上海韦尔半导体股份有限公司2017年年度报告

韦导体 上海韦尔半导体股份有限公司2017年年度报告 北京集电 指北京集成电路设计与封测股权投资中心(有限合伙) 报告期 指|2017年1月1日至2017年12月31日 Integrated Circuit即集成电路,是采用半导体制作工艺,在一块较小的 指单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件,并按照多层 布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。 Transient Voltage Suppresser,即瞬态电压抑制器,是普遍使用的一种新 指/型高效电路保护器件。它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的 浪涌吸收能力,可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产 生的瞬变电压,以及感应雷所产生的过电压。 Meta- Oxide- Semiconductor Field- Effect Transistor,即金属氧化物半导体 MOSFET 指 场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电 路与数字电路的场效晶体管( Field- effecttransistor),依照其“通道”的 极性不同,可分为N-type与Ptpe的 MOSFET 肖特基( Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称SBD),在 特基二极管指通信电源变频器等中比较常见,是以金属和半导体接触形成的势垒为 导通压降更低(仅04V左右)的特点。 电源管理芯片|指 Power Management Integrated Circui,是在电子设备系统中担负起对电 能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片。 LDO 指| Low Dropout Regulator,即低压差线性稳压器,主要提供具有较低自有 噪声和较高电源抑制比的稳定电源。 DC-DC 指/在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压值的电能的转换电 路,也称为直流转换电源 LED背光驱动指D(发光二极管)作为背光源的应用过程中,把电源电压转换为驱动 该LED所需的电压、电流并对其进行保护的一种芯片 分立器件 指具有固定单一特性和功能的半导体器件,如:二极管、晶体管等 法拉、微法、皮法,电容器电容量单位,1F=1,00000 F、μF、pF lpF=1,00000F mm、μm、mm指毫米、微米、纳米,长度单位,1mm=1000m,1pm=100m ESD 指静电放电( Electro StaticDischarge),防静电指标。 射频芯片 用于接受信号和发送信号,是手机接打电话和接受短信时主管与基站通 信的部分 在半导体制造中,许多芯片工艺步骤采用光刻技术,用于这些步骤的图 形“底片”称为掩膜,其作用是:在硅片上选定的区域中对一个不透明的 掩膜 图形模板遮盖,继而下面的腐蚀或扩散将只影响选定的区域以外的区 Electronic Manufacturer Service EXER Electronic Contract Manufacturing EMS 指中文又译为专业电子代工服务,或电子专业制造服务,是为电子产品品 牌拥有者提供制造、采购、部分设计以及物流等一系列服务的生产厂商 Original Equipment Manufacturer,贴牌生产合作模式,俗称“贴牌生产”。 OEM 指/指企业利用自己掌握的品牌优势、核心技术和销售渠道,将产品委托给 具备生产能力的制造商生产后向市场销售。品牌拥有者(委托方)一般 自行负责设计和开发新产品,有时也与制造商(受委托方)共同设计研 5/198

上海韦尔半导体股份有限公司 2017 年年度报告 5 / 198 北京集电 指 北京集成电路设计与封测股权投资中心（有限合伙） 报告期 指 2017 年 1 月 1 日至 2017 年 12 月 31 日 IC 指 Integrated Circuit 即集成电路，是采用半导体制作工艺，在一块较小的 单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层 布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。 TVS 指 Transient Voltage Suppresser，即瞬态电压抑制器，是普遍使用的一种新 型高效电路保护器件。它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的 浪涌吸收能力，可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产 生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压。 MOSFET 指 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体 场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电 路与数字电路的场效晶体管（Field-effecttransistor），依照其“通道”的 极性不同，可分为 N-type 与 P-type 的 MOSFET。 肖特基二极管 指 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），在 通信电源、变频器等中比较常见。是以金属和半导体接触形成的势垒为 基础的二极管芯片，具有反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向 导通压降更低（仅 0.4V 左右）的特点。 电源管理芯片 指 Power Management Integrated Circuits，是在电子设备系统中担负起对电 能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片。 LDO 指 Low Dropout Regulator，即低压差线性稳压器，主要提供具有较低自有 噪声和较高电源抑制比的稳定电源。 DC-DC 指 在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压值的电能的转换电 路，也称为直流转换电源。 LED 背光驱动 指 LED（发光二极管）作为背光源的应用过程中，把电源电压转换为驱动 该 LED 所需的电压、电流并对其进行保护的一种芯片。 分立器件 指 具有固定单一特性和功能的半导体器件，如：二极管、晶体管等。 F、μF、pF 指 法 拉 、 微 法 、 皮 法 ， 电 容 器 电 容 量 单 位 ， 1F=1,000,000μF ， 1μF=1,000,000pF。 mm、μm、nm 指 毫米、微米、纳米，长度单位，1mm=1000μm，1μm=1000nm。 ESD 指 静电放电（ElectroStaticDischarge），防静电指标。 射频芯片 指 用于接受信号和发送信号，是手机接打电话和接受短信时主管与基站通 信的部分。 掩膜 指 在半导体制造中，许多芯片工艺步骤采用光刻技术，用于这些步骤的图 形“底片”称为掩膜，其作用是：在硅片上选定的区域中对一个不透明的 图形模板遮盖，继而下面的腐蚀或扩散将只影响选定的区域以外的区 域。 EMS 指 Electronic Manufacturer Service 或称 Electronic Contract Manufacturing， 中文又译为专业电子代工服务，或电子专业制造服务，是为电子产品品 牌拥有者提供制造、采购、部分设计以及物流等一系列服务的生产厂商。 OEM 指 Original Equipment Manufacturer，贴牌生产合作模式，俗称“贴牌生产”。 指企业利用自己掌握的品牌优势、核心技术和销售渠道，将产品委托给 具备生产能力的制造商生产后向市场销售。品牌拥有者（委托方）一般 自行负责设计和开发新产品，有时也与制造商（受委托方）共同设计研

韦导体 上海韦尔半导体股份有限公司2017年年度报告 「发,但品牌拥有者控制销售渠道。 Original Design Manufactucer,原始设计制造商。它可以为客户提供从产 ODM 指研发、设计制造到后期维护的全部服务,客户只需向ODM服务商提 出产品的功能、性能甚至只需提供产品的构思,ODM服务商就可以将 产品从设想变为现实。 Integrated Device Manufacturer,垂直整合制造商,代表垂直整合制造模 IDM 指式,指业务范围涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试等全业务环节的集 成电路企业组织模式。 无晶圆厂的集成电路设计企业,与IDM相比,指仅仅从事集成电路的 Fable 指研发设计和销售,而将晶圆制造、封装测试业务外包给专门的晶圆代工、 封装测试厂商的模式。 Field Application Engineer,现场技术支持工程师也叫售前售后服务工程 FAE 指/,售前对客户进行产品的技术引导和技术培训、为客户进行方案设计 以及给公司销售人员提供技术支持;售后对客户进行产品的售后技术服 务、市场引导并将市场信息反馈给研发人员。 Low Noise Amplifier,低噪声放大器。一般用作各类无线电接收机的高 频或中频前置放大器(比如手机、电脑或者iAD里面的wiFi)以及高 LNA 指/敏度电子探测设备的放大电路。在手机领域,它决定手机接收器的整 体性能。一般说来,噪声指数是LNA最重要的一个参数,通常LNA噪 声指数的性能太差时,便会影响到接收器侦测微弱信号的能力,影响手 机收信。 窄带物联网( Narrow Band Internet of Things,NB-loT)成为万物互联网 络的一个重要分支。NB-loT构建于蜂窝网络,只消耗大约180KHz的 NB-loT 指带宽,可直接部署于GSM网络、UMTS网络或LTE网络,以降低部署 成本、实现平滑升级。 NGB-WS 指 中国下一代广播无线及卫星网络( Next Generation Broadcasting Network-Wireless/Satellite 6/198

上海韦尔半导体股份有限公司 2017 年年度报告 6 / 198 发，但品牌拥有者控制销售渠道。 ODM 指 Original Design Manufactucer，原始设计制造商。它可以为客户提供从产 品研发、设计制造到后期维护的全部服务，客户只需向 ODM 服务商提 出产品的功能、性能甚至只需提供产品的构思，ODM 服务商就可以将 产品从设想变为现实。 IDM 指 Integrated Device Manufacturer，垂直整合制造商，代表垂直整合制造模 式，指业务范围涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试等全业务环节的集 成电路企业组织模式。 Fabless 指 无晶圆厂的集成电路设计企业，与 IDM 相比，指仅仅从事集成电路的 研发设计和销售，而将晶圆制造、封装测试业务外包给专门的晶圆代工、 封装测试厂商的模式。 FAE 指 Field Application Engineer，现场技术支持工程师,也叫售前售后服务工程 师。售前对客户进行产品的技术引导和技术培训、为客户进行方案设计 以及给公司销售人员提供技术支持；售后对客户进行产品的售后技术服 务、市场引导并将市场信息反馈给研发人员。 LNA 指 Low Noise Amplifier，低噪声放大器。一般用作各类无线电接收机的高 频或中频前置放大器（比如手机、电脑或者 iPAD 里面的 WiFi）以及高 灵敏度电子探测设备的放大电路。在手机领域，它决定手机接收器的整 体性能。一般说来，噪声指数是 LNA 最重要的一个参数，通常 LNA 噪 声指数的性能太差时，便会影响到接收器侦测微弱信号的能力，影响手 机收信。 NB-IoT 指 窄带物联网（Narrow Band Internet of Things, NB-IoT）成为万物互联网 络的一个重要分支。NB-IoT 构建于蜂窝网络，只消耗大约 180KHz 的 带宽，可直接部署于 GSM 网络、UMTS 网络或 LTE 网络，以降低部署 成本、实现平滑升级。 NGB-WS 指 中 国 下 一 代 广 播 无 线 及 卫 星 网 络 （ Next Generation Broadcasting Network-Wireless/Satellite）

韦导体 上海韦尔半导体股份有限公司2017年年度报告 第二节公司简介和主要财务指标 公司信息 公司的中文名称 上海韦尔半导体股份有限公司 公司的中文简称 韦尔股份 公司的外文名称 Will Semiconductor Co. Ltd. Shanghai 的外文名称 Willsemi 公司的法定代表人 马剑秋 、联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 贾渊 任冰 联系地址上海市浦东新区龙东大道300号4号楼上海市浦东新区龙东大道3000号4号楼 电话 021-50805043 021-50805043 传真 021-50152760 021-50152760 电子信箱 stock ash-willsemi com tock@sh-willsemi.com 三、基本情况简介 公司注册地址 中国(上海)自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层 公司注册地址的邮政编码 201203 公司办公地址 中国(上海)自由贸易试验区龙东大道30091幢C楼7层 公司办公地址的邮政编码 201203 公司网址 www.willsemi.com 电子信箱 stock@sh-willsemi com 四、信息披露及备置地点 公司选定的信息披露媒体名称 上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报 登载年度报告的中国证监会指定网站的网址 www.sse.comcn 公司年度报告备置地点 公司证券投资部 五、公司股票简况 公司股票简况 股票种类股票上市交易所 股票简称 股票代码变更前股票简称 上海证券交易所 韦尔股份 603501 六、其他相关资料 名称 立信会计师事务所(特殊普通合伙) 公司聘请的会计师事务所(境 办公地址 上海市南京东路61号新黄浦金融大厦4楼 内) 签字会计师姓名谢骞、彭城 报告期内履行持续督导职责的名称 国信证券股份有限公司 保荐机构 办公地址 北京市西城区金融大街兴盛街6号国信证券 大厦7层 7/198

上海韦尔半导体股份有限公司 2017 年年度报告 7 / 198 第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司信息 公司的中文名称 上海韦尔半导体股份有限公司 公司的中文简称 韦尔股份 公司的外文名称 Will Semiconductor Co., Ltd. Shanghai 公司的外文名称缩写 Willsemi 公司的法定代表人 马剑秋 二、 联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 贾渊 任冰 联系地址 上海市浦东新区龙东大道3000号4号楼 上海市浦东新区龙东大道3000号4号楼 电话 021-50805043 021-50805043 传真 021-50152760 021-50152760 电子信箱 stock@sh-willsemi.com stock@sh-willsemi.com 三、 基本情况简介 公司注册地址 中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层 公司注册地址的邮政编码 201203 公司办公地址 中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层 公司办公地址的邮政编码 201203 公司网址 www.willsemi.com 电子信箱 stock@sh-willsemi.com 四、 信息披露及备置地点 公司选定的信息披露媒体名称 上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报 登载年度报告的中国证监会指定网站的网址 www.sse.com.cn 公司年度报告备置地点 公司证券投资部 五、 公司股票简况 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所 韦尔股份 603501 - 六、 其他相关资料 公司聘请的会计师事务所（境 内） 名称 立信会计师事务所（特殊普通合伙） 办公地址 上海市南京东路 61 号新黄浦金融大厦 4 楼 签字会计师姓名 谢骞、彭城 报告期内履行持续督导职责的 保荐机构 名称 国信证券股份有限公司 办公地址 北京市西城区金融大街兴盛街 6 号国信证券 大厦 7 层

韦导体 上海韦尔半导体股份有限公司2017年年度报告 签字的保荐代表 李勇、陈亚辉 人姓名 持续督导的期间2017年5月4日2019年12月31日 七、近三年主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 单位:元币种:人民币 主要会计数据 2017年 2016年 本期比上年同期 2015年 营业收入 2405,916266812,160,76952987 113551,983.27123411 归属于上市公司股137156,31800 东的净利润 141,690,91938 -3.20115,369,792.17 归属于上市公司股 东的扣除非经常性120,56,02845 127036,355.87 509106,726.84212 损益的净利润 经营活动产生的现|21942388 70,116453.25 48786-46,791,55135 2017年末 2016年末 本期末比上年同2015年末 期末增减(%) 归属于上市公司股19458 808.758.01904 45.87 东的净资产 2296,24937 总资产 2,82490820363164567186048 71.661,468,146,13223 (二)主要财务指标 主要财务指标 2017年 本期比上年同期增 2015年 基本每股收益(元/股) 0.34 0.38 稀释每股收益(元/股) 0.34 10.53 扣除非经常性损益后的基本每 0.30 股收益(元/股) 11.76 加权平均净资产收益率(%) 13.39 1953减少614个百分点 扣除非经常性损益后的加权平 11.77 均净资产收益率(%) 1751 减少574个百分点 18.37 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 口适用√不适用 八、境内外会计准则下会计数据差异 (一同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东 的净资产差异情况 口适用√不适用 8/198

上海韦尔半导体股份有限公司 2017 年年度报告 8 / 198 签字的保荐代表 人姓名 李勇、陈亚辉 持续督导的期间 2017 年 5 月 4 日-2019 年 12 月 31 日 七、 近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元币种：人民币 主要会计数据 2017年 2016年 本期比上年同期 增减(%) 2015年 营业收入 2,405,916,266.81 2,160,769,529.87 11.35 1,983,271,234.11 归属于上市公司股 东的净利润 137,156,318.00 141,690,919.38 -3.20 115,369,792.17 归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益的净利润 120,567,028.45 127,036,355.87 -5.09 106,726,842.12 经营活动产生的现 金流量净额 -271,954,275.88 70,116,453.25 -487.86 -46,791,551.35 2017年末 2016年末 本期末比上年同 期末增减（%） 2015年末 归属于上市公司股 东的净资产 1,179,764,415.88 808,758,019.04 45.87 642,296,249.37 总资产 2,824,908,203.63 1,645,671,860.48 71.66 1,468,146,132.23 (二) 主要财务指标 主要财务指标 2017年 2016年 本期比上年同期增 减(%) 2015年 基本每股收益（元／股） 0.34 0.38 -10.53 0.31 稀释每股收益（元／股） 0.34 0.38 -10.53 0.31 扣除非经常性损益后的基本每 股收益（元／股） 0.30 0.34 -11.76 0.29 加权平均净资产收益率（%） 13.39 19.53 减少6.14个百分点 19.86 扣除非经常性损益后的加权平 均净资产收益率（%） 11.77 17.51 减少5.74个百分点 18.37 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 □适用 √不适用 八、 境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东 的净资产差异情况 □适用 √不适用

韦导体 上海韦尔半导体股份有限公司2017年年度报告 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的 净资产差异情况 口适用√不适用 (三)境内外会计准则差异的说明: 口适用√不适用 九、2017年分季度主要财务数据 单位:元币种:人民币 第一季度 第二季度 第三季度 第四季度 (1-3月份) (4-6月份) (7-9月份)(10-12月份) 营业收入 39824428784516,283,16026703,70547780787683,34091 归属于上市公司股东的净 利润 359667479422.843,3762841,5476287636,798,56502 归属于上市公司股东的扣 除非经常性损益后的净利24212,2014722.864,3358741,4626069432,027,8817 润 经营活动产生的现金流量696782890843042562931416653715392345266 净额 季度数据与已披露定期报告数据差异说明 口适用不适用 十、非经常性损益项目和金额 √适用口不适用 单位:元币种人民币 非经常性损益项目 2017年金额附注(如适 2016年金额2015年金额 非流动资产处置损益 605.80792 411890.1324551098 越权审批,或无正式批准文件,或 偶发性的税收返还、减免 计入当期损益的政府补助,但与公751678793 13,70050511119774900 司正常经营业务密切相关,符合国 家政策规定、按照一定标准定额或 定量持续享受的政府补助除外 计入当期损益的对非金融企业收取 的资金占用费 企业取得子公司、联营企业及合营1,11359769 企业的投资成本小于取得投资时应 享有被投资单位可辨认净资产公允 价值产生的收益 非货币性资产交换损益 委托他人投资或管理资产的损益 因不可抗力因素,如遭受自然灾害 9/198

上海韦尔半导体股份有限公司 2017 年年度报告 9 / 198 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的 净资产差异情况 □适用 √不适用 (三)境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 九、 2017 年分季度主要财务数据 单位：元币种：人民币 第一季度 （1-3 月份） 第二季度 （4-6 月份） 第三季度 （7-9 月份） 第四季度 （10-12 月份） 营业收入 398,244,287.84 516,283,160.26 703,705,477.80 787,683,340.91 归属于上市公司股东的净 利润 35,966,747.94 22,843,376.28 41,547,628.76 36,798,565.02 归属于上市公司股东的扣 除非经常性损益后的净利 润 24,212,201.47 22,864,335.87 41,462,606.94 32,027,884.17 经营活动产生的现金流量 净额 69,678,289.08 -43,042,562.93 -144,666,549.37 -153,923,452.66 季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 十、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 2017 年金额 附注（如适 用） 2016 年金额 2015 年金额 非流动资产处置损益 605,807.92 411,890.13 245,510.98 越权审批，或无正式批准文件，或 偶发性的税收返还、减免 计入当期损益的政府补助，但与公 司正常经营业务密切相关，符合国 家政策规定、按照一定标准定额或 定量持续享受的政府补助除外 7,516,787.93 13,700,505.11 11,977,492.00 计入当期损益的对非金融企业收取 的资金占用费 企业取得子公司、联营企业及合营 企业的投资成本小于取得投资时应 享有被投资单位可辨认净资产公允 价值产生的收益 1,113,597.69 非货币性资产交换损益 委托他人投资或管理资产的损益 因不可抗力因素，如遭受自然灾害