P2P2.689C52A0~A7A8~A15+5VEA27C51274HC573ECEALEDO~D70EPO,0PO.7PSEN图6-2-2数据存储器一般用以存储现场采集的数据、运算的结果等，因此采用能随机读写的RAM存储器。89C52等大多数单片机内都有256字节RAM，在控制应用场合，通常能满足应用需求。在数据采集等特殊应用中，可在外部并行扩展一片RAM，在允许掉电又要不丢失系统运行参数的特殊应用中，也可扩展E2PROM或FLASH存储器。数据存储器一般用以存储现场采集的数据、运算的结果等，因此采用能随机读写的RAM存储器。89C52等大多数单片机内都有256字节RAM，在控制应用场合，通常能满足应用需求。在数据采集等特殊应用中，可在外部并行扩展一片RAM，在允许掉电又要不丢失系统运行参数的特殊应用中，也可扩展E2PROM或FLASH存储器。6.3数据存储器扩展6.3.1常用RAM芯片图6-2-3为常用PAM芯片6116（2K）、6264（8K）、62256（32K）的引脚图，这些芯片的引脚符号和使用方法相似。引脚说明：A0~Ai：地址输入引脚，i=10（6116），12（6262），14（62256）；00~07：双向三态数据引脚，有时用DO~D7表示；
图 6-2-2 数据存储器一般用以存储现场采集的数据、运算的结果等，因此采用能随机 读写的RAM存储器。89C52等大多数单片机内都有256字节RAM，在控制应用场 合，通常能满足应用需求。在数据采集等特殊应用中，可在外部并行扩展一片RAM， 在允许掉电又要不丢失系统运行参数的特殊应用中，也可扩展E2PROM或FLASH 存储器。 数据存储器一般用以存储现场采集的数据、运算的结果等，因此采用能随机读 写的RAM存储器。89C52等大多数单片机内都有256字节RAM，在控制应用场合， 通常能满足应用需求。在数据采集等特殊应用中，可在外部并行扩展一片RAM，在 允许掉电又要不丢失系统运行参数的特殊应用中，也可扩展E2PROM或FLASH存储 器。 6.3数据存储器扩展 6.3.1 常用RAM芯片 图6-2-3为常用PAM芯片6116（2K）、6264（8K）、62256（32K）的引脚 图，这些芯片的引脚符号和使用方法相似。 引脚说明： A0～Ai：地址输入引脚，i=10（6116），12（6262），14（62256）； O0～O7：双向三态数据引脚，有时用DO～D7表示；
CE：选片信号输入引脚，低电平有效；OE：读选通信号输入引脚，低电平有效；WE：写选通信号输入引脚，低电平有效；Vcc：工作民源+5V；GND：线路地。6.3.2RAM存储器的扩展和读写操作一、扩展方法51系列单片机外部的RAM、I/O接口共占一个64K地址空间，在并行扩展RAM的系统中，多数还要扩展I/O接口电路。图6-3-1为89C52扩展一片RAM的一种接口方法，62256占用的地址空间为0～7FFFH，若还要扩展多片I/O接口，可采用图6-3-2对8000H～FFFFH的地址空间译码产生I/O接口的选择片信号CS0~CS7。A15(P2.7)A14~A8(P2.6~0)89C52A0-ATA8-A14CE74HC573EALE62256DO~D7食Po图 6-3-1
CE：选片信号输入引脚，低电平有效； OE：读选通信号输入引脚，低电平有效； WE：写选通信号输入引脚，低电平有效； Vcc：工作民源+5V； GND：线路地。 6.3.2 RAM存储器的扩展和读写操作 一、扩展方法 51系列单片机外部的RAM、I/O接口共占一个64K地址空间，在并行扩展RAM 的系统中，多数还要扩展I/O接口电路。图6-3-1为89C52扩展一片RAM的一种接 口方法，62256占用的地址空间为0～7FFFH，若还要扩展多片I/O接口，可采用 图6-3-2对8000H～FFFFH的地址空间译码产生I/O接口的选择片信号CS0～ CS7。 图 6-3-1
YACSOA12(8000H--8FFFH)区区A13CS1B(9000H9FFFH)DA14CS2(A000H~AFFFH).美A15GIGY.CS7(FOOOH-FFFFH)2G74HC138图6-3-2二、外部RAM的读写程序对图6-3-1中RAM的读写操作，可以用RO、R1、DPTR作指针访问，这取决于变量定义在Pdata区或xdata区。ICIIC2IC310H39DODODO132DOAO8082P1.0/T2PO.08688%38D112D5DIP1.1/T2EXPO.I021302o8D2D2PO.2P1.27D315D336D389P1.3PO.3D380124070B的BD35DT1316D4D46P1.4PO.4D4DSDS1415S17634P1.5PO.5B05888%3D60617418D6P1.6PO.6832.D7D7181919DP1.7D7PO.7Q7213A8A92421INTTP2.0YO22A93AO1211:P2.1LEA1INTO23A10AIIVecP2.215242A129AI74LS373TIP2261425A13A/3TOP2.4AIA142.0k226P2.5A147.A14P2.6A15EA/Vp2028A15CsP2.71927x1WETR22X2OE109RXDRESET6225611TXD1730RDALE/P29科技大学山16WRPSEN87C52/89C52(a)图6-3-3aMCS-51系列单片机与SRAM存储器的连接(2)
图 6-3-2 二、外部RAM的读写程序 对图6-3-1中RAM的读写操作，可以用RO、R1、DPTR作指针访问，这取决于 变量定义在Pdata区或xdata区。 图6-3-3a MCS-51系列单片机与SRAM存储器的连接(2)
IC2IC3ICI1o2DODOUDOAODOP1.0/T2PO.0QQA38DIDI4595DQ1N00P1.1/T2EXPO.137D2D2D268P1.2PO.2D2Q2A2O1PI.3PO.3D3Q3A3D321235D43D45D4PI.4P0.4D4Q4A4DS6515DS34PI.5PO.50Q5ASD0633D6716D6D6P1.6PO.6O6D6N619DD78P1.7PO.7DTQ7A7D725A813A8212INTI90F1921912A10LEINTO223A10VcA11150AIA2474LS3731A1214A1274P2.4TOAT2.0k2163A142627EAVrCS220csTP2.72719XIWEeX2OED10RXDRESET62641TXD130RDALE/P60WRPSEN科技大学87C52/89C52(b)图6-3-3bMCS-51系列单片机与SRAM存储器的连接(2)6264SRAM芯片有高电平有效片选信号CS2和低电平有效片选信号CS1，只有CS2为高电平、CS1为低电平时，6264SRAM芯片才处于选中状态。为防止SRAM单元被意外写入，当系统中只有一片6264芯片时，可采用如图6-3-3(b)所示的连接方式。高电平有效片选信号CS2接未用的高位地址线P2.6（即A14）：低电平有效片选信号CS1接未用的高位地址线P2.7(即A15)。可见，当A15为低电平、A14为高电平时，6264被选中，地址范围在4000H5FFFH(A13没有参与连线，可取任意值）之间。当系统中含有两块SRAM芯片时，可采用图6-3-4所示的连接方式，片选信号直接与未用的高位地址线相连。由于MCS-51芯片外部RAM地址空间与扩展I/O端口空间统一编址，或者说扩展I/O端口是外部RAM的一部分。因此，在MCS-51应用系统中，常采用高位地址译码法产生外部RAM的片选信号和I/O端口的选通信号。在图6-3-4所示的电路中，外部数据RAM采用62256芯片，容量为32KB，A15地址线接62256SRAM片选信号CS，因此62256地址空间为0000H～7FFFH；74LS138译码器A、B、C输入端分别与P2.3(A11)、P2.4(A12)、P2.5(A13)相连，译码输出允许端E1、E2接CPU地址线A14(低
图6-3-3b MCS-51系列单片机与SRAM存储器的连接(2) 6264 SRAM芯片有高电平有效片选信号CS2和低电平有效片选信号CS1，只有 CS2为高电平、CS1为低电平时，6264 SRAM芯片才处于选中状态。为防止SRAM单 元被意外写入，当系统中只有一片6264芯片时，可采用如图6-3-3(b)所示的连接方式。 高电平有效片选信号CS2接未用的高位地址线P2.6(即A14)；低电平有效片选信号 CS1接未用的高位地址线P2.7(即A15)。可见，当A15为低电平、A14为高电平时，6264 被选中，地址范围在4000H～5FFFH(A13没有参与连线，可取任意值)之间。当系统 中含有两块SRAM芯片时，可采用图6-3-4所示的连接方式，片选信号直接与未用的 高位地址线相连。 由于MCS-51芯片外部RAM地址空间与扩展I/O端口空间统一编址，或者说扩展 I/O端口是外部RAM的一部分。因此，在MCS-51应用系统中，常采用高位地址译码 法产生外部RAM的片选信号和I/O端口的选通信号。在图6-3-4所示的电路中，外部 数据RAM采用62256芯片，容量为32KB，A15地址线接62256 SRAM片选信号CS， 因此62256地址空间为0000H～7FFFH；74LS138译码器A、B、C输入端分别与 P2.3(A11)、P2.4(A12)、P2.5(A13)相连，译码输出允许端E1、E2接CPU地址线A14(低
电平有效），E3接A15（高电平有效），根据138译码器译码条件，可知各译码端对应的地址ICIIC2IC3101139 DODIA0DO3P1.0/T2PO.O868838Q0AO858898218DI912DI86883885222ROPL.I/T2EXPO.1SBBD23713100n爱家空营面AD38155X13D416434D5D51517A6r33D6D618DeFiSPO.6BDB0DK32TOPO.71321A8OEINTIA921LEINTO2A1015A1274L.S373一ATI14ATOAI2.0km31A14ENNA1590AIL0CS319OE18X2WE109RESETRXD6225611RTXD17.RDALE/P2.0k2IC620dWRPSENCLR74LS0287C52/89C52CLK1039000001eIC4DODRSO88ROA1115IDIBAEEEAA1242D2B3.A13CD414DS-D617A15106E318A14.49dET74LS273Y7E274LS138输入口选通信号图6-3-4MCS-51系列单片机数据存储器、扩展I/O口片选信号通用电路在图6-3-4中，使用了一片74LS273D型触发器（上升沿触发）扩展了一个8位输出口。当Y0有效时，或非门(74LS02)IC5A解锁（等效于一个反相器），74LS273D型触发器的送数脉冲CLK与CPU外部数据存储器写控制信号相位反相。于是，对8000H端口执行如下写操作时，即可将累加器Acc中的信息输出到IC6的O端。MOVDPTR,#8000HMOVX@DPTR,A当Y6有效时，或非门IC5C输出信号与CPU外部数据存储器读控制信号RD相位反相，IC5D输出端（13引脚）信号相位与CPU外部数据存储器读控制信号RD相同，可作为低电平有效输入口选通信号
电平有效)，E3接A15(高电平有效)，根据138译码器译码条件，可知各译码端对应的 地址 图6-3-4 MCS-51系列单片机数据存储器、扩展I/O口片选信号通用电路 在图6-3-4中，使用了一片74LS273 D型触发器(上升沿触发)扩展了一个8位输出 口。当Y0有效时，或非门(74LS02)IC5A解锁(等效于一个反相器)，74LS273 D型触 发器的送数脉冲CLK与CPU外部数据存储器写控制信号 相位反相。于是，对 8000H端口执行如下写操作时，即可将累加器Acc中的信息输出到IC6的Q端。 MOV DPTR，#8000H MOVX @DPTR，A 当Y6有效时，或非门IC5C输出信号与CPU外部数据存储器读控制信号RD相位 反相，IC5D输出端(13引脚)信号相位与CPU外部数据存储器读控制信号RD相同，可 作为低电平有效输入口选通信号