7.3施密特触发器 Uo 传输特性 2.电压滞回特性 UoH 3.主要参数 AUT (1)上限阈值电压U+ UoL UT+ UT+=2/3'cc 0 1/3Vcc 2/3Vcc (2)下限阈值电压U1一 UT_=1 /3Vcco 2/3'c （3)回差电压U1 1/3Vcc 40=U+-Um_=1/3Vcc 机电学院电气工程系 上一页下一页回目录 退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 u I t uO t 2. 电压滞回特性 1/3VCC Uo Ui 0 传输特性 UOH UOL 2/3VCC UT+ UT — ΔUT UT — UT+ ΔUT 3. 主要参数 （1）上限阈值电压UT+ UT+=2/3VCC。 （2）下限阈值电压UT— UT—=1 /3VCC。 （3）回差电压ΔUT ΔUT= UT+－UT—=1 /3VCC 1/3VCC 2/3VCC 7.3 施密特触发器
7.3施密特触发器 4.输出端U”o的作用 RD (8) 5k UIC 5 555 7) 放电 1) 0 改变输出高电平的数值 心，机电学院电气工程系 上一页下一页回目录退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 O U’ t O U t VCC2 1 2 6 5 VCC RD 555 3 7 8 4 VCC VCC2 R UIC UI1 UI2 UI UO UO 4. 输出端U’O的作用 C U 5k S 1 (2) 2/3V (7) (6) u & 放电端 I1 (3) G V & u O CC (4) T CC C I2 (8) 5k 5k 2 CC R (1) & 1 1/3V V O R U I U’ CC2 U O Q Q 改变输出高电平的数值 7.3 施密特触发器
7.3施密特触发器 二、用门电路组构成的施密特触发器 1.结构 G1、G组成RS锁存器，二极管D产生回差电压。 U 01 U or 024 G2 02个 当U=0V时，Uo2为高电平，Uo1为低电平。 机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 二、用门电路组构成的施密特触发器 1. 结构 G1、G2组成RS锁存器，二极管D产生回差电压。 D & & 1 UO1 O2 U R S U I G3 G1 2 G I U O1 U O2 U t t t U T+ U T- 当UI=0V时，UO2为高电平，UO1为低电平。 7.3 施密特触发器
7.3施密特触发器 当U上升至Uh=1.4V时，Uo1变高电平，Uo2变低电平。 当U继续上升时，电路将保持这种状态不变。 当U由>Uh处开始下降时，在U下降到U时，电路状态不变。 当U继续下降到k(UUD)=0.7V时，U个 Uo2变为高电平，Uo变为低电平。 U K U or 002 0+=1.4V m_=0.7V 达机电学院电气工程深 上一页下一页回目录 退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 I U O1 U O2 U t t t U T+ U T- 当UI上升至Uth=1.4V时，UO1变高电平，UO2变低电平。 当UI继续上升时，电路将保持这种状态不变。 当UI由>Uth处开始下降时，在UI下降到Uth时，电路状态不变。 当UI继续下降到<（Uth-UD）=0.7V时， UO2变为高电平，UO1变为低电平。 D & & 1 UO1 O2 U R S UI G3 G1 G2 UT+=1.4V UT—=0.7V 7.3 施密特触发器
7.3施密特触发器 三，集成施密特触发器 1.CMOS集成施密特触发器CC40106 2.TTL集成施密特触发器74LS14 14 OVDD 14 oVCC 13o6A 13 06A 1Yo 2 12o6Y 1Yo2 回 12 2A03 11O5A 2A03 回 115A 2Yo 4 10o5y 2Yo 4 10o5Y 3A0 904A 04A 3Yo 6 8 04Y 3Yo 6 O4Y Vsso 7 GNDO 7 CC40106 74LS14 机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出
机电学院电气工程系 上一页 下一页 回目录 退出 三．集成施密特触发器 2. TTL集成施密特触发器74LS14 1. CMOS集成施密特触发器CC40106 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y 4A 4Y 5A 5Y 6A 6Y V V DD SS CC40106 1 2 3 4 5 6 7 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y GND 8 9 10 11 12 13 14 4A 4Y 5A 5Y 6A 6Y VCC 74LS14 7.3 施密特触发器