第四章三极管及放大电路基础 半导体BJT:BJT结构，电流分配关系，BT 的特性曲线，BJT的主要参数 放大电路：静态工作情况分析，近似估算Q 点， 动态工作情况分析，交流负载线，BT 的三种基本组态的比较。 小信号模型分析法：小信号等效电路 放大电路的频率响应：RC低通/高通电路的 频率响应，幅频响应，相频响应，截止频 率，特征频率，增益带宽 16
16 第四章三极管及放大电路基础 v 半导体BJT： BJT结构，电流分配关系， BJT 的特性曲线， BJT的主要参数 v 放大电路：静态工作情况分析，近似估算Q 点，动态工作情况分析，交流负载线， BJT 的三种基本组态的比较。 v 小信号模型分析法：小信号等效电路 v 放大电路的频率响应： RC低通/高通电路的 频率响应，幅频响应，相频响应，截止频 率，特征频率，增益带宽
NPN型BJT结构 冬NPN型BJT是由两个PN结，中间是一块很簿的P型半 导体，两边各为一块N型半导体。 从三块半导体上接出一根引线作为三个电极，分别叫 做发射极e、基极b和集电极c,对应的每块半导体称 为发射区、基区和集电区。 集电极 N 集电区 集电结 b 基极 基区 发射结 N N 发射区 17 发射极
17 NPN型BJT结构 v NPN型BJT是由两个PN结，中间是一块很簿的P型半 导体，两边各为一块N型半导体。 v 从三块半导体上接出一根引线作为三个电极，分别叫 做发射极e、基极b和集电极c，对应的每块半导体称 为发射区、基区和集电区
电流分配关系 发射极的总电流与发射结的电压y成指数关系 ig=Igs e'selV,-1) ?集电结收集的电子流是发射结发射的总电子流的一部 分，常用一系数0来表示，即 ic aie ig ic ig a 1、 =B (1-a)ip 18
18 电流分配关系 v 发射极的总电流与发射结的电压vBE成指数关系 = ( - 1) VBE VT E ES i I e / v 集电结收集的电子流是发射结发射的总电子流的一部 分，常用一系数a来表示，即 ( ) b a a a a a = - = - = = + = 1 1 E E B C E C B C E i i i i i i i i i
共射极电路的输入特性曲线 输入特性是指当集电极与发射极之间的电压'为常 数时，加在BT基极与发射极之间的电压'5与基极电 流之间的关系曲线，用函数关系表示为 B/μA B=fyBE)E=芹数 25℃ 80 60 20 0. 0.4 0.6 0.8 /V 19
19 共射极电路的输入特性曲线 v 输入特性是指当集电极与发射极之间的电压vCE为常 数时，加在BJT基极与发射极之间的电压vBE与基极电 流i B之间的关系曲线，用函数关系表示为 = ( ) = 常数 CE B BE v i f v
共射极电路的输出特性 输出特性是在基极电流一定的情况下，集电极与发 射极之间的电压'c与集电极电流ic之间的关系曲线， 用函数表示为 ic/mA ic=fEi-帝数 100 25℃ 80 60 40 i8=20 uA UCE/V 20
20 共射极电路的输出特性 v 输出特性是在基极电流i B一定的情况下，集电极与发 射极之间的电压vCE与集电极电流i C之间的关系曲线， 用函数表示为 iC = f ( vCE ) iB = 常数