封装成品率 完好的晶片數目 Yc 品片的總數 6
6 封装成品率 晶片的總數 完好的晶片數目 YC =
整体的成品率 YT=YwxYpxYc Integration Product Fab Sort Assembly Overall Level Maturity Yield Yield Final Test Yield % % % % ULSI Mature 95 85 97 78 ULSI Mid 88 65 92 53 ULSI Introduction 65 35 70 16 LSI Mature 98 95 98 91 Discrete Mature 99 4 98 94 整体的成品率可以决定一间生产工厂是赚 钱还是赔钱
7 整体的成品率 YT =YW YD YC 整体的成品率可以决定一间生产工厂是赚 钱还是赔钱
晶圆生产成品率的制约因素 ·工艺制程步骤的数量 -ULSI:50-100个工艺操作 SLSI:600个工艺操作 一工艺操作包括多个工艺步骤及分步 分步骤 对晶圆操作次数 1.将晶圆从片架盒中取出并放入清洗舟内 2 2.晶圆清洗、漂洗和甩干 1 3.将晶圆从清洗盒中取出、检查并放到氧化舟内 2 4.将氧化舟从反应炉中取出 0 5.将晶圆从氧化舟中取出并放回到片架盒中 1 6.将测试的晶圆从片架盒中取出 2 对晶圆操作总数 8 8
晶圆生产成品率的制约因素 8 • 工艺制程步骤的数量 − ULSI：50-100个工艺操作 − SLSI：600个工艺操作 − 工艺操作包括多个工艺步骤及分步 分步骤 对晶圆操作次数 1. 将晶圆从片架盒中取出并放入清洗舟内 2 2. 晶圆清洗、漂洗和甩干 1 3. 将晶圆从清洗盒中取出、检查并放到氧化舟内 2 4. 将氧化舟从反应炉中取出 0 5. 将晶圆从氧化舟中取出并放回到片架盒中 1 6. 将测试的晶圆从片架盒中取出 2 对晶圆操作总数 8
晶圆生产成品率的制约因素 晶圆破碎和弯 -12英寸晶圆厚度800um - 热处理 一自动化设备 ·工艺制程不断变化 光刻掩模版缺陷 -污染物 一石英板基中的裂痕 一图案变形 9
9 晶圆生产成品率的制约因素 • 晶圆破碎和弯曲 − 12英寸晶圆厚度800m − 热处理 − 自动化设备 • 工艺制程不断变化 • 光刻掩模版缺陷 − 污染物 − 石英板基中的裂痕 − 图案变形
缺陷与成品率 1 Yoc (1+DA)” Y:整体成品率 D:致命性缺陷密度 A:芯片面积 n：制造步骤 10
10 缺陷与成品率 n DA Y (1 ) 1 + Y：整体成品率 D：致命性缺陷密度 A：芯片面积 n ：制造步骤