华灿光电股份有限公司2019年年度报告 19一种灯丝型发光二极管芯片 19一种发光二极管外延片及其制作方法 ZL20161032562发2016-5-12018-6-220 明 19一种发光二极管外延片及其制备方法 ZL20161032562发2016-5-12018-7-320 19一种谐振腔发光二极管及其制造方法 ZL20161037475发2016-5-32018-10 19一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制造方法 Z120161037305发2016-5-32018-10-20 明 20一种发光二极管外延片的生长方法 ZL20161037302发2016-5-32018-4-220 20适用于超声波清洗机的载具及超声波清洗机 ZL20162061699实2016-6-22016-12-10 用新型 种黄绿光发光二极管及其制备方法 ZL20161045891发2016-6-22019-1-220 20一种GaN基发光二极管的外延片的制备方法 ZL20161045489发2016-6-22018-10-2 20一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法 ZL20161045490发2016-6-22018-10-20 0.2 种发光二极管及其制备方法 ZL20161046269发2016-6-22019-2-220 20一种黄绿光发光二极管的外延片及制备方法 ZL20161048662发2016-6-22018-10 20基于光电分离的二极管光电测试方法 ZL20161050286发2016-6-32019-4-220 20基于多组测试探针的二极管光电测试方法 ZL20161050335发2016-6-32019-4-220 20一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法 ZL20161048767发2016-6-22019-2-220 3.3 21一种高压发光二极管芯片的制造方法 ZL20161050335发2016-6-32018-8-220 21一种LED显示器件及其制作方法 ZL20161056426发2016-7-12019-8-220 21一种ED显示器件 ZL20162075831实2016-7-12017-3-110 26 chin乡 www.cninfocom.cn
华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 26 4 1.1 明 1 19 5 一种灯丝型发光二极管芯片 ZL20162041331 6.8 实 用 新 型 2016-5-9 2016-12- 21 10 19 6 一种发光二极管外延片及其制作方法 ZL20161032562 4.X 发 明 2016-5-1 7 2018-6-2 6 20 19 7 一种发光二极管外延片及其制备方法 ZL20161032562 3.5 发 明 2016-5-1 7 2018-7-3 1 20 19 8 一种谐振腔发光二极管及其制造方法 ZL20161037475 1.9 发 明 2016-5-3 1 2018-10- 9 20 19 9 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制造方法 Zl20161037305 8.X 发 明 2016-5-3 1 2018-10- 9 20 20 0 一种发光二极管外延片的生长方法 ZL20161037302 6.X 发 明 2016-5-3 1 2018-4-2 4 20 20 1 适用于超声波清洗机的载具及超声波清洗机 ZL20162061699 5.9 实 用 新 型 2016-6-2 1 2016-12- 21 10 20 2 一种黄绿光发光二极管及其制备方法 ZL20161045891 4.1 发 明 2016-6-2 2 2019-1-2 9 20 20 3 一种GaN基发光二极管的外延片的制备方法 ZL20161045489 8.9 发 明 2016-6-2 2 2018-10- 30 20 20 4 一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法 ZL20161045490 0.2 发 明 2016-6-2 2 2018-10- 9 20 20 5 一种发光二极管及其制备方法 ZL20161046269 8.8 发 明 2016-6-2 3 2019-2-2 2 20 20 6 一种黄绿光发光二极管的外延片及制备方法 ZL20161048662 1.4 发 明 2016-6-2 8 2018-10- 9 20 20 7 基于光电分离的二极管光电测试方法 ZL20161050286 8.0 发 明 2016-6-3 0 2019-4-2 3 20 20 8 基于多组测试探针的二极管光电测试方法 ZL20161050335 2.8 发 明 2016-6-3 0 2019-4-2 3 20 20 9 一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法 ZL20161048767 3.3 发 明 2016-6-2 8 2019-2-2 2 20 21 0 一种高压发光二极管芯片的制造方法 ZL20161050335 3.2 发 明 2016-6-3 0 2018-8-2 1 20 21 1 一种LED显示器件及其制作方法 ZL20161056426 1.5 发 明 2016-7-1 5 2019-8-2 3 20 21 2 一种LED显示器件 ZL20162075831 9.5 实 用 新 型 2016-7-1 5 2017-3-1 10
华灿光电股份有限公司2019年年度报告 21一种发光二极管芯片及其制备方法 ZL20161061314发2016-7-22019-5-120 明 21一种发光二极管芯片 ZL20162082364实2016-7-22017-7-210 21一种红黄光发光二极管芯片 ZL20162079282实2016-7-22017-1-110 用 8 21一种发光二极管外延片及其生长方法 ZL20161059745发2016-7-22019-4 0.2 21一种发光二极管外延片 ZL20162079470实2016-7-22017-8-110 8.3 用 新 21一种发光二极管外延片的生长方法 ZL20161059742发2016-7-22019-5-1 21一种氮化镓基发光二极管的外延片 ZL20162080792实2016-7-22017-7-210 9.X 用 22一种发光二极管外延片 ZL20162078810实2016-7-22017-1-110 用新型 22一种GaN基发光二极管外延片的生长方法 ZL20161059110发2016- 2018-11 22一种发光二极管外延片及其制造方法 ZL20161059621发2016-7-2209-1-20 22一种发光二极管外延片 ZL2016207963实2016-7-22017-1-210 8.7 用新型 种发光二极管芯片及其制备方法 ZL20161059479发2016-7-22019-1-220 22一种发光二极管芯片 ZL20162079283实2016-7-22017-1-110 7.9 用新型 22一种发光二极管外延片的制备方法 ZL20161059117发2016-7-2209-1-2 22一种发光二极管的外延片及其制备方法 ZL20161062008发2016-7-22019-8-220 chin乡 www.cninfocom.cn
华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 27 21 3 一种发光二极管芯片及其制备方法 ZL20161061314 2.4 发 明 2016-7-2 9 2019-5-1 4 20 21 4 一种发光二极管芯片 ZL20162082364 9.8 实 用 新 型 2016-7-2 9 2017-7-2 8 10 21 5 一种红黄光发光二极管芯片 ZL20162079282 4.1 实 用 新 型 2016-7-2 5 2017-1-1 8 10 21 6 一种发光二极管外延片及其生长方法 ZL20161059745 0.2 发 明 2016-7-2 5 2019-4-1 2 20 21 7 一种发光二极管外延片 ZL20162079470 8.3 实 用 新 型 2016-7-2 5 2017-8-1 1 10 21 8 一种发光二极管外延片的生长方法 ZL20161059742 0.1 发 明 2016-7-2 5 2019-5-1 4 20 21 9 一种氮化镓基发光二极管的外延片 ZL20162080792 9.X 实 用 新 型 2016-7-2 9 2017-7-2 8 10 22 0 一种发光二极管外延片 ZL20162078810 1.4 实 用 新 型 2016-7-2 5 2017-1-1 8 10 22 1 一种GaN基发光二极管外延片的生长方法 ZL20161059110 4.3 发 明 2016-7-2 5 2018-11- 6 20 22 2 一种发光二极管外延片及其制造方法 ZL20161059621 6.8 发 明 2016-7-2 5 2019-11- 29 20 22 3 一种发光二极管外延片 ZL20162079633 8.7 实 用 新 型 2016-7-2 5 2017-1-2 5 10 22 4 一种发光二极管芯片及其制备方法 ZL20161059479 6.7 发 明 2016-7-2 5 2019-1-2 9 20 22 5 一种发光二极管芯片 ZL20162079283 7.9 实 用 新 型 2016-7-2 5 2017-1-1 8 10 22 6 一种发光二极管外延片的制备方法 ZL20161059117 5.3 发 明 2016-7-2 5 2019-1-2 9 20 22 一种发光二极管的外延片及其制备方法 ZL20161062008 发 2016-7-2 2019-8-2 20
华灿光电股份有限公司2019年年度报告 0.X 22一种发光二极管的外延片及制备方法 ZL201610616 6-7-22018-8-120 种发光二极管的制造方法及发光二极管 ZL20161056447发2016-7-12018-8-120 23一种氮化镓基发光二极管的外延片的制备方法 ZL20161062467发2016-7-22019-3-820 23一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 ZL2016106448发2016-8-82018-11 23一种发光二极管外延片及其生长方法 ZL20161064862发2016-8-12019-8-220 种发光二极管及其制造方法 ZL20161080805发2016-9-62019-5-120 23一种发光二极管及其制造方法 ZL20161080769发2016-9-62019-5-120 23一种发光二极管及其制作方法 ZL20161081713发2016-9-12019-5-120 0.3 23一种发光二极管的制作方法 ZL20161081318发2016 2019-5-120 种发光二极管芯片及其制作方法 ZL20161081316发2016-9-92019-6-120 3.0 23一种半导体发光二极管光源及背光模组 ZL20161081327发2016-9-92018-8-220 明 23一种发光二极管芯片及其制备方法 ZL20161086170发2016-9-22019-8-220 2一种发光二极管芯片及其制备方法 ZL20161081131发2016-9-82018-11-20 发光二极管外延片的生长方法 ZL20161088720发2016-10-2019-3-120 2一种高亮度发光二极管芯片及其制备方法 ZL20161094057发2016-10-2019-5-120 24一种发光二极管外延片及其制备方法 ZL2016109196发2016-10-2019-1-120 7.0 21 4一种氮化镓基L外延片及其生长方法 ZL20161090565发2016-10-2018-9-420 2一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL20161091028发2016-10-2019-11-20 24一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL20161091040发2016-10-2019-8-220 3 明 2一种A1GamP基发光二极管芯片及其制作方法 ZL20161096973发2016-10-2019-5-120 24A1GamP基发光二极管外延片、芯片及制备方法 ZL20161098527发2016-10-2019-1-1|20 0.1 明 chin乡 www.cninfocom.cn
华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 28 7 0.X 明 9 3 22 8 一种发光二极管的外延片及制备方法 ZL20161061614 1.5 发 明 2016-7-2 9 2018-8-1 0 20 22 9 一种发光二极管的制造方法及发光二极管 ZL20161056447 5.2 发 明 2016-7-1 5 2018-8-1 0 20 23 0 一种氮化镓基发光二极管的外延片的制备方法 ZL20161062467 1.4 发 明 2016-7-2 9 2019-3-8 20 23 1 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 ZL20161064418 3.X 发 明 2016-8-8 2018-11- 30 20 23 2 一种发光二极管外延片及其生长方法 ZL20161064862 2.4 发 明 2016-8-1 0 2019-8-2 3 20 23 3 一种发光二极管及其制造方法 ZL20161080805 3.5 发 明 2016-9-6 2019-5-1 4 20 23 4 一种发光二极管及其制造方法 ZL20161080769 9.1 发 明 2016-9-6 2019-5-1 4 20 23 5 一种发光二极管及其制作方法 ZL20161081713 0.3 发 明 2016-9-1 2 2019-5-1 4 20 23 6 一种发光二极管的制作方法 ZL20161081318 6.1 发 明 2016-9-9 2019-5-1 4 20 23 7 一种发光二极管芯片及其制作方法 ZL20161081316 3.0 发 明 2016-9-9 2019-6-1 1 20 23 8 一种半导体发光二极管光源及背光模组 ZL20161081327 8.X 发 明 2016-9-9 2018-8-2 4 20 23 9 一种发光二极管芯片及其制备方法 ZL20161086170 1.3 发 明 2016-9-2 9 2019-8-2 20 24 0 一种发光二极管芯片及其制备方法 ZL20161081131 4.9 发 明 2016-9-8 2018-11- 6 20 24 1 一种发光二极管外延片的生长方法 ZL20161088720 0.2 发 明 2016-10- 12 2019-3-1 20 24 2 一种高亮度发光二极管芯片及其制备方法 ZL20161094057 8.4 发 明 2016-10- 25 2019-5-1 4 20 24 3 一种发光二极管外延片及其制备方法 ZL20161091966 7.0 发 明 2016-10- 21 2019-1-1 5 20 24 4 一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 ZL20161090565 4.8 发 明 2016-10- 18 2018-9-4 20 24 5 一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL20161091028 1.3 发 明 2016-10- 19 2019-11- 29 20 24 6 一种发光二极管芯片及其制造方法 ZL20161091040 4.3 发 明 2016-10- 19 2019-8-2 3 20 24 7 一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法 ZL20161096973 3.5 发 明 2016-10- 28 2019-5-1 4 20 24 8 AlGaInP基发光二极管外延片、芯片及制备方法 ZL20161098527 0.1 发 明 2016-10- 25 2019-1-1 1 20
华灿光电股份有限公司2019年年度报告 2一种发光二极管外延片及其制造方法 ZL20161097274发2016-11-2019-9-120 明 4 25一种GaN基发光二极管外延片的生长方法 ZL20161105160发2016-1-2019-3-820 25一种高亮度发光二极管的芯片及其制造方法 ZL20161105781发2016-11-2019-2-120 种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 ZL20161105789发2016-11-2019-4-120 25一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 ZL20161105788发2016-11-2018-10 0.1 25一种E芯片及其制作方法 ZL20161106734发2016-11-2019-3-820 明 25一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL2016103959发2016-11-2019-2-120 8.0 25一种LED芯片 Z20162129373实2016-1-2017-6-310 新 25一种发光二极管的外延片及其生长方法 ZL2016110324发2016-1-2019-8-220 25一种发光二极管外延片的制造方法 ZL2016109891发2016-11-2019-3-820 种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法 ZL20161104589发2016-1-2019-6-120 0.3 明 21 1 种发光二极管的外延片及其制作方法 ZL20161105781发2016-11-2019-3-120 0.6 24 26一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法 ZL20161107432发2016-1-2019-11-20 3.0 明 26一种发光二极管的外延片及其制作方法 ZL2016117928发2016-12-2019-8-220 26一种GaN基发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20161124发2016-12-2019-3-820 26一种发光二极管的芯片及其制作方法 ZL2016111117发2016-12-2019-4-120 9.4 26一种高亮发光二极管的芯片及其制作方法 ZL201611165发2016-12-2019-6-120 26一种发光二极管外延片的生长方法 ZL2016111851发2016-12-2019-3-120 26一种E芯片及其制作方法 ZL201611482发2016-12-2019-10-20 5.3 明 3 26一种GaN基发光二极管外延片的制造方法 ZL201616106发2016-12-2019-5-120 26一种发光二极管外延片的生长方法 ZL201611930发2016-12-2019-4-120 chin乡 www.cninfocom.cn
华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 29 24 9 一种发光二极管外延片及其制造方法 ZL20161097274 9.1 发 明 2016-11- 4 2019-9-1 0 20 25 0 一种GaN基发光二极管外延片的生长方法 ZL20161105160 1.0 发 明 2016-11- 24 2019-3-8 20 25 1 一种高亮度发光二极管的芯片及其制造方法 ZL20161105781 4.4 发 明 2016-11- 24 2019-2-1 2 20 25 2 一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 ZL20161105789 3.9 发 明 2016-11- 26 2019-4-1 2 20 25 3 一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 ZL20161105788 0.1 发 明 2016-11- 26 2018-10- 12 20 25 4 一种LED芯片及其制作方法 ZL20161106734 8.8 发 明 2016-11- 28 2019-3-8 20 25 5 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20161103959 8.0 发 明 2016-11- 21 2019-2-1 2 20 25 6 一种LED芯片 ZL20162129373 4.4 实 用 新 型 2016-11- 29 2017-6-3 0 10 25 7 一种发光二极管的外延片及其生长方法 ZL20161103324 9.8 发 明 2016-11- 18 2019-8-2 3 20 25 8 一种发光二极管外延片的制造方法 ZL20161098191 9.2 发 明 2016-11- 8 2019-3-8 20 25 9 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法 ZL20161104589 0.3 发 明 2016-11- 21 2019-6-1 1 20 26 0 一种发光二极管的外延片及其制作方法 ZL20161105781 0.6 发 明 2016-11- 24 2019-3-1 20 26 1 一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法 ZL20161107432 3.0 发 明 2016-11- 29 2019-11- 29 20 26 2 一种发光二极管的外延片及其制作方法 ZL20161117928 2.1 发 明 2016-12- 19 2019-8-2 20 26 3 一种GaN基发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20161111724 7.7 发 明 2016-12- 7 2019-3-8 20 26 4 一种发光二极管的芯片及其制作方法 ZL20161111717 9.4 发 明 2016-12- 7 2019-4-1 2 20 26 5 一种高亮发光二极管的芯片及其制作方法 ZL20161111635 0.X 发 明 2016-12- 7 2019-6-1 1 20 26 6 一种发光二极管外延片的生长方法 ZL20161111851 1.9 发 明 2016-12- 7 2019-3-1 20 26 7 一种LED芯片及其制作方法 ZL20161114882 5.3 发 明 2016-12- 13 2019-10- 29 20 26 8 一种GaN基发光二极管外延片的制造方法 ZL20161116106 5.X 发 明 2016-12- 15 2019-5-1 4 20 26 一种发光二极管外延片的生长方法 ZL20161114730 发 2016-12- 2019-4-1 20
华灿光电股份有限公司2019年年度报告 9.9 13 27一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 种LED芯片及其制作方法 ZL20161118040发2016-12-2019-6-120 27一种GaN基发光二极管外延片的生长方法 ZL201611190发2016-12-2019-5-120 27一种E芯片及其制作方法 ZL2016117928发2016-12-2019-6-120 27一种GaN基发光二极管外延片的制备方法 ZL20171002155发2017-1-12019-3-820 7.7 27一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法 ZL20171002155发2017-1-12019-5-120 27一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法 ZL20171002178发2017-1-12019-3-820 27一种发光二极管的外延片及其制备方法 ZL20171002178发2017-1-12019-8-220 0. 27一种发光二极管的芯片及其制作方法 ZL2017108201发2017-2-12019-4-120 27一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL2017109359发2017-2-22019-3-820 28一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20171013480发「2017-3-72019-8-220 明 种发光二极管外延片的制备方法 ZL20171008201发2017-2-12019-3-820 28一种发光二极管的芯片及其制作方法 ZL20171008167发2017-2-12019-4-120 0.4 28一种发光二极管的外延片及其制备方法 ZL20171008180发2017-2-12019-8-220 28一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法 发2017-1-12019-3-8 28一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法 ZL20171002177发2017-1-12019-4-120 28一种发光二极管的制备方法 ZL20171007169发2017-2-92019-3-820 28一种石墨盘基座 ZL20171013223发2017-3-72019-7-220 28一种发光二极管的外延片的制备方法 ZL20171008736发2017-2-12019-2-120 0.3 明 GaN基发光二极管外延片及其制造方法 ZL20171008735发2017-2-12019-8-220 29一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统 ZL20171020337发2017-3-32019-10-20 7.0 明 chin乡 www.cninfocom.cn
华灿光电股份有限公司 2019 年年度报告 30 9 9.9 明 13 2 27 0 一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 ZL20161115981 6.4 发 明 2016-12- 15 2019-8-2 3 20 27 1 一种LED芯片及其制作方法 ZL20161118040 4.9 发 明 2016-12- 19 2019-6-1 1 20 27 2 一种GaN基发光二极管外延片的生长方法 ZL20161119010 3.4 发 明 2016-12- 21 2019-5-1 4 20 27 3 一种LED芯片及其制作方法 ZL20161117928 1.7 发 明 2016-12- 19 2019-6-1 1 20 27 4 一种GaN基发光二极管外延片的制备方法 ZL20171002155 7.7 发 明 2017-1-1 2 2019-3-8 20 27 5 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法 ZL20171002155 9.6 发 明 2017-1-1 2 2019-5-1 4 20 27 6 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法 ZL20171002178 5.4 发 明 2017-1-1 2 2019-3-8 20 27 7 一种发光二极管的外延片及其制备方法 ZL20171002178 0.1 发 明 2017-1-1 2 2019-8-2 3 20 27 8 一种发光二极管的芯片及其制作方法 ZL20171008201 6.5 发 明 2017-2-1 6 2019-4-1 2 20 27 9 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20171009359 7.2 发 明 2017-2-2 1 2019-3-8 20 28 0 一种发光二极管的外延片及其制造方法 ZL20171013480 5.9 发 明 2017-3-7 2019-8-2 20 28 1 一种发光二极管外延片的制备方法 ZL20171008201 5.0 发 明 2017-2-1 5 2019-3-8 20 28 2 一种发光二极管的芯片及其制作方法 ZL20171008167 0.4 发 明 2017-2-1 5 2019-4-1 2 20 28 3 一种发光二极管的外延片及其制备方法 ZL20171008180 5.7 发 明 2017-2-1 5 2019-8-2 3 20 28 4 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法 ZL20171002177 9.9 发 明 2017-1-1 2 2019-3-8 20 28 5 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法 ZL20171002177 8.4 发 明 2017-1-1 2 2019-4-1 2 20 28 6 一种发光二极管的制备方法 ZL20171007169 9.4 发 明 2017-2-9 2019-3-8 20 28 7 一种石墨盘基座 ZL20171013223 8.3 发 明 2017-3-7 2019-7-2 20 28 8 一种发光二极管的外延片的制备方法 ZL20171008736 0.3 发 明 2017-2-1 7 2019-2-1 2 20 28 9 GaN基发光二极管外延片及其制造方法 ZL20171008735 0.X 发 明 2017-2-1 7 2019-8-2 3 20 29 0 一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统 ZL20171020337 7.0 发 明 2017-3-3 0 2019-10- 8 20