正光刻胶 ·曝光的部分溶解于显影剂 ·正光刻胶的图像和光罩上的图像相同 ·分辨率较高 ·通常在IC生产工厂使用 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 16 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 16 正光刻胶 • 曝光的部分溶解于显影剂 • 正光刻胶的图像和光罩上的图像相同 • 分辨率较高 • 通常在IC生产工厂使用
正光刻胶 ·主要是酚醛树脂 ·醋酸盐类的溶剂 ·感光剂是一种溶解抑制剂，会交连在树脂 中 ·曝光过程的光能会分解感光剂并破坏交连 结构 ·使曝光的树脂变的能够溶解在液态的基底 溶液（显影剂） Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 17 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 17 正光刻胶 • 主要是酚醛树脂 • 醋酸盐类的溶剂 • 感光剂是一种溶解抑制剂，会交连在树脂 中 • 曝光过程的光能会分解感光剂并破坏交连 结构 • 使曝光的树脂变的能够溶解在液态的基底 溶液(显影剂)
问题 ·既然正光刻胶比负光刻胶可以达到较高的 分辨率，在1980年代之前为何人们不使用 。正光刻胶的价格较负光刻胶高，因此负光 刻胶是被使用的对象，直到最小的图案内 容达到3mm才被正光刻胶取代. Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 18 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 18 问题 • 既然正光刻胶比负光刻胶可以达到较高的 分辨率，在1980年代之前为何人们不使用 ? • 正光刻胶的价格较负光刻胶高，因此负光 刻胶是被使用的对象，直到最小的图案内 容达到3mm 才被正光刻胶取代
光刻胶的要项 ·高分辨率 -光刻胶越薄，分辨率越高 一光刻胶越薄，对抗蚀刻和离子注入能力也越 ·抗蚀刻能力高 。好的附着力 ·工艺的自由度较大 -对于工艺条件改变的容忍度也越大（工艺较 稳定) Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 19 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 19 光刻胶的要项 • 高分辨率 –光刻胶越薄，分辨率越高 –光刻胶越薄，对抗蚀刻和离子注入能力也越 • 抗蚀刻能力高 • 好的附着力 • 工艺的自由度较大 –对于工艺条件改变的容忍度也越大(工艺较 稳定)
光刻胶的物理性质 ·光刻胶必须承受的工艺条件 ·涂布，旋转，烘烤，显影 ·蚀刻阻抗 ·遮蔽离子注入工艺 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 20 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 20 光刻胶的物理性质 • 光刻胶必须承受的工艺条件 • 涂布,旋转, 烘烤,显影. • 蚀刻阻抗 • 遮蔽离子注入工艺