VDs对iD的影响 当vps0时，iD0。 随着vs逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流o 增加；但有了vs,就在由源极经沟道到漏极组成的N型半导体区 域中，产生了一个沿沟道的电位梯度。沟道区的电位差则从靠源 端的零电位逐渐升高到靠近漏端的vps。 在从源端到漏端的不同位置上，栅极与沟道之间的电位差是不相 等的，离源极愈远，电位差愈大，加到该处P结的反向电压也 愈大，耗尽层也愈向中心扩展，使靠近漏极处的导电沟道比靠近 源极要窄。所以增加vps,又产生了阻碍漏极电流o提高的因素。 在'较小时，导电沟道靠近漏端区域仍较宽，这时阻碍的因素 是次要的，故p随yp升高成正比地增大。 6
6 v DS 对i D的影响 v 当v DS=0时，i D=0。 v 随着v DS逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流i D 增加；但有了v DS ，就在由源极经沟道到漏极组成的N型半导体区 域中，产生了一个沿沟道的电位梯度。沟道区的电位差则从靠源 端的零电位逐渐升高到靠近漏端的v DS 。 v 在从源端到漏端的不同位置上，栅极与沟道之间的电位差是不相 等的，离源极愈远，电位差愈大，加到该处PN结的反向电压也 愈大，耗尽层也愈向中心扩展，使靠近漏极处的导电沟道比靠近 源极要窄。所以增加v DS ，又产生了阻碍漏极电流i D提高的因素。 v 在v DS较小时，导电沟道靠近漏端区域仍较宽，这时阻碍的因素 是次要的，故i D随v DS升高成正比地增大
VDs对iD的影响 p=0 和迅速增大 当vDs继续增加，使 漏栅间的电位差加 大，靠近漏端电位差 最大，耗尽层也最宽。 耗尽层 当两耗尽层在A点相 遇时，称为预夹断， A点耗尽层两边的电 (a） ( 位差用夹断电压'来 i心趋于饱和 也饱和 描述。 (c】 (d)
7 v DS 对i D的影响 v 当v DS继续增加，使 漏栅间的电位差加 大，靠近漏端电位差 最大，耗尽层也最宽。 v 当两耗尽层在A点相 遇时，称为预夹断， A点耗尽层两边的电 位差用夹断电压V P来 描述。 GD GS DS V P v = v - v =
N沟道JFET的输出特性 必 沟道在A点预夹断后，随着'Ds上升，夹断长度会略有增加。但 由于夹断处场强也增大，仍能将电子拉过夹断区形成漏极电流。 在从源极到夹断处的沟道上，沟道内电场基本上不随ys改变 而变化。所以，ip基本上不再随vps增加而上升，漏极电流趋 于饱和。 ip/mA ip/mA 预夹断轨迹 UGD-UGs sV 0.8 区 c8= 0.6 预夹断点 珂夹断 B 一0.8l 8101216 20s/V 8 (a) (b>
8 N沟道JFET的输出特性 v 沟道在A点预夹断后，随着v DS上升，夹断长度会略有增加。但 由于夹断处场强也增大，仍能将电子拉过夹断区形成漏极电流。 v 在从源极到夹断处的沟道上，沟道内电场基本上不随v DS改变 而变化。所以， i D基本上不再随v DS增加而上升，漏极电流趋 于饱和
JFET特点 综上分析，可得下述结论： 1.JFET栅极、沟道之间的PN结是反向偏置的，电阻很高。 2.JFET是电压控制电流器件，ip受vGs控制。 3.预夹断前，ip与yps呈近似线性关系，预夹断后，ip趋于饱和。 9
9 JFET特点 v 综上分析，可得下述结论： 1. JFET栅极、沟道之间的PN结是反向偏置的，电阻很高。 2. JFET是电压控制电流器件， i D受 v GS 控制。 3. 预夹断前， i D与v DS呈近似线性关系，预夹断后， i D趋于饱和
JFET的特性曲线 1.输出特性 JFET的输出特性是指在栅源电压vGs一定的情况下，漏极电流p 与漏源电压vps之间的关系，即 in=f(yns）es=常数 ip/mA 预夹断轨迹 UDs=Vp 0.8 I区 UGs=0 V JFET的工作情况可分为 三个区域。 0.6 A 筱夹断点 0.4 TB -0.8 81012 16 20s/V 10
10 JFET的特性曲线 1．输出特性 v JFET的输出特性是指在栅源电压v GS一定的情况下，漏极电流i D 与漏源电压v DS之间的关系，即 D = ( DS ) vGS = 常数 i f v JFET的工作情况可分为 三个区域