2.1.3半导体三极管的开关特性 一、静态特性 （电流控制型） 1.结构、符号和输入、输出特性(Transistor) (1)结构示意图和符号 集电极collector 集电结 基极 base 发射结 发射极emitter NPN
一、静态特性 NPN 2. 1. 3 半导体三极管的开关特性 发射结 集电结 发射极 emitter 基极 base 集电极 collector b iB iC e c (电流控制型) 1. 结构、符号和输入、输出特性 N N P (Transistor) (1) 结构示意图和符号
状态 电流关系 条件 (2)输入特性 放大 ic=Bin 发射结正偏 集电结反偏 i=f(upe)wcr 饱和 ic<Bis 临界 ICS=BIBs 两个结正偏 截止 B≈0，ic≈0 两个结反偏 ic/mA 4 50A 3)输出特性 40A 3 放大区30A ic f(uce)i 20A 10A 截止区 g=0 ☒D☒I 8
(2) 输入特性 CE ( ) B uBE u i = f (3) 输出特性 B ( ) C uCE i i = f iC / mA uCE /V 50 µA 40µA 30 µA 20 µA 10 µA iB = 0 0 2 4 6 8 4 3 2 1 放大区 截止区 饱 和 区 0 uCE = uCE 1V 0 uBE /V iB / µA 发射结正偏 状态 电流关系 条 件 放大 i C= iB 集电结反偏 饱和 I i C ＜ iB 两个结正偏 临界 CS= IBS 截止 iB ≈ 0, iC ≈ 0 两个结反偏