十三、恒定磁场的基本方程:1、磁通连续性原理:B.ds=0→ .B=0{H.di -I = VxH=J2、安培环路定律:3、磁场强度与磁感应强度的关系:H=(B-M) = B=M(H+M)oB=uH→M=XmH对于线性、各向同性媒质:V?A=-μj4、矢量磁位满足泊松方程:5、标量磁位满足拉普拉斯方程:dm=0 =(J=0)
3 、磁场强度与磁感应强度的关系: ( ) ( ) 0 M B H M B H 0 对于线性、各向同性媒质: B H M m H 4 、矢量磁位满足泊松方程: 0 ( ) 2 J 0 m A J 2 5 、标量磁位满足拉普拉斯方程: 十三、恒定磁场的基本方程: 1、磁通连续性原理: B dS B 0 s 0 2、安培环路定律: H dl I H J c
十四、不同媒质分界面上的边界条件:Bin = Bzn磁场的法向分量连续。切向分量关系:nx(H-H,)=JJ=0时,分界面上的,,与μ2之间的关系:nx(H,-H,)=0 → Hit=H2t[Bin= B2n [B, cos =B, cosd,H,= H2tH, sing = H, sing,tan0, -川.B=uHtan0,1l2
十四、不同媒质分界面上的边界条件: 磁场的法向分量连续。 B1n B2n 切向分量关系: s n H H J ( 1 2 ) Js 0 时,分界面上的 与 之间的关系: 1 2 2 . 1. 1 1 2 2 1 2 2 1 2 2 sin sin cos cos H H B B H H B B 1 t t 1n n B H 2 1 2 1 tan tan H H H1t H t n 1 2 2 ( ) 0
用位函数表示的分界面上的边界条件:当j。=0时,在分界面上的位函数为:n×(A, -A,)=0(4-70)i×(二V×A-1V×A,)=0uμ2ad0Φmlm2u2OnOn(4-71)DDm2
用位函数表示的分界面上的边界条件: ( ) 0 n A1 A2 ) 0 1 1 ( 2 2 1 1 n A A (4-70) 1 2 2 2 1 1 m m m m n n (4-71) 当 J s 0 时,在分界面上的位函数为:
dmi标量磁位单位:安(A)j=0 时 V×H=0 VxVΦ=0 ::H=-Vo[H.di=0mu-0mBUmAB =A、B两点间的磁压UmABma=[H.diA~B:积分路径不得穿越电流限定的面。40B标量磁位Φ满足拉普拉斯方程:Vo..=0V.(uH)=μV.H=μV.(-Vom)=0.V?0m=V.M非均匀磁化介质V·M0.V?...Psm =n.MV.M=-Pmm=-Pm4元JPdv+Psmds"gm(r)=4元RR4元V.MM.n14元JRR4元JS
标量磁位 m: 单位:安(A) J 0 时 H m H 0 0 标量磁位 m 满足拉普拉斯方程: A B mA H dl 0 A、B两点间的磁压 U mAB : mA mB B A mAB U H dl A~B:积分路径不得穿越电流限定的面。 0 m 2 ( ) ( ) 0 H H m 非均匀磁化介质
十五、电感L:自感:互感:内自感与外自感:@@Φ Φ 12L :LIM 121IiI2Φ,= Φ +Φ12 IΦ 22Φ 21M 2112IΦ2 = Φ 22 +Φ 2计算互感的一般公式:Φm2i=[B,r-dS= [(VxA.).dS= $Ar-dl,CCZ10.磁场能量:W,=)EdEZId-{H.BdVW.=21-1百:2;1H.B磁场的能量密度wm21LI2对于一个孤立的电流回路,其磁场能量为:Wm=22Wm1uH?dvL =则自感:1211
十五、电感 L: I L 2 22 22 1 11 11 I L I L 自感: 互感: 1 21 21 2 12 12 I M I M 内自感与外自感: 计算互感的一般公式: 2 2 2 21 21 21 2 ( ) C C C m21 B dS A dS A dl 2 22 21 1 11 12 磁场能量: i N i i N i m i i W I d I 1 1 1 0 2 1 V m W H BdV 2 1 w m H B 2 1 磁场的能量密度 则自感: V m H dV I I W L 2 2 2 2 1 对于一个孤立的电流回路,其磁场能量为: 2 2 1 W LI m