§1.2集成电路发展史 1959年-发明平面工艺技术 1959年7月Fairchild公司Robert Noyce结合其同事Jean Hoerni 发明的刻蚀氧化硅工艺，在电路上淀积金属薄层进行电路连接， 使复杂集成电路成为可能。 20O0年，Jack Kilby,Robert Noyce?获得Nobel物理奖。 2018-9-5 第1章VLSI概论 §1.2集成电路发展史 1960年：Bell实验室 gate Kahng和Atalla造出 第一个MOSFET source >栅极：A山 >沟道长度：25μm drain >栅氧层厚度：100nm 25un™ 2018-9-5 第1章VLSI概论 18
2018-9-5 第1章 VLSI概论 17 • 1959年 – 发明平面工艺技术 1959年7月Fairchild公司Robert Noyce结合其同事Jean Hoerni 发明的刻蚀氧化硅工艺,在电路上淀积金属薄层进行电路连接, 使复杂集成电路成为可能。 2000年，Jack Kilby， Robert Noyce获得Nobel物理奖。 §1.2 集成电路发展史 2018-9-5 第1章 VLSI概论 18 •1960年: Bell实验室 Kahng和Atalla造出 第一个MOSFET ¾栅极：Al ¾沟道长度：25µm ¾栅氧层厚度：100nm §1.2 集成电路发展史
§1.2集成电路发展史 Bipolar logic 1960's ECL 3-input Gate Motorola 1966 GROUND 2018-9-5 第1章VLSI概论 19 §1.2集成电路发展史 1967年：Bell实验室的Kahng和Sze发明浮栅(Floating gate)技术 浮栅 栅极 源极 漏极 t n+ n+ 衬底 器件截面图 2018-9-5 第1章VLSI概论 20
2018-9-5 第1章 VLSI概论 19 §1.2 集成电路发展史 Bipolar logic 1960’s ECL 3-input Gate Motorola 1966 2018-9-5 第1章 VLSI概论 20 •1967年：Bell实验室的Kahng和Sze发明浮栅（Floating gate）技术 §1.2 集成电路发展史 器件截面图 浮栅 源极 衬底 栅极 漏极 n＋ p tox tox n＋