CVD工艺步骤 源材料 气体喷嘴 强制对 流区 副产品 久边界层 晶圆座 晶圆 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 11 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 11 CVD工艺步骤 晶圆 副产品 反应物 气体喷嘴 晶圆座 源材料 强制对 流区 边界层
沉积工艺 源材料到达晶圆表面 源材料在表面移动 源材料在表面反应 成核作用：岛状 物形成 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 12 沉积工艺 源材料到达晶圆表面 源材料在表面移动 源材料在表面反应 成核作用：岛状 物形成
沉积工艺 岛状物成长， 岛状物成长 横截面图 岛状物合并 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 13 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 13 沉积工艺 岛状物成长 岛状物成长， 横截面图 岛状物合并 连续薄膜
CVD工艺 ·APCVD:常压化学气相沉积法 ·LPCVD:低压化学气相沉积法 ·PECVD：等离子体增强型化学气相沉积 法 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 14 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 14 CVD工艺 • APCVD：常压化学气相沉积法 • LPCVD：低压化学气相沉积法 • PECVD ：等离子体增强型化学气相沉积 法
常压化学气相沉积法(APCVD) ·CVD工艺发生在大气压力常压下 ·APCVD工艺用在沉积二氧化硅和氮化硅 ·APCVD臭氧一四乙氧基硅烷(O3-TEOS)的 氧化物工艺被广泛的使用在半导体工业 上，尤其是在STI和PMD的应用 ·传送带系统需要临场对输送带清洁 Hong Xiao,Ph.D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo 15 k.htm
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 15 常压化学气相沉积法(APCVD) • CVD工艺发生在大气压力常压下 • APCVD工艺用在沉积二氧化硅和氮化硅 • APCVD臭氧—四乙氧基硅烷(O3-TEOS)的 氧化物工艺被广泛的使用在半导体工业 上，尤其是在STI和PMD的应用 • 传送带系统需要临场对输送带清洁