福州大学：《大学物理》课程教学资源（PPT课件讲稿，电磁场、热学）12 磁介质中的高斯定理和安培环路定理

嗷介质的磁化 嗷介质中的高斯定 理和安培环路定理

1 磁介质的磁化 磁介质中的高斯定 理和安培环路定理

磁介质的磁化现象 凡是能与磁场发生相互作用的物质叫磁介质。 磁场中放入磁介质→磁介质发生磁化一出现磁化电流 产生附加磁场 磁介质内部的总场强B=B+B′ B 在各向同性均匀介质中:B=B0即 B 称为相对磁导率。 介质中的磁感应强度 磁介质的分类 是真空中的倍。 顺磁介质:B>B0,n>1 抗磁介质:B<B,0<1<1 铁磁介质:B>B0,>>1

2 磁场中放入磁介质 磁介质发生磁化 出现磁化电流 一、磁介质的磁化现象 磁介质的分类 凡是能与磁场发生相互作用的物质叫磁介质。 在各向同性均匀介质中： B = B + B    磁介质内部的总场强 0 B r B0   =  介质中的磁感应强度 是真空中的r倍。 顺磁介质： 抗磁介质: 铁磁介质: B  B0 ,r 1   B  B0 ,0  r 1   B  B0 ,r 1   r B B =  0   即 r 称为相对磁导率。 产生附加磁场

介质中的高斯定理 磁介质放在磁场中,磁介质受到磁场的作用产生 附加磁场。 任一点的总磁强为:B=B+B 磁力线无头无尾。穿过任何一个闭合曲面的磁通 量为零。任BS=0 、磁介质中的安培环路定理 1磁介质中的安培环路定理 在真空中的安培环路定理中:4B0d=14∑ 在介质中:f:d=A12∑士 磁化电沉> 之传导电流 有磁介质的总磁场

3 二、介质中的高斯定理 磁介质放在磁场中，磁介质受到磁场的作用产生 附加磁场。 ' B B0 B    任一点的总磁强为： = + 磁力线无头无尾。穿过任何一个闭合曲面的磁通 量为零。  = 0  B dS s   二、磁介质中的安培环路定理 1.磁介质中的安培环路定理 在真空中的安培环路定理中：  B  dl = I 0 0   在介质中： ( ) 0 Bdl = I + I      传导电流 有磁介质的总磁场 磁化电流

在介质中:∮2=A∑士 磁化电流> 有磁介质的总磁场 传导电流> 可以象究电介质与电场的相互影响一样,通过 引入适当的物理量加以简化。 在各向同性均 匀介质中: B=AB→∑(+1)=∑ ∮d=A42 B。→→1-→B b=btB B ∑ D6=∑ fd=∑1·定义:磁场强度h=B

4 在介质中： ( ) 0 Bdl = I + I       Bdl = I 0 r   传导电流 有磁介质的总磁场   = L L r dl I B   0    =  L L H dl I   • 定义：磁场强度 r B H 0    = 在各向同性均 匀介质中： B r B0   =  磁化电流  I + I = I r ( ) 可以象研究电介质与电场的相互影响一样，通过 引入适当的物理量加以简化。   =  S S D dS q0   B0  ' B B0 B    = + I B' 

5厅d=∑ 定义:磁场强度 B 磁介质中的环路定理 H 物理意义:磁场强度沿闭合路径的线积分,等于环路 所包围的传导电流的代数和。 2明确几点: ①.H是一辅助物理量,描述磁场的基本物理量仍然 是B。H是为消除磁化电流的影响而引入的, B和H的名字张冠李戴了 ②磁场强度的单位:安培/米,A/m ③.H是环路内、外电流共同产生的

5 • 定义：磁场强度 r B H 0    =   =  L L H dl I   物理意义：磁场强度沿闭合路径的线积分，等于环路 所包围的传导电流的代数和。 ①. 是一辅助物理量，描述磁场的基本物理量仍然 是 。 是为消除磁化电流的影响而引入的， H  B  H  2.明确几点： B 和 的名字张冠李戴了。  H  磁介质中的环路定理 ②.磁场强度的单位：安培/米，A/m ③. H是环路内、外电流共同产生的。 