间隙填充 ·无空洞间隙填充 ·空洞：引生缺陷和可靠度的问题 ·沉积/蚀刻/沉积 -硅烷和臭氧-四乙氧基硅烷氧化物薄膜 ·似型性沉积 -03四乙氧基硅烷和钨CVD ·高密度等离子体CVD Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 33 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 33 间隙填充 • 无空洞间隙填充 • 空洞: 引生缺陷和可靠度的问题 • 沉积/蚀刻/沉积 –硅烷和臭氧-四乙氧基硅烷氧化物薄膜 • 似型性沉积 –O3-四乙氧基硅烷和钨CVD • 高密度等离子体CVD
间隙填充 ·PMD:对空洞是零容限(zero tolerance) -钨可以沉积进入空洞之中 -引发短路 ·IMD:金属表面下的空洞是可容许的 -减少金属线之间的k -工艺气体被捕捉并引起可靠性的问题 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 34 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 34 间隙填充 • PMD:对空洞是零容限(zero tolerance) –钨可以沉积进入空洞之中 –引发短路 • IMD:金属表面下的空洞是可容许的 –减少金属线之间的k –工艺气体被捕捉并引起可靠性的问题
PMD工艺的空洞 俯视图 空洞 WCVD沉积之前 金属硅 物 金属硅 化物 侧壁空间层 接触窗孔 35
35 PMD工艺的空洞 金属硅 化物 空洞 金属硅 化物 俯视图 W CVD沉积之前 侧壁空间层 接触窗孔
匣极间不想出现的钨线 俯视图 钨 WCVD沉积后 金属硅 化物 金属硅 化物 侧壁空间层 钨栓塞 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 36 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 36 匣极间不想出现的钨线 金属硅 化物 钨 金属硅 化物 俯视图 W CVD沉积后 侧壁空间层 钨栓塞
沉积/蚀刻/沉积 USG 沉积 Al.Cu 蚀刻 USG AlCu 沉积 USG AlCu Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 37 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 37 沉积/蚀刻/沉积 Al·Cu Al·Cu Al·Cu USG USG USG 沉积 沉积 蚀刻