实 用 新 型 2011-10- 27 2012-6-6 10

华灿光电股份有限公司2019年年度报告 26侧光式背光模组 ZL20112041494实2011-10-2012-6-610 用 27一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 ZL20141078816发2014-12-2017-10-20 28半导体发光二级管及其制造方法 ZL20121005638发2012-3-62015-6-2 29一种回收图形化蓝宝石衬底的方法 ZL20121005675发2012-3-72014-7-920 30一种提高载流子复合效率的多量子阱中的垒的结构 ZL20121012239发2012-4-22015-7-820 3.4 31渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管 ZL20121012239发|2012-4-22014-5-720 2.X 32LED芯片的制造方法 2201210097发2012-4-12014-12-20 33一种GN基LE量子阱有源区的外延生长方法 ZL20121018994发2012-6-12015-4-120 种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20121022472发2012-7-22015-5-220 35一种倒三角形发光二极管芯片的制作方法 ZL2012020867发2012-6-22014-12-20 0.3 种透明导电层和发光二极管 ZL2012203380实2012-7-12013-2-110 用 37一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20121024097发2012-7-12015-9-220 38一种晶圆的裂片装置和方法 ZL20121027314发2012-8-22015-4-220 39一种高压发光二极管芯片 ZL20122039941实2012-8-12013-2-110 40一种发光二极管的芯片及该芯片的制备方法 ZL20121056389发2012-12-2015-12-20 种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20121031843发2012-8-32016-2-320 种发光二极管芯片 ZL20122047612实2012-9-12013-3-210 用新型 「4一种提高GN基LE发光效率的外延方法 ZL20121029922 2015-2-1 chin乡 www.cninfocom.cn

华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 17 26 侧光式背光模组 ZL20112041494 1.1 实 用 新 型 2011-10- 27 2012-6-6 10 27 一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 ZL20141078816 3.0 发 明 2014-12- 17 2017-10- 3 20 28 半导体发光二级管及其制造方法 ZL20121005638 2.0 发 明 2012-3-6 2015-6-2 4 20 29 一种回收图形化蓝宝石衬底的方法 ZL20121005675 6.9 发 明 2012-3-7 2014-7-9 20 30 一种提高载流子复合效率的多量子阱中的垒的结构 ZL20121012239 3.4 发 明 2012-4-2 5 2015-7-8 20 31 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管 ZL20121012239 2.X 发 明 2012-4-2 5 2014-5-7 20 32 LED芯片的制造方法 ZL20121009327 1.7 发 明 2012-4-1 2014-12- 24 20 33 一种GAN基LED量子阱有源区的外延生长方法 ZL20121018994 1.5 发 明 2012-6-1 1 2015-4-1 20 34 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20121022472 3.0 发 明 2012-7-2 2015-5-2 0 20 35 一种倒三角形发光二极管芯片的制作方法 ZL20121020867 0.3 发 明 2012-6-2 1 2014-12- 10 20 36 一种透明导电层和发光二极管 ZL20122033804 4.1 实 用 新 型 2012-7-1 2 2013-2-1 3 10 37 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20121024097 6.7 发 明 2012-7-1 2 2015-9-2 3 20 38 一种晶圆的裂片装置和方法 ZL20121027314 4.5 发 明 2012-8-2 2015-4-2 2 20 39 一种高压发光二极管芯片 ZL20122039941 5.7 实 用 新 型 2012-8-1 3 2013-2-1 3 10 40 一种发光二极管的芯片及该芯片的制备方法 ZL20121056389 4.6 发 明 2012-12- 21 2015-12- 9 20 41 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20121031843 7.0 发 明 2012-8-3 1 2016-2-3 20 42 一种发光二极管芯片 ZL20122047612 9.6 实 用 新 型 2012-9-1 7 2013-3-2 7 10 43 一种提高GaN基LED发光效率的外延方法 ZL20121029922 发 2012-8-2 2015-2-1 20

华灿光电股份有限公司2019年年度报告 44一种发光三极管芯片的外延层生长方法 ZL20121031244 种发光二极管的外延片以及发光二极管 ZL20121038425发2012-10-2015-9-320 46一种蓝绿光二极管外延片及其制造方法 ZL20121039426发2012-10-2015-4-220 47一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL2012105444发2012-12-2015-4-1|20 48一种发光二极管芯片及其制备方法 ZL20121053761发2012-12-2016-4-220 7.8 49一种发光二极管外延片及其制备方法 ZL20121054092发2012-12-2016-6-120 50一种发光二极管外延片及其制备方法 ZL2012105447发2012-12-2016-6-120 51一种发光二极管外延片 ZL20121043818发2012-11-2016-2-120 6 52一种半导体探测器 ZL20122069068实2012-12-2013-8-210 53一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20121054600发2012-12-2015-12 9.3 54一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL20131004074发2013-2-12015-10-20 55一种GaN基外延片衬底的回收方法 ZL20131002187发2013-1-22016-3-220 种GaN基探测器 Z12013202761实2013-5-22013-9-410 用 57一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20131015677发2013-4-22016-1-2 58一种正装结构的发光二极管外延片 ZL20132032499实2013-6-62014-3-210 8.1 用 59发光二极管外延片及其制造方法 ZL20131018869发2013-5-22017-7-220 60一种发光二极管的外延片 ZL20131022037发2013-6-62016-8-120 2.0 61一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法 ZL20131028219发2013-7-52016-8-120 chin乡 www.cninfocom.cn

华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 18 1.4 明 2 1 44 一种发光二极管芯片的外延层生长方法 ZL20121031244 1.6 发 明 2012-8-2 9 2015-12- 9 20 45 一种发光二极管的外延片以及发光二极管 ZL20121038425 0.0 发 明 2012-10- 10 2015-9-3 0 20 46 一种蓝绿光二极管外延片及其制造方法 ZL20121039426 7.4 发 明 2012-10- 17 2015-4-2 2 20 47 一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL20121054449 5.5 发 明 2012-12- 13 2015-4-1 20 48 一种发光二极管芯片及其制备方法 ZL20121053761 7.8 发 明 2012-12- 12 2016-4-2 0 20 49 一种发光二极管外延片及其制备方法 ZL20121054092 0.3 发 明 2012-12- 12 2016-6-1 20 50 一种发光二极管外延片及其制备方法 ZL20121054417 3.0 发 明 2012-12- 13 2016-6-1 20 51 一种发光二极管外延片 ZL20121043818 1.7 发 明 2012-11- 6 2016-2-1 7 20 52 一种半导体探测器 ZL20122069068 5.3 实 用 新 型 2012-12- 12 2013-8-2 8 10 53 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20121054600 9.3 发 明 2012-12- 14 2015-12- 9 20 54 一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL20131004074 6.0 发 明 2013-2-1 2015-10- 28 20 55 一种GaN基外延片衬底的回收方法 ZL20131002187 6.X 发 明 2013-1-2 1 2016-3-2 20 56 一种GaN基探测器 ZL20132027641 6.7 实 用 新 型 2013-5-2 0 2013-9-4 10 57 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20131015677 3.4 发 明 2013-4-2 8 2016-1-2 0 20 58 一种正装结构的发光二极管外延片 ZL20132032499 8.1 实 用 新 型 2013-6-6 2014-3-2 6 10 59 发光二极管外延片及其制造方法 ZL20131018869 4.1 发 明 2013-5-2 1 2017-7-2 5 20 60 一种发光二极管的外延片 ZL20131022037 2.0 发 明 2013-6-6 2016-8-1 0 20 61 一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法 ZL20131028219 2.5 发 明 2013-7-5 2016-8-1 0 20

华灿光电股份有限公司2019年年度报告 62一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 ZL20131032971发2013-7-32016-2-320 2.3 明 63半导体发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20131028055发2013-7-52016-12 64氮化镓基发光二极管 ZL20132044768实2013-7-22013-10 6.X 用新型 65si衬底GaN基发光三极管外延片及其制作方法 Z120131039131发2013-8-32016-1-220 66一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 ZL20131043585发2013-9-12016-10-20 6.7 种发光二极管芯片及其制作方法 ZL20131043589发2013-9-22017-4-220 68一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 22013103636发2013-8-32016-4-220 69一种发光二极管芯片 ZL20132061326实2013-9-22014-3-210 0.7 用新型 70一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 ZL20131039650发2013-9-32017-3-820 71适用于LE测试机的辅助吹气装置 ZL20132056953实2013-9-12014-3-510 用新型 72高光效发光二极管芯片及其制备方法 ZL20131055225发2013-1-2016-8-120 73具有对称电极的倒装发光二极管及其制作方法 ZL20131056058发2013-1-2016-4-120 74一种氮化镓发光二极管及其制备方法 ZL20131043492 2013-9-22016-6-220 75一种发光二极管的外延片及其制作方法 ZL20131059367发2013-1-2016-5-220 6一种GaN基白光发光二极管及其制备方法 ZL2013105531发2013-1-2016-8-320 77一种图形化的蓝宝石衬底 Z120132070357实2013-11-2014-5-710 78半导体发光器件 ZL20132074605实2013-11-2014-5-710 用 chin乡 www.cninfocom.cn

华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 19 62 一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 ZL20131032971 2.3 发 明 2013-7-3 1 2016-2-3 20 63 半导体发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20131028055 3.2 发 明 2013-7-5 2016-12- 28 20 64 氮化镓基发光二极管 ZL20132044768 6.X 实 用 新 型 2013-7-2 5 2013-10- 31 10 65 Si衬底GaN基发光二极管外延片及其制作方法 ZL20131039131 0.6 发 明 2013-8-3 0 2016-1-2 0 20 66 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 ZL20131043585 6.7 发 明 2013-9-1 3 2016-10- 19 20 67 一种发光二极管芯片及其制作方法 ZL20131043589 5.7 发 明 2013-9-2 3 2017-4-2 6 20 68 一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 ZL20131038636 4.3 发 明 2013-8-3 0 2016-4-2 0 20 69 一种发光二极管芯片 ZL20132061326 0.7 实 用 新 型 2013-9-2 9 2014-3-2 6 10 70 一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 ZL20131039650 4.5 发 明 2013-9-3 2017-3-8 20 71 适用于LED测试机的辅助吹气装置 ZL20132056953 1.3 实 用 新 型 2013-9-1 3 2014-3-5 10 72 高光效发光二极管芯片及其制备方法 ZL20131055225 5.4 发 明 2013-11- 8 2016-8-1 7 20 73 具有对称电极的倒装发光二极管及其制作方法 ZL20131056058 1.X 发 明 2013-11- 12 2016-4-1 3 20 74 一种氮化镓发光二极管及其制备方法 ZL20131043492 6.7 发 明 2013-9-2 3 2016-6-2 6 20 75 一种发光二极管的外延片及其制作方法 ZL20131059367 1.9 发 明 2013-11- 21 2016-5-2 5 20 76 一种GaN基白光发光二极管及其制备方法 ZL20131055231 1.4 发 明 2013-11- 8 2016-8-3 20 77 一种图形化的蓝宝石衬底 ZL20132070357 2.7 实 用 新 型 2013-11- 8 2014-5-7 10 78 半导体发光器件 ZL20132074605 6.2 实 用 新 2013-11- 21 2014-5-7 10

华灿光电股份有限公司2019年年度报告 79一种发光二极管制造方法及采用该方法制得的发光二极管Z20131068122 80一种具有全方位反射镜的发光二极管 ZL2014200222实2014-1-12014-7-110 新 型 81一种发光二极管外延片及其制作方法 2L20110119发2014-3-22016-8-120 82一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 ZL20141011140发2014-3-22016-10 83发光二极管外延片及其制造方法 ZL20141007206发2014-2-22018-1-120 明 8 84图形化蓝宝石衬底及其制作方法、外延片的制作方法 ZL20141004354发2014-1-22017-6-220 85一种白光发光二极管LED及其LE芯片 ZL2014202731实2014-5-22014-12-10 4.7 用 新 型 86具备分布式布拉格反射镜的发光二极管外延片的返工方法Z1201401779发2014-4-22017-5-320 87一种发光二极管外延片及其制造方法 ZL2014102225发2014-5-22017-6-32 88一种白光发光二极管LED及其LE芯片 ZL20142027308实2014-5-22014-10-10 8.X 用 89一种发光二极管的外延结构 ZL2014103597发2014-5-32017-5-320 90GaN基发光二极管的外延片及其制作方法 ZL20141023569发2014-5-32017-2-120 91|一种发光二极管外延片及其制造方法 ZL2014026134发2014-6-12018-3-620 92一种发光二极管外延片及其制作方法 ZL20141026064发2014-6-12017-11-20 93一种发光二极管外延片及其制造方法 ZL2014107052发2014-6-12017-9-120 种倒装发光二极管芯片及其制造方法 ZL20141027421发2014-6-12018-6-120 种发光二极管外延片及其制造方法 ZL20141032648发2014-7-92018-1-920 0.0 种发光二极管外延片及其制作方法 ZL201410389发2014-7-92017-4-220 3.7 chin乡 www.cninfocom.cn

华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 20 型 79 一种发光二极管制造方法及采用该方法制得的发光二极管 ZL20131068122 4.9 发 明 2013-12- 13 2016-8-3 20 80 一种具有全方位反射镜的发光二极管 ZL20142002221 3.X 实 用 新 型 2014-1-1 5 2014-7-1 6 10 81 一种发光二极管外延片及其制作方法 ZL20141011179 3.4 发 明 2014-3-2 4 2016-8-1 7 20 82 一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 ZL20141011140 4.8 发 明 2014-3-2 4 2016-10- 5 20 83 发光二极管外延片及其制造方法 ZL20141007206 4.2 发 明 2014-2-2 8 2018-1-1 2 20 84 图形化蓝宝石衬底及其制作方法、外延片的制作方法 ZL20141004354 4.6 发 明 2014-1-2 9 2017-6-2 7 20 85 一种白光发光二极管LED及其LED芯片 ZL20142027341 4.7 实 用 新 型 2014-5-2 6 2014-12- 10 10 86 具备分布式布拉格反射镜的发光二极管外延片的返工方法 ZL20141017793 2.3 发 明 2014-4-2 9 2017-5-3 20 87 一种发光二极管外延片及其制造方法 ZL20141022215 5.X 发 明 2014-5-2 3 2017-6-3 0 20 88 一种白光发光二极管LED及其LED芯片 ZL20142027308 8.X 实 用 新 型 2014-5-2 6 2014-10- 29 10 89 一种发光二极管的外延结构 ZL20141023597 6.7 发 明 2014-5-3 0 2017-5-3 20 90 GaN基发光二极管的外延片及其制作方法 ZL20141023569 0.9 发 明 2014-5-3 0 2017-2-1 5 20 91 一种发光二极管外延片及其制造方法 ZL20141026134 2.9 发 明 2014-6-1 2 2018-3-6 20 92 一种发光二极管外延片及其制作方法 ZL20141026064 4.4 发 明 2014-6-1 2 2017-11- 14 20 93 一种发光二极管外延片及其制造方法 ZL20141027052 7.6 发 明 2014-6-1 7 2017-9-1 5 20 94 一种倒装发光二极管芯片及其制造方法 ZL20141027421 9.0 发 明 2014-6-1 8 2018-6-1 20 95 一种发光二极管外延片及其制造方法 ZL20141032648 0.0 发 明 2014-7-9 2018-1-9 20 96 一种发光二极管外延片及其制作方法 ZL20141033839 3.7 发 明 2014-7-9 2017-4-2 6 20