等离子体增强型化学气相沉积 (PECVD) 工艺反 RF功率产生器 应室 工艺反 应室 等离子 晶圆 加热板 副产品被 帮浦抽走 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 23 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 23 工艺反 应室 工艺反 应室 副产品被 帮浦抽走 加热板 晶圆 等离子 体 RF功率产生器 等离子体增强型化学气相沉积 (PECVD)
阶梯覆盖 ·对沉积薄膜在基片表面产生阶梯的斜率 所做的一种量测 ·一种重要的规格 -侧壁阶梯覆盖 -底部阶梯覆盖 -似型性(Conformal ity） -悬突(0 verhang) Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 24 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 24 阶梯覆盖 • 对沉积薄膜在基片表面产生阶梯的斜率 所做的一种量测 • 一种重要的规格 –侧壁阶梯覆盖 –底部阶梯覆盖 –似型性(Conformality) –悬突(Overhang)
阶梯覆盖性与似型性 CVD薄膜 结构 h b d 基片 w 侧壁阶梯覆盖=b1a 底部阶梯覆盖=d/a 似型性=b/c 悬突=(c-b)/b 深宽比=hhw Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 25 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 25 阶梯覆盖性与似型性 a b c d 基片 结构 CVD薄膜 侧壁阶梯覆盖 =b/a 底部阶梯覆盖 =d/a 似型性 =b/c 悬突 = (c - b)/b 深宽比 =h/w h w
影响阶梯覆盖的因素 ·源材料的到达角度 ·源材料的表面迁移率 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 26 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 26 影响阶梯覆盖的因素 • 源材料的到达角度 • 源材料的表面迁移率
到达角度 180° 270° B 90° Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 27 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 27 到达角度 B A C 270° 90° 180°