准静电场 EQS场的电场与静电场满足相同的微分方程， 在任一时刻t，两种电场分布一致，解题方法相同。 EOs场的藏场则按v×H=J+D计算。 注意：电准静态场中的电场方程与静电场中方程相同， 但电准静态场中的电场是时变的，这区别于静电场。 在低频交流情况下，平板电容器中的电磁场属于电 准静态场 P187例
第 五 章 准静态电磁场 在任一时刻 t ，两种电场分布一致，解题方法相同。 EQS场的磁场则按 计算。 t = + D H J EQS 场的电场与静电场满足相同的微分方程， 在低频交流情况下，平板电容器中的电磁场属于电 准静态场 P187例 注意：电准静态场中的电场方程与静电场中方程相同， 但电准静态场中的电场是时变的，这区别于静电场
第五 准静态电淋场 磁准静态场(MQS) 若传导电流远大于位移电流，忽略二次源 D的 作用，即J,≈0 VxH≈J，V.B=O V×E=-∂B/at,V,D=0 7.B=0→B=VxA B+Vx(E+ ∂ A 6A VXE=- =0→E=-V0- Ot 8t 特点：磁场的有旋无源性与恒定磁场相同，称为磁准 静态场(MQS) 用库仑规范V·A=Q得到泊松方程 V2A=-uJ V0=-p1ε 返回上页下页
第 五 章 准静态电磁场 若传导电流远大于位移电流，忽略二次源 的 作用，即 0 d J t D , 0 , / , 0 t = = − = H J B E B D 特点：磁场的有旋无源性与恒定磁场相同，称为磁准 静态场（MQS）。 磁准静态场 用库仑规范 A= 0，得到泊松方程 , / 2 2 A = − J = − 返 回 上 页 下 页 （MQS）。 B = 0 → B = A t = − B E ( ) = 0 + t A E t = − − A E
第五 准静癒电嫩场 思考EQS与MQS的共性与个性 “p,A满足静态泊松方程，说明EQS和MQS没有波动性（忽 略掉了相应的时变项)。认为场与源之间具有类似静态场中的场 与源之间的瞬间对应关系，称为似稳场。 。在EQS和MQS场中，同时存在着电场与磁场，两者相 互依存。 EQS场的电场与静电场满足相同的微分方程， 在任一时刻t，两种电场分布一致，解题方法相同。 而EQS场的磁场按V×H=J+ 计算 返回 上页 下页
第 五 章 准静态电磁场 思考 EQS 与 MQS 的共性与个性 上 页 下 页 满足静态泊松方程，说明 EQS 和 MQS 没有波动性(忽 略掉了相应的时变项）。认为场与源之间具有类似静态场中的场 与源之间的瞬间对应关系，称为似稳场。 , A 在任一时刻 t ，两种电场分布一致，解题方法相同。 而EQS场的磁场按 计算。 t = + D H J EQS 场的电场与静电场满足相同的微分方程， 在 EQS 和 MQS 场中，同时存在着电场与磁场，两者相 互依存。 返 回
准静态电嫩场 MQS场的磁场与恒定磁场满足相同的基本方程， 在任一时刻t，两种磁场分布一致，解题方法相同。 而MQS场的电场按xE=- 6 b计算。 以下两种情况可看作嫩准静态场来计算： 1,对于导体中的时变电磁场，满足： <1 则位移电流可以忽略，可按磁准静态场来处理。把 满足上述条件的导体称为良导体。 返回 上页 下页
第 五 章 准静态电磁场 MQS场的磁场与恒定磁场满足相同的基本方程， 在任一时刻 t ，两种磁场分布一致，解题方法相同。 而MQS场的电场按 计算。 t = − B E 返 回 上 页 下 页 以下两种情况可看作磁准静态场来计算： 1，对于导体中的时变电磁场，满足： 则位移电流可以忽略，可按磁准静态场来处理。把 满足上述条件的导体称为良导体。 1
准静电场 2.对于理想介质中的时变电磁场满足： R<<见 即当场点到源点的距离远小于场的波长时，略去位移 电流才是合理的。 上 述两种条件称为近似条件或似稳条件
第 五 章 准静态电磁场 2. 对于理想介质中的时变电磁场满足： R 即当场点到源点的距离远小于场的波长时，略去位移 电流才是合理的。 上 上述两种条件称为近似条件或似稳条件 述