2.1半导体二极管、三极管 和MOS管的开关特性 2.1.1理想开关的开关特性 一、静态特性 S K ①断开 ②闭合 ROFF =0,IOFF =0 RON =0,UAK=0
2. 1. 1 理想开关的开关特性 一、 静态特性 ① 断开 ROFF = ， I OFF = 0 ② 闭合 0 0 RON = ，UAK = S A K 2. 1 半导体二极管 、三极管 和 MOS 管的开关特性
DI 2.1半导体二极管、三极管 和MOS管的开关特性 2.1.1理想开关的开关特性 二、动态特性 S 。6 ① 开通时间：（断开一闭合）tom=0 ②关断时间：（闭合一断开）tor=0 普通开关：静态特性好，动态特性差 半导体开关：静态特性较差，动态特性好 几百万秒 几千方秒爆
2. 1. 1 理想开关的开关特性 S A K 2. 1 半导体二极管 、三极管 和 MOS 管的开关特性 二、动态特性 ① 开通时间： 0 t on = ② 关断时间： 0 t off = （断开 闭合） （闭合 断开） 普通开关：静态特性好，动态特性差 半导体开关：静态特性较差，动态特性好 几百万/秒 几千万/秒
2.1.2半导体二极管的开关特性 一、静态特性 1.结构示意图、符号和伏安特性D/mA↑ 正向 A。 P☒：+N区 K 反向 导通区 阳极 -✉++ 阴极 截止区 PN结 U BR) +U 0 0.50.7 Up/V A。 反向 击穿区 ①外加正向电压（正偏） 硅二极管伏安特性 二极管导通（相当于开关闭合） Uo≈0.7V ②外加反向电压（反偏） Up<0.5 V 二极管截止（相当于开关断开） ID≈0
2. 1. 2 半导体二极管的开关特性 一、静态特性 ① 外加正向电压(正偏) 二极管导通(相当于开关闭合) UD 0.7 V ② 外加反向电压(反偏) UD 0.5 V 二极管截止(相当于开关断开) I D 0 硅二极管伏安特性 阴极 A 阳极 K PN结 - A K + UD D I P区 N区 + + + + + + + + - - - - - - - - 正向 反向 导通区 截止区 反向 击穿区 0.5 0.7 ID /mA UD /V 0 U(BR) 1. 结构示意图、符号和伏安特性
2.二极管的开关作用： 0.7V [例]电路如图所示， 41=-2V或3V 试判别二极管的工作 D 状态及输出电压。 [解]41=U1L=-2V二极管截止 uo=0V 41=U1m=3V二极管导通 uo 2.3 V
D + - uI + - uO 2. 二极管的开关作用： [例] uI = UI L = −2 V uO = 0 V uI = UI H = 3 V uO = 2.3 V 电路如图所示， uI = − 2 V 或 3 V 试判别二极管的工作 状态及输出电压。 二极管截止 二极管导通 [解] 0.7 VD + -
二、动态特性 电容效应使二极管 1.二极管的电容效应 的通断需要一段延 结电容C; 迟时间才能完成 扩散电容CD 2.二极管的开关时间 ton一开通时间 tor一关断时间 ton<<tofr(trr)≤5ns (反向恢复时间) 00
二、动态特性 1. 二极管的电容效应 结电容 C j 扩散电容 C D 2. 二极管的开关时间 on t of f t 电容效应使二极管 的通断需要一段延 迟时间才能完成 t uI D i t 0 0 (反向恢复时间) ( ) 5 ns o n off rr t t t ≤ ton — 开通时间 toff — 关断时间