3.6只读存储器 (ROM) 掩模ROM 分类 可编程ROM(PROM一Programmable ROM) 可擦除可编程ROM(EPROM一Erasable PROM) 说明： 掩模ROM 生产过程中在掩模板控制下写入，内容固定， 不能更改 PROM 内容可由用户编好后写入，一经写入不能更改 紫外光擦除（约二十分钟） EPROM 存储数据可以更改，但改写麻烦，工作时只读 EEPROM或E2PROM电擦除（几十毫秒）
3.6 只读存储器（ROM） 分类 掩模 ROM 可编程 ROM（PROM — Programmable ROM） 可擦除可编程ROM（EPROM — Erasable PROM） 说明: 掩模 ROM PROM 生产过程中在掩模板控制下写入，内容固定， 不能更改 内容可由用户编好后写入，一经写入不能更改 紫外光擦除（约二十分钟） EPROM 存储数据可以更改，但改写麻烦，工作时只读 EEPROM 或 E2PROM 电擦除（几十毫秒）
☒DI 3.6.1ROM的结构和工作原理 一、ROM的结构示意图 1.基本结构 数据输出 Do Di An-1~A一n位地址 。●●●●● D-1~D,一b位数据 Do D1 2nX b ROM 最高位 最低位 Ao A1 地址输入
3.6.1 ROM 的结构和工作原理 1. 基本结构 一、ROM 的结构示意图 地址输入 数据输出 An−1 ~ A0 — n 位地址 Db−1 ~ D0 — b 位数据 A0 A1 An-1 D0 D1 Db-1 D0 D1 Db-1 A0 A1 An-1 2 n×b ROM . . . . 最高位 最低位
DI 2.内部结构示意图 地址译码器 存储单元 W o 0单元 1单元 地址输 W 线 i单元 n-1 W2-1 2n-1单元 位线 Do D1 D6-1 数据输出 ROM存储容量=字线数×位线数=2"×b（⑥
2. 内部结构示意图 存储单元 数据输出 字 线 位线 地址译码器 ROM 存储容量 = 字线数 位线数 = 2n b（位） 地 址 输 入 0单元 1单元 i单元 2 n-1单元 D0 D1 Db-1 A0 A1 An-1 W0 W1 Wi W2 n -1
3.逻辑结构示意图 ()中、大规模集成电路中逻辑图简化画法的约定 ABCD HHD & B Q Y=4.B.D HD-。 或门 A B Y=A+B+C ★ 连上且为硬连接，不能通过编程改变 米 编程连接，可以通过编程将其断开 十断开
3. 逻辑结构示意图 (1) 中、大规模集成电路中逻辑图简化画法的约定 连上且为硬连接，不能通过编程改变 编程连接，可以通过编程将其断开 断开 Y = A B D A B C D A B D Y & Y = A+ B+C A B C Y ≥1 与门 或门
D I 缓冲器 0 4 Y=A 回方可 同相输出 反相输出 互补输出
A Y=A A Y=A Z=A Y=A A A Y 1 A 1 Y A 1 Y Z 缓冲器 同相输出 反相输出 互补输出