第四章 双极结型三极管及放 大电路基础 2010年3月26日
1 第四章 双极结型三极管及放 大电路基础 2010年3月26日
§4-1双极性结型晶体管 BJT(Bipolar Junction Transistor)常称为双极性结型晶体 管，简称晶体管或三极管，它的种类很多： 1. 按照频率分：有高频管、低频管； 2. 按照功率分：有小、中、大功率管； 3. 按照半导体材料分：有硅管、锗管等等。 4. 按类型分：BJT分成两种类型，NPN型和PNP型。 2
2 §4-1 双极性结型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）常称为双极性结型晶体 管，简称晶体管 或三极管，它的种类很多: 1. 按照频率分：有高频管、低频管； 2. 按照功率分：有小、中、大功率管； 3. 按照半导体材料分：有硅管、锗管等等。 4. 按类型分：BJT分成两种类型，NPN型和PNP型
NPN型BJT结构 NPN型BJT是由两个PN结，中间是一块很簿的P型半导体（几微 米-几十微米)，两边各为一块N型半导体。 从三块半导体上接出一根引线作为三个电极，分别叫做：发射 极、基极b和集电极c,对应的每块半导体称为发射区、基区和 集电区。 ?发射区比集电区掺的杂质多，集电区的面积比发射区的大，因 此它们不是对称的。 集电极 集电区 集电结 b 基极 基区 N 发射结 发射区 3 发射极
3 NPN型BJT结构 NPN 型BJT是由两个PN结，中间是一块很簿的 P型半导体 (几微 米 -几十微米 )，两边各为一块 N型半导体。 从三块半导体上接出一根引线作为三个电极，分别叫做：发射 极 e 、基极 b 和集电极 c，对应的每块半导体称为发射区、基区和 集电区。 发射区比集电区掺的杂质多，集电区的面积比发射区的大，因 此它们不是对称的
NPN型BJT结构 当两块不同类型的半导体结合在一起时，交界处就会形成PN结。 BJT有两个PN结：发射区与基区交界处的PN结称为发射结，集 电区与基区交界处的PN结称为集电结，两个PN结通过很薄的基 区联系。 在N型硅片氧化膜上光刻一个窗口，进行硼杂质扩散，获得P型 基区，再在P型半导体上光刻一窗口，进行高浓度的磷扩散，获 得N型发射区，表面是一层二氧化硅保护层，N型衬底用作集电 极。 大部分NPN型硅BJT都属于这种结构。 4
4 NPN型BJT结构 当两块不同类型的半导体结合在一起时，交界处就会形成PN结。 BJT有两个PN结：发射区与基区交界处的PN结称为发射结，集 电区与基区交界处的PN结称为集电结，两个PN结通过很薄的基 区联系。 在 N型硅片氧化膜上光刻一个窗口，进行硼杂质扩散，获得 P 型 基区，再在 P型半导体上光刻一窗口，进行高浓度的磷扩散，获 得 N型发射区，表面是一层二氧化硅保护层， N型衬底用作集电 极。 大部分NPN型硅BJT都属于这种结构
PNP型BJT结构 PNP型BJT是由两个PN结的三层半导体制成的，不过PNP的中 间是N型半导体，两边是P型半导体。 NPN和PNP型BJT具有几乎等同的特性，只不过各电极端的电压 极性和电流流向不同。 集电极 P 集电区 巢电结 o 基极 基区 b P 发射结 发射区 e发射极 5 (a） (6)
5 PNP型BJT结构 PNP 型BJT是由两个PN结的三层半导体制成的，不过PNP的中 间是 N型半导体，两边是 P型半导体。 NPN 和PNP 型BJT具有几乎等同的特性，只不过各电极端的电压 极性和电流流向不同