华灿光电股份有限公司2019年年度报告

华灿光电股份有限公司2019年年度报告 38 Light-emitting diode epitaxial wafer and method forUS10276744* 2017-7-2 2019-4-320 preparing the same 明 38 Method for manufacturing p-type GaN based thin film using US6294016*I 1999-10- 2001-9-220 2 nitridation 38 Silicon nitride film comprising amorphous silicon US6544870发2001-4-12003-4-820 3 quantum dots embedded therein, its fabrication method 明 and light-emitting device using the same 38 Method of fabricating an ohmic metal electrode for use US6326294* 2001-4-22001-1 4 in nitride compound semiconductor devices 38 Method for fabricating light-emitting diode using US6773946发2002-12-2004-8-120 nanosize nitride semiconductor multiple quantum wells 38 Nitride semiconductor light-emitting element having US9099600发2014-2-52015-8-4 superior current spreading effect and method for 明 manufacturing same 38 Nitride semiconductor light-emitting element having U90679「发2014-5-52015-4-120 7 superior leakage current blocking effect and method for manufacturing same 38 Nitride-based light emitting device with excellent light US8816323* 2012-12- 2014-8-220 8 emitting efficiency using strain buffer layer 明 38型刻甜暑川甘甜o三果刈丕艺 KR0087099发2001-5-22003-5-220 390处刻暑音08p- AIG nN蚪创暑 K00564912发2004-4-12006-3-22 0世乒刘Q叫否李旱器型号杏 39型刻暑恐全对9对丕岂 KR10067207发「200-11-2007-1-120 世哥coE KR00787361发2006-2-12007-12-20 12 39 KR100794121发2006-4-12008-1-4 39型世型干不暑丈世叶0|E刈丕岂皆 KR100809822发2006-7-12008-2-220 39普干丕暑升长世君cH0|s KR100878979发2007-1-1|2009-1-8 39型刀甘型旦空川告量效世恐叶E仝升 KR0096068发2007-11-2009-4-220 30 天叶甘刭甘量各悬型甘型旦空昔哥 KR00942367发2008-1-42010-2-520 7 EFoI25 39q器世召型世至岂,09胡刈至到KR101146819发2009-22012-5-920 召刀晋,合召否列世量世普 39兰恐co|s叫列对果E异 KR101107770发2009-5-22012-1-120 40世思刻甘普[}o三叫列对哭明叶E异 KR01138358发2009-9-12012-4-120 36 chin乡 www.cninfocom.cn

华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 36 38 1 Light-emitting diode epitaxial wafer and method for preparing the same US10276744 发 明 2017-7-2 9 2019-4-3 0 20 38 2 Method for manufacturing p-type GaN based thin film using nitridation US6294016 发 明 1999-10- 20 2001-9-2 5 20 38 3 Silicon nitride film comprising amorphous silicon quantum dots embedded therein, its fabrication method and light-emitting device using the same US6544870 发 明 2001-4-1 8 2003-4-8 20 38 4 Method of fabricating an ohmic metal electrode for use in nitride compound semiconductor devices US6326294 发 明 2001-4-2 4 2001-12- 4 20 38 5 Method for fabricating light-emitting diode using nanosize nitride semiconductor multiple quantum wells US6773946 发 明 2002-12- 30 2004-8-1 0 20 38 6 Nitride semiconductor light-emitting element having superior current spreading effect and method for manufacturing same US9099600 发 明 2014-2-5 2015-8-4 20 38 7 Nitride semiconductor light-emitting element having superior leakage current blocking effect and method for manufacturing same US9006779 发 明 2014-5-5 2015-4-1 4 20 38 8 Nitride-based light emitting device with excellent light emitting efficiency using strain buffer layer US8816323 发 明 2012-12- 26 2014-8-2 6 20 38 9 질화갈륨계 발광다이오드 및 그 제조방법 KR100387099 发 明 2001-5-2 2003-5-2 8 20 39 0 아연산화물을 이용한 ｐ－ＡｌＧａＩｎＮ 화합물 반도체의오믹접촉 투명전극층 형성방법 KR100564912 发 明 2004-4-1 3 2006-3-2 1 20 39 1 질화물계 발광소자의 제조방법 KR100672077 发 明 2004-11- 5 2007-1-1 5 20 39 2 발광 다이오드 KR100787361 发 明 2006-2-1 2007-12- 12 20 39 3 발광 다이오드 KR100794121 发 明 2006-4-1 0 2008-1-4 20 39 4 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 KR100809822 发 明 2006-7-1 3 2008-2-2 6 20 39 5 광결정 구조를 가지는 발광 다이오드 KR100878979 发 明 2007-1-1 8 2009-1-8 20 39 6 정전기 방전 보호 기능을 갖는 발광다이오드 소자 KR100896068 发 明 2007-11- 30 2009-4-2 7 20 39 7 플라즈마 방전 방식을 응용한 정전방전보호 발광 다이오드 KR100942367 发 明 2008-1-4 2010-2-5 20 39 8 발명의 명칭 단결정 기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 단결정 기판, 상기 단결정 기판을 포함하는 발광 KR101146819 发 明 2008-9-2 3 2012-5-9 20 39 9 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛 KR101107770 发 明 2009-5-2 6 2012-1-1 2 20 40 0 발명의 명칭 발광 다이오드 패키지 및 백라이트 유닛 KR101138358 发 明 2009-9-1 6 2012-4-1 3 20

华灿光电股份有限公司2019年年度报告 40世君oE叫列对 KR101094127发2010-2-12011-12-20 明 40LED埋引0三异划 KR01109032发2010-3-22012-1-120 40世君E叫列对 KR101096786发2010-3-22011-12-20 哥大 KR01104230发|2010-5-22012-1-120 KR101078469发2010-12-2011-10-20 40兰器q器型异型丕器悬改恐刘 KR101131598发|20112-92012-3-220 明 40世量企量备世号0早个型蚪暑川 KR10122279发|2011-4-42013-1-920 昔△对 40 NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE FOR REDUCING KR01250251发201-8-12013-3-220 8 DISLOCATION DENSITY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 40世器卫刳上型蚪暑世甜仝对至当 KR01552671发2012-9-12015-9-720 41q器果ESD旦空号创叫早今至蚪暑KR101473819发2012-10-2014-12-20 世王划世己仝对 41q器刻型丘创刀世备长世丘刘 KR101565122发2012-11-2015-10-2 昔仝对 41q刮刮异是处查叶外早今 对果 KR101493321发2012-11-2015-2-920 2刚丕甘岂 41世怒型蚪暑卧丘划全对丕世岂 KR101482526发2012-12-2015-1-820 41世器世仝对 KR01544164发|2013-6-22015-8-6 41世8刮对对甜果型奇量叫暑创型蚪暑 KR0147082发2013-8-22015-2-220 5世却世仝对 41q器母仝对 KR101501149发|2013-8-22015-3-420 41型刻量世君仝对哭卫刈丕岩 KR100574106发2004-1-92006-4-120 明 4型蚪暑昔恐仝对9刈丕甘岂 KR00579320发2004-11-200-5-420 41世g怒明世君刘哭9刈丕甘岩 KR101144754发2010-1-12012-5-320 42 NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE WITH EXCELLENT EFFECT KR101262725* 2011-8-8 2013-5-3 20 0 OF BLOCKING LEAKAGE CURRENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 器态仝丘恐剀p蚪量态量王旮計 KR101262726发2011-12-2013-5-320 包蚪川世昔仝对丕甘 chin乡 www.cninfocom.cn

华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 37 40 1 발광 다이오드 패키지 KR101094127 发 明 2010-2-1 7 2011-12- 8 20 40 2 ＬＥＤ 백라이트 유닛 KR101109032 发 明 2010-3-2 5 2012-1-1 7 20 40 3 발광 다이오드 패키지 KR101096786 发 明 2010-3-2 6 2011-12- 14 20 40 4 발광 장치 KR101104230 发 明 2010-5-2 7 2012-1-1 2 20 40 5 발광 다이오드 칩 및 이의 제조 방법 KR101078469 发 明 2010-12- 31 2011-10- 25 20 40 6 발명의 명칭 정육점 조명용 발광 장치 KR101131598 发 明 2011-2-9 2012-3-2 2 20 40 7 발명의 명칭 불순물을 발광 특성이 우수한 질화물계 발광소자 KR101222479 发 明 2011-4-4 2013-1-9 20 40 8 NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE FOR REDUCING DISLOCATION DENSITY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF KR101250251 发 明 2011-8-1 2 2013-3-2 8 20 40 9 발명의 명칭 고휘도 질화물 발광소자 제조 방법 KR101552671 发 明 2012-9-1 4 2015-9-7 20 41 0 발명의 명칭 휘도 및 ＥＳＤ 보호 특성이 우수한 질화물 반도체 발광소자 KR101473819 发 明 2012-10- 22 2014-12- 11 20 41 1 발명의 명칭 열전도성 기판을 갖는 단일칩 반도체 발광소자 KR101565122 发 明 2012-11- 5 2015-10- 27 20 41 2 발명의 명칭 전류 분산 효과가 우수한 발광소자 및 그 제조 방법 KR101493321 发 明 2012-11- 23 2015-2-9 20 41 3 발명의 명칭 질화물 반도체 발광 소자 제조 방법 KR101482526 发 明 2012-12- 28 2015-1-8 20 41 4 발명의 명칭 발광 소자 KR101544164 发 明 2013-6-2 1 2015-8-6 20 41 5 발명의 명칭 전자 저장 및 퍼짐층을 이용한 질화물 반도체 발광소자 KR101497082 发 明 2013-8-2 0 2015-2-2 3 20 41 6 발명의 명칭 발광 소자 KR101501149 发 明 2013-8-2 3 2015-3-4 20 41 7 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 KR100574106 发 明 2004-1-9 2006-4-1 9 20 41 8 질화물계 발광소자의 제조방법 KR100579320 发 明 2004-11- 15 2006-5-4 20 41 9 발명의 명칭 백색 발광장치 및 이의 제조방법 KR101144754 发 明 2010-1-1 9 2012-5-3 20 42 0 NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE WITH EXCELLENT EFFECT OF BLOCKING LEAKAGE CURRENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF KR101262725 发 明 2011-8-8 2013-5-3 20 42 1 발명의 명칭 탄소 도핑된 ｐ형 질화물층을 포함하는 질화물계 발광소자 제조 방법 KR101262726 发 明 2011-12- 30 2013-5-3 20

华灿光电股份有限公司2019年年度报告 42器q器母仝升叫哭卫刚丕艺 KR101435510发2013-5-1|2014-8-220 明 0 KR1014351发2013-7-22014-8-220 42世器怒怂干至处世恐叶oE KR101435512发2013-7-22014-8-220 42白色发光二极体晶片及其制造方法 TWI441351 发2008-11-2014-6-120 42具有静电放电保护功能的发光二极体元件 TWI411138 发2008-11-2013-10 42LED封装及背光单元 TWI42348 发2010-5-22014-1-120 明 6 42发光二极体晶片及其制造方法 IWI536601发2011-12-2016-6-120 42漏电阻断效果优秀的氮化物半导体发光器件及其制备方法 TW518945发2012-8-82016-1-220 43一种蓝宝石AL203单晶的生长方法 20041000593.发20046-12009-6-120 43晶片盒甩干架 201220214767.实2012-5-12012-12 43晶片磨边机 新型实用新 2012-5-12012-1 6 43快速定位的晶棒端面铣磨机 201220214762.实2012-5-12012-12-10 4 43晶面定向检测粘接台 用新型发明 20121014798.发2012-5-12014-4-220 43晶棒轴线定位装置 201420299150.实2014-6-62015-3-110 43|切片座上晶棒的定位架 01420299146.实2014-6-62015-3-110 43双轨驱动的晶片磨平机 新型实用新 201520936550.实2015-11-2016-4-610 chin乡 www.cninfocom.cn

华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 38 42 2 발명의 명칭 발광소자 패키지 및 그의 제조방법 KR101435510 发 明 2013-5-1 0 2014-8-2 2 20 42 3 발명의 명칭 미로 모양 구조를 갖는 발광다이오드 KR101435511 发 明 2013-7-2 3 2014-8-2 2 20 42 4 발명의 명칭 혼성 구조를 갖는 발광다이오드 KR101435512 发 明 2013-7-2 6 2014-8-2 2 20 42 5 白色发光二极体晶片及其制造方法 TWI441351 发 明 2008-11- 18 2014-6-1 1 20 42 6 具有静电放电保护功能的发光二极体元件 TWI411138 发 明 2008-11- 26 2013-10- 1 20 42 7 ＬＥＤ封装及背光单元 TWI423487 发 明 2010-5-2 6 2014-1-1 1 20 42 8 发光二极体晶片及其制造方法 TWI536601 发 明 2011-12- 30 2016-6-1 20 42 9 漏电阻断效果优秀的氮化物半导体发光器件及其制备方法 TWI518945 发 明 2012-8-8 2016-1-2 1 20 43 0 一种蓝宝石AL2O3单晶的生长方法 200410008593. 2 发 明 2004-6-1 0 2009-6-1 0 20 43 1 晶片盒甩干架 201220214767. 0 实 用 新 型 2012-5-1 4 2012-12- 5 10 43 2 晶片磨边机 201220214766. 6 实 用 新 型 2012-5-1 4 2012-12- 19 10 43 3 快速定位的晶棒端面铣磨机 201220214762. 8 实 用 新 型 2012-5-1 4 2012-12- 19 10 43 4 晶面定向检测粘接台 201210147978. 1 发 明 2012-5-1 4 2014-4-2 3 20 43 5 晶棒轴线定位装置 201420299150. 2 实 用 新 型 2014-6-6 2015-3-1 1 10 43 6 切片座上晶棒的定位架 201420299146. 6 实 用 新 型 2014-6-6 2015-3-1 1 10 43 7 双轨驱动的晶片磨平机 201520936550. 4 实 用 新 2015-11- 23 2016-4-6 10

华灿光电股份有限公司2019年年度报告 43双面驱动的双压轴晶面抛光机 201520936473.实2015-11-2016-4-610 43蓝宝石晶片四柱抛光机 201621250525.实2016-10-2017-5-310 用新型 44四驱双面晶片磨光机 201610925500.发2016-10-2018-7-320 44蓝宝石晶棒晶轴检测定位装置 201610925511.发2016-10-2019-1-220 30 44蓝宝石晶棒晶轴定位架 201621150553.实2016-10-2017-5-310 44晶棒线切割机 017207559.实2017-6-22018-1-210 用新型 44晶棒磨边机 201721470460.实2017-11-2018-5-210 44数控晶片磨边机 201621465736.实2016-12-2017-8-810 用 44晶片移装机构 201621464325.实2016-12-2017-8-810 6 刹 44晶片异型窗口激光切割机 201621465076.实2016-12-2017-8-810 2 44晶片线切割机的冷却装置 201720755850.实2017-6-2208-2-110 用 44晶片表面平整度检测仪 201720757272.实2017-6-22018-2-110 chin乡 www.cninfocom.cn

华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 39 型 43 8 双面驱动的双压轴晶面抛光机 201520936473. 2 实 用 新 型 2015-11- 23 2016-4-6 10 43 9 蓝宝石晶片四柱抛光机 201621150525. 4 实 用 新 型 2016-10- 30 2017-5-3 10 44 0 四驱双面晶片磨光机 201610925500. 5 发 明 2016-10- 30 2018-7-3 1 20 44 1 蓝宝石晶棒晶轴检测定位装置 201610925511. 3 发 明 2016-10- 30 2019-1-2 5 20 44 2 蓝宝石晶棒晶轴定位架 201621150553. 6 实 用 新 型 2016-10- 30 2017-5-3 10 44 3 晶棒线切割机 201720755699. 1 实 用 新 型 2017-6-2 7 2018-1-2 3 10 44 4 晶棒磨边机 201721470460. 6 实 用 新 型 2017-11- 7 2018-5-2 2 10 44 5 数控晶片磨边机 201621465736. 7 实 用 新 型 2016-12- 29 2017-8-8 10 44 6 晶片移装机构 201621464325. 6 实 用 新 型 2016-12- 29 2017-8-8 10 44 7 晶片异型窗口激光切割机 201621465076. 2 实 用 新 型 2016-12- 29 2017-8-8 10 44 8 晶片线切割机的冷却装置 201720755850. 1 实 用 新 型 2017-6-2 7 2018-2-1 6 10 44 9 晶片表面平整度检测仪 201720757272. 5 实 用 新 2017-6-2 7 2018-2-1 6 10

华灿光电股份有限公司2019年年度报告 45无接触晶片测厚仪 201721470011实2017-11-2018-5-210 45晶片平整度修复器 201721470458.实2017-11-2018-5-210 用新型 45一种数控蓝宝石多线切割机冷却系统 2018221369749实2018-12-2019-9-310 用新型 45蓝宝石晶棒精密数控加工多线切割用夹持装置 2018221584321实2018-12-2019-9-310 用 45大尺寸蓝宝石晶棒外圆精密加工用立式机床 2018221369819实2018-12-2019-8-110 用新型 45一种数控蓝宝石研磨机上盘控制系统 201822139415实2018-12-2019-8-110 45蓝宝石精密加工用数控抛光机床 2018221369753实2018-12-2019-8-110 用新型 chin乡 www.cninfocom.cn

华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 40 型 45 0 无接触晶片测厚仪 201721470011. 1 实 用 新 型 2017-11- 7 2018-5-2 2 10 45 1 晶片平整度修复器 201721470458. 9 实 用 新 型 2017-11- 7 2018-5-2 2 10 45 2 一种数控蓝宝石多线切割机冷却系统 2018221369749 实 用 新 型 2018-12- 19 2019-9-3 0 10 45 3 蓝宝石晶棒精密数控加工多线切割用夹持装置 2018221584321 实 用 新 型 2018-12- 21 2019-9-3 0 10 45 4 大尺寸蓝宝石晶棒外圆精密加工用立式机床 2018221369819 实 用 新 型 2018-12- 19 2019-8-1 6 10 45 5 一种数控蓝宝石研磨机上盘控制系统 2018221394115 实 用 新 型 2018-12- 19 2019-8-1 6 10 45 6 蓝宝石精密加工用数控抛光机床 2018221369753 实 用 新 型 2018-12- 19 2019-8-1 6 10