到达角度 ●角A:270°，角C:90° ·角A有较多的源材料 ·较多的沉积 ·形成悬突 ·悬突会在间隙内部形成空洞或锁眼 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 28 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 28 到达角度 • 角A: 270 ,角C: 90 • 角A有较多的源材料 • 较多的沉积 • 形成悬突 • 悬突会在间隙内部形成空洞或锁眼
空洞形成的步骤 金属 介电质 金属 介电质 空洞 金属 介电质 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 29 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 29 空洞形成的步骤 金属 介电质 介电质 介电质 空洞 金属 金属
到达角度的控制 。改变压力 ·当源材料的平均自由路径比间隙深度还 要长时，可有效减少到达角度 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 30 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 30 到达角度的控制 • 改变压力 • 当源材料的平均自由路径比间隙深度还 要长时，可有效减少到达角度
阶梯覆盖性与压力和表面迁移率的关系 APCVD LPCVD 高迁移率 无迁移率 无迁移率 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 31 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 31 阶梯覆盖性与压力和表面迁移率的关系 APCVD 无迁移率 LPCVD 无迁移率 高迁移率
到达角度，接触窗孔 较大到 较小到 达角度 达角度 PSG 氨化硅 硅 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 32 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 32 硅 PSG 氮化硅 较大到 达角度 较小到 达角度 到达角度, 接触窗孔