APCVD反应器示意图 N2 工艺气体 N2 晶圆 晶圆 - 加热器 输送带清洁装置 输送带 排气 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 16 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 16 加热器 晶圆 N2 工艺气体 N2 排气 晶圆 输送带清洁装置 输送带 APCVD反应器示意图
低压化学气相沉积法(LPCVD) ●较长的平均自由路径 •好的阶梯覆盖和均匀性 ·晶圆垂直装载 ·较少粒子和提高生产力 ·和气体流量的相关性较少 ·垂直和水平的高温炉 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 19 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 19 低压化学气相沉积法(LPCVD) •较长的平均自由路径 •好的阶梯覆盖和均匀性 •晶圆垂直装载 •较少粒子和提高生产力 •和气体流量的相关性较少 •垂直和水平的高温炉
水平式传导-对流一加热LPCVD ·适合水平高温炉管 -低压：从0.25到2托 一最主要使用多晶硅、二氧化硅和氮化硅薄膜 -每批量可处理200片晶圆 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 20 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 20 水平式 传导-对流—加热LPCVD • 适合水平高温炉管 –低压: 从 0.25到 2 托 –最主要使用多晶硅、二氧化硅和氮化硅薄膜 –每批量可处理200片晶圆
低压化学气相沉积系统 压力计 晶圆 加热线圈 晶圆装 载门 至真空帮 石英 工艺气体人口 晶舟 管 中心区 温度 均温区 距离 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 21 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 21 低压化学气相沉积系统 加热线圈 石英 管 至真空帮 浦 压力计 工艺气体入口 晶圆装 载门 晶圆 中心区 均温区 距离 温度 晶舟
等离子体增强型化学气相沉积 (PECVD) ·发展氨化硅取代二氧化硅做为钝化氧化 层 相对低温下有高的沉积速率 。 射频在沉积气体中感应等离子体场 ·射频控制沉积薄膜的应力 反应室等离子体清洗 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 22 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 22 等离子体增强型化学气相沉积 (PECVD) • 发展氮化硅取代二氧化硅做为钝化氧化 层. • 相对低温下有高的沉积速率. • 射频在沉积气体中感应等离子体场 • 射频控制沉积薄膜的应力 • 反应室等离子体清洗