JFET的特性曲线 在区内，栅源电压愈负，输出特性愈倾斜，漏源间的等效电 阻愈大。因此，在I区中，FET可看作一个受栅源电压vGs控制 的可变电阻，故得名为可变电阻区。 ip Kn[2(vGs -Vp)VDs-Vps] Ⅱ区称为饱和区或恒流区，FET用作放大电路时，一般就工作 在这个区域，称为线性放大区。 io=K,(Vcs-V)=Inss(1-Yas) Vp Ⅱ区的特点是， 当vps增至一定的数值，由于加到沟道中耗尽 层的电压太高，电场很强，致使栅漏间的PN结发生雪崩击 穿，iD迅速上升，称为击穿区。 当vGs<vp时，oO称为截止区。 11
11 JFET的特性曲线 v 在I区内，栅源电压愈负，输出特性愈倾斜，漏源间的等效电 阻愈大。因此，在I区中，FET可看作一个受栅源电压v GS控制 的可变电阻，故得名为可变电阻区。 v II区称为饱和区或恒流区，FET用作放大电路时，一般就工作 在这个区域，称为线性放大区。 v III区的特点是，当v DS增至一定的数值，由于加到沟道中耗尽 层的电压太高，电场很强，致使栅漏间的PN结发生雪崩击 穿， i D迅速上升，称为击穿区。 v 当v GS ＜v P时， i D=0称为截止区。 [2( ) ] 2 D n GS P DS DS i = K v - V v - v 2 2 ( ) (1 ) P GS D n GS P DSS V v i = K v -V = I -
JFET的特性曲线 in/mA 2.转移特性 FFT是电压控制器件，由于栅极输入 Uns=20 V 端基本上没有电流，故讨论它的输入 特性没有意义。 10 所谓转移特性是在一定漏源电压VDs 下，栅源电压vGs对漏极电流o的控制 特性，即 n=f(as》s=骑数 2-1.5 0.5 0 vcs/ 12
12 JFET的特性曲线 2．转移特性 v FFT是电压控制器件，由于栅极输入 端基本上没有电流，故讨论它的输入 特性没有意义。 v 所谓转移特性是在一定漏源电压v DS 下，栅源电压v GS对漏极电流i D的控制 特性，即 D = ( GS ) vDS = 常数 i f v