02_01离子性结合I族碱金属元素一一Li、Na、K、Rb、CsVII族的卤素元素一一F、CI、Br、ICsCI等结合为离子晶体一一NaCI，半导体材料一一CdS、ZnSNaXCH001_009_01
I 族碱金属元素 —— Li、Na、K、Rb、Cs VII 族的卤素元素 —— F、Cl、Br、I 02_01 离子性结合 结合为离子晶体 —— NaCl， CsCl等 半导体材料 —— CdS、ZnS
1离子晶体结合的特点CsCI晶体.Cs原子失去电子，CI获得电子一形成离子键一离子为结合单元，电子分布高度局域在离子实的附近形成稳定的球对称性的电子壳层结构K+Nat= Ne.= ArFCl-凶离子晶体的模型：正、负离子一一刚球E
1 离子晶体结合的特点 CsCl晶体 —— Cs原子失去电子，Cl获得电子 —— 形成离子键 —— 离子为结合单元，电子分布高度局域在离子实的附近， 形成稳定的球对称性的电子壳层结构 Ar Cl K Ne F Na , 离子晶体的模型：正、负离子 —— 刚球
离子晶体结合力库仑吸引力作用排斥力靠近到一定程度，由于泡利不相容原理两个离子的闭合壳层电子云的交选产生强大的排斥力排斥力和吸引力相互平衡时，形成稳定的离子晶体凶一种离子的最近邻离子为异性离子区离子晶体的配位数最多只能是8一一如CsCI晶体离子晶体结合的稳定性一一导电性能差、熔点高、硬度高和膨胀系数小
离子晶体结合力 一种离子的最近邻离子为异性离子 离子晶体的配位数最多只能是8 —— 如CsCl晶体 离子晶体结合的稳定性 —— 导电性能差、熔点高、硬度高和膨胀系数小 —— 库仑吸引力作用 —— 排斥力_靠近到一定程度，由于泡利不相容原理 两个离子的闭合壳层电子云的交迭产生强大的排斥力 —— 排斥力和吸引力相互平衡时，形成稳定的离子晶体
氯化钠型一一NaCI、KCI、AgBr、PbS、MgO (配位数6)氯化型一一CsCI、 TIBr、 TII（配位数8）XCH001010 01NaXCH001_009_01
氯化钠型 —— NaCl、KCl、AgBr、PbS、MgO (配位数6) 氯化铯型 —— CsCl、 TlBr、 TlI（配位数8） 05/17
离子结合成分较大的半导体材料ZnS等（配位数4）ZnXCH00104401
离子结合成分较大的半导体材料ZnS等（配位数4）